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本發(fā)明公開了一種可尋址測(cè)量局域波前的成像探測(cè)芯片，包括可尋址加電液晶微光學(xué)結(jié)構(gòu)、面陣可見光探測(cè)器和驅(qū)控預(yù)處理模塊；液晶微光學(xué)結(jié)構(gòu)被劃分成可獨(dú)立施加電驅(qū)控信號(hào)的多個(gè)液晶微光學(xué)塊，各液晶微光學(xué)塊具有相同的面形和結(jié)構(gòu)尺寸，被加電液晶微光學(xué)塊為液晶微透鏡陣列塊，其余未加電液晶微光學(xué)塊為液晶相移板塊；被液晶微光學(xué)塊化的液晶微光學(xué)結(jié)構(gòu)將與其對(duì)應(yīng)的面陣可見光探測(cè)器劃分成同等面形和規(guī)模的面陣可見光探測(cè)器塊，并且各面陣可見光探

本發(fā)明屬于芯片貼裝設(shè)備相關(guān)領(lǐng)域，并公開了一種面向芯片的 倒裝鍵合貼裝設(shè)備，包括晶元移動(dòng)單元、頂針單元、大轉(zhuǎn)盤單元、小 轉(zhuǎn)盤單元、基板進(jìn)給單元)、貼裝運(yùn)動(dòng)單元，以及作為以上各單元安裝 基礎(chǔ)的支架等，其中晶元移動(dòng)單元可對(duì)晶元盤實(shí)現(xiàn)三自由度運(yùn)動(dòng)并實(shí) 現(xiàn)晶元的供給;大轉(zhuǎn)盤單元將脫離晶元盤的芯片精度轉(zhuǎn)移至吸嘴上， 然后由小轉(zhuǎn)盤單元對(duì)芯片逐一拾取;基板進(jìn)給單元實(shí)現(xiàn)貼裝基板的進(jìn) 給運(yùn)動(dòng)，貼裝運(yùn)動(dòng)單元?jiǎng)t將拾取完芯片的小轉(zhuǎn)盤運(yùn)動(dòng)至基板貼裝位置， 最終實(shí)現(xiàn)芯片的貼裝。通過(guò)本發(fā)明，各個(gè)模塊單元之間相互聯(lián)系，共 同協(xié)作，顯

基于事件驅(qū)動(dòng)方式的仿生視覺圖像傳感器，用于高速場(chǎng)景的拍攝 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破、顯著效益成果轉(zhuǎn)化 二、成果簡(jiǎn)介 隨著虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）和混合虛擬增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（MR）技術(shù)、自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)以及機(jī)器視覺等領(lǐng)域的飛速發(fā)展，對(duì)圖像傳感器的采集速度提出了更高的要求。傳統(tǒng)基于“幀”掃描形式的CMOS 或 CCD 圖像傳感器較難滿足高速運(yùn)動(dòng)物體的拍攝需求，若提高相機(jī)的圖像采集幀率，則需要采用高性能且結(jié)構(gòu)復(fù)雜的模數(shù)轉(zhuǎn)換器，大量的圖像會(huì)帶來(lái)較大的數(shù)據(jù)冗余，此外，也會(huì)面臨功耗高的問(wèn)題。 相比于傳統(tǒng)的光電和圖像傳感器，生物視網(wǎng)膜具有許多不可比擬的優(yōu)勢(shì)。視網(wǎng)膜中的光感受器可根據(jù)外界光強(qiáng)的變化自適應(yīng)調(diào)節(jié)增益，能夠感知超過(guò) 180dB 的光強(qiáng)范圍。另外，視網(wǎng)膜基于事件驅(qū)動(dòng)式的采集方式，僅輸出場(chǎng)景中光強(qiáng)發(fā)生變化的信息，因而，能夠?yàn)V除低頻信息帶來(lái)的冗余。在信號(hào)處理和傳輸上，采用異步通信的方式，通過(guò)神經(jīng)節(jié)細(xì)胞將光強(qiáng)信息轉(zhuǎn)換為時(shí)空脈沖信號(hào)，實(shí)現(xiàn)低功耗。 受到生物視網(wǎng)膜的啟發(fā)，研究人員提出了基于事件驅(qū)動(dòng)方式的仿生視覺圖像傳感器，用于高速場(chǎng)景的拍攝。該類傳感器多采用對(duì)數(shù)像素電路作為光強(qiáng)探測(cè)單元，因其動(dòng)態(tài)響應(yīng)范圍寬，可隨機(jī)讀取。然而，對(duì)數(shù)電路在弱光環(huán)境下靈敏度低，幾乎沒有光響應(yīng)，即仍然無(wú)法模仿視網(wǎng)膜弱光下的高靈敏度，除此之外，其輸出受到 (Fixed Pattern Noise，F(xiàn)PN)的影響，降低了圖像質(zhì)量。 我們提出了一種兼容 CMOS 工藝的光敏二極管體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件(PD- body biased MOSFET，簡(jiǎn)稱 PD-MOS)，其結(jié)構(gòu)圖和等效電路如圖 1所示。 利用 PD 的感光特性以及 MOSFET 的正向襯底偏置效應(yīng)實(shí)現(xiàn)集成光強(qiáng)探測(cè)及信號(hào)放大于一體的光電器件。該器件可解決對(duì)數(shù)電路在弱光下靈敏度低的問(wèn)題，并且提出了一種明暗傳感器的方案以降低噪聲。設(shè)計(jì)成像測(cè)試方案并搭建靜態(tài)圖像采集測(cè)試系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)靜態(tài)顯示，通過(guò) MTALAB 進(jìn)行圖像恢復(fù)從而實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)圖像顯示功能。   圖 1 (a) PD-MOS 器件結(jié)構(gòu)及其 (b) 等效電路圖 經(jīng)過(guò)商用 180nm CMOS 工藝流程制備后的器件概貌如圖 2 所示，圖 (a) 為三種不同像素設(shè)計(jì)的芯片實(shí)物圖，從上至下分別為環(huán)形結(jié)構(gòu)、條形結(jié)構(gòu)及對(duì)數(shù)像素電路，將其中的環(huán)形結(jié)構(gòu)在顯微鏡下放大觀察可看到圖 (b) 所示的形貌，圖 (c) 為4個(gè)像素的顯微圖。   圖 2 (a) PD-MOS 成像陣列芯片的實(shí)物圖，(b) 環(huán)形結(jié)構(gòu)芯片在顯微鏡下的放大圖以及 (c) 環(huán)形結(jié)構(gòu)像素放大圖 上位機(jī)實(shí)時(shí)顯示效果如圖3所示，可以明顯看出兩根頭發(fā)相交。子圖 (a) 為暗態(tài)時(shí)的 100 幀平均灰度圖，子圖 (b) 為暗態(tài)時(shí)的曲面圖，子圖 (c) (e) (g) (i) 為光態(tài)下的圖，子圖 (d) (f) (h) (j) 為光態(tài)下的圖像數(shù)據(jù)減去暗態(tài)下圖像數(shù)據(jù)的降噪圖，可以發(fā)現(xiàn)在30nw/cm2 輻照度下已經(jīng)出現(xiàn)頭發(fā)的輪廓，當(dāng)輻照度繼續(xù)增加，頭發(fā)的輪廓越來(lái)越清晰，當(dāng)輻照度達(dá)到 3mw/cm2，仍然可以看到頭發(fā)的輪廓。   圖 3 陣列芯片采集的圖像 不同于傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)視覺系統(tǒng)的圖像采集方式，生物視覺系統(tǒng)的成像由視野場(chǎng)景中發(fā)生的事件觸發(fā)，且生物視網(wǎng)膜具有寬動(dòng)態(tài)響應(yīng)范圍、超低功耗以及異步傳輸?shù)忍攸c(diǎn)，這為仿生視覺系統(tǒng)的研究提供了全新的思路。隨著物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛以及安防等領(lǐng)域的快速發(fā)展，它們對(duì)高速動(dòng)態(tài)圖像傳感器的需求也日益提升。近些年，針對(duì)這些需求，研究人員提出了一種用于采集高速動(dòng)態(tài)信息的類視網(wǎng)膜相機(jī)，成為了一大熱點(diǎn)研究方向。類視網(wǎng)膜相機(jī)的工作原理模擬了生物視網(wǎng)膜事件驅(qū)動(dòng)型的采集方式及異步型的傳輸模式，為動(dòng)態(tài)視覺成像提供了硬件基礎(chǔ)。綜上，該類傳感器的研究具有十分重要的科研意義和深遠(yuǎn)的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介： 發(fā)展自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的北斗衛(wèi)

微晶玻璃腔體是激光陀螺的重要元件和組成部分，為了降低對(duì)進(jìn)口材料的依賴程度、提高國(guó)產(chǎn)化水平，對(duì)國(guó)產(chǎn)微晶玻璃腔體在激光陀螺批量化生產(chǎn)中的可行性進(jìn)行分析，主要研究?jī)?nèi)容包括：國(guó)產(chǎn)微晶玻璃的制造工藝；采用國(guó)產(chǎn)微晶玻璃腔體與采用進(jìn)口微晶玻璃腔體的激光陀螺性能比較；使用國(guó)產(chǎn)微晶玻璃腔體激光陀螺樣機(jī)。使用國(guó)產(chǎn)化微晶玻璃腔體激光陀螺樣機(jī)零偏穩(wěn)定性和溫度零偏變化率能夠達(dá)到現(xiàn)有水平。

清華大學(xué)電子工程系黃翊東教授團(tuán)隊(duì)崔開宇副教授帶領(lǐng)學(xué)生在超光譜成像芯片方面取得重要進(jìn)展，研制出國(guó)際首款實(shí)時(shí)超光譜成像芯片，相比已有光譜檢測(cè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從單點(diǎn)光譜儀到超光譜成像芯片的跨越。

本發(fā)明提供了一種倍半萜衍生物的晶型及其制備方法與用途，晶型A的X?ray粉末衍射圖譜中，2θ衍射角在6.840±0.2、9.390±0.2、15.980±0.2、16.830±0.2、17.780±0.2、18.760±0.2、19.340±0.2、20.400±0.2、21.910±0.2、23.280±0.2、25.520±0.2、26.680±0.2、27.490±0.2、32.110±0.2、32.300±0.2、37.980±0.2、44.230±0.2的位置對(duì)應(yīng)有特征衍射峰。本發(fā)明所述的晶型A結(jié)晶度高、基本上具有不吸濕性；顯示出更有利的溶解動(dòng)力學(xué)。

隨著高爐冶煉強(qiáng)度的提高和優(yōu)質(zhì)煉焦煤資源的緊缺加劇，以熱性質(zhì)為重點(diǎn)的焦炭質(zhì)量?jī)?yōu)化制備技術(shù)得到冶金界越來(lái)越重視。從煉焦煤性質(zhì)、配煤原理、配煤技術(shù)、焦炭分子和微晶結(jié)構(gòu)、焦炭熱性質(zhì)控制因素、焦炭爐外處理技術(shù)及降低焦炭制備成本等方面持續(xù)研究焦炭?jī)?yōu)化生產(chǎn)理論和技術(shù)，提出了焦炭微結(jié)構(gòu)與熱性質(zhì)的定向控制的集成技術(shù)。 利用現(xiàn)代分析儀器XRD/XPS/SEM/TEM/ROMAN/AFM等全面系統(tǒng)的研究焦炭的碳微晶結(jié)構(gòu)、氣孔結(jié)構(gòu)，以及礦物質(zhì)的化學(xué)組成等，提出了表征焦炭碳微晶的微晶化度、表征氣孔性質(zhì)的氣孔粗糙度、表征礦物質(zhì)對(duì)焦炭化學(xué)反應(yīng)催化作用的催化指數(shù)等參數(shù)，揭示了控制焦炭熱性質(zhì)的本征因素是焦炭微晶化度－氣孔結(jié)構(gòu)參數(shù)－催化指數(shù)。 將冶金焦炭作為多孔脆性材料，運(yùn)用材料力學(xué)及其破碎斷裂有關(guān)理論，研究了焦炭在加熱過(guò)程中的形貌變化、高溫?zé)崤蛎浶阅堋⒏邷貜椥阅Ａ俊⒏邷乜估拐蹚?qiáng)度等，提出了焦炭熱性質(zhì)的新概念。 在全面系統(tǒng)的研究了煉焦煤性質(zhì)和配伍性、配煤煉焦過(guò)程機(jī)理及其與焦炭熱性質(zhì)關(guān)系的基礎(chǔ)上，提出了“碳合金”配煤新概念和初步實(shí)現(xiàn)焦炭微晶結(jié)構(gòu)定向控制，建立了基于碳合金配煤理論的焦炭冷熱強(qiáng)度預(yù)測(cè)模型，擴(kuò)大了煉焦煤源，使大型高爐用焦炭配煤中不粘煤配比最高可達(dá)到20％，可產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。 針對(duì)優(yōu)質(zhì)煉焦煤源日益緊缺的狀況，提出了進(jìn)一步提高焦炭熱性質(zhì)的爐外處理技術(shù)設(shè)想，并在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)詳細(xì)研究了基于化學(xué)催化理論的負(fù)催化技術(shù)、化學(xué)氣相熱解沉積理論的表面處理技術(shù)等對(duì)提高焦炭熱性質(zhì)的作用，表明合適的爐外處理技術(shù)可以大幅度提高焦炭熱性質(zhì)。

中試階段/n本項(xiàng)目解決浮選尾礦污染、回收磷資源并生產(chǎn)石膏晶須和氯化鎂技術(shù)問(wèn)題。可以尾礦中98%的磷、利用95%的鈣和99%的鎂，生產(chǎn)的石膏晶須長(zhǎng)徑比達(dá)到5080，氯化鎂達(dá)到工業(yè)一級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)，具體技術(shù)指標(biāo)如下：。相關(guān)概述：(1)特點(diǎn)：資源回收率高，成本低；(2)適用礦：浮選磷尾礦；(3)廢水廢氣回收利用，無(wú)環(huán)境污染；(4)能高質(zhì)利用磷尾礦。。生產(chǎn)條件：陶瓷反應(yīng)釜；蒸餾釜；結(jié)晶釜；回水池。。支持額度：。500。萬(wàn)元。承接單位：。湖北省。項(xiàng)目進(jìn)展：。本項(xiàng)目解決浮選尾礦污染、回收磷資源并生產(chǎn)石膏晶須和氯化鎂技術(shù)問(wèn)題。可以尾礦中98%的磷、利用95%的鈣和99%的鎂，生產(chǎn)的石膏晶須長(zhǎng)徑比達(dá)到5080，氯化鎂達(dá)到工業(yè)一級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)，具體技術(shù)指標(biāo)如下：相關(guān)概述：(1)特點(diǎn)：資源回收率高，成本低；(2)適用礦：浮選磷尾礦；(3)廢水廢氣回收利用，無(wú)環(huán)境污染；(4)能高質(zhì)利用磷尾礦。生產(chǎn)條件：陶瓷反應(yīng)釜；蒸餾釜；結(jié)晶釜；回水池。。項(xiàng)目基本內(nèi)容：。我國(guó)能利用的磷礦資源中，都需要選礦，產(chǎn)生大量的浮選磷尾礦而在成環(huán)境污染；本項(xiàng)目利用磷尾礦和副產(chǎn)鹽酸和磷酸回收磷酸，生產(chǎn)石膏晶須和氯化鎂，所用原料為負(fù)成本，回收磷可以直接用于復(fù)合肥生產(chǎn)、石膏晶須為高質(zhì)原料，氯化鎂用于高檔陶瓷或阻燃劑的原料。能滿足環(huán)保、節(jié)能，效益的要求。因此有廣泛的市場(chǎng)前景。生產(chǎn)1噸尾礦成本約600元，產(chǎn)出1200元1200元/噸，效益明顯。本項(xiàng)目解決浮選尾礦污染、回收磷資源并生產(chǎn)石膏晶須和氯化鎂技術(shù)問(wèn)題。可以尾礦中98%的磷、利用95%的鈣和99%的鎂，生產(chǎn)的石膏晶須長(zhǎng)徑比達(dá)到5080，氯化鎂達(dá)到工業(yè)一級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)，具體技術(shù)指標(biāo)如下：相關(guān)概述：(1)特點(diǎn)：資源回收率高，成本低；(2)適用礦：浮選磷尾礦；(3)廢水廢氣回收利用，無(wú)環(huán)境污染；(4)能高質(zhì)利用磷尾礦。生產(chǎn)條件：陶瓷反應(yīng)釜；蒸餾釜；結(jié)晶釜；回水池。