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本發明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結構和光敏陣列。廣譜入射光波進入熱輻射結構后，在納尖表面激勵產生等離激元，驅動圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅控下涌入的自由電子相疊合，產生壓縮性脈動，使電子急劇升溫并向周圍空域發射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉換為電信號，經預處理后得到電子圖像數據并輸出。本發明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫

本發明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機構， 安裝于 Z 向升降機構上并連接旋轉驅動機構，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍膜上芯片的外緣實現預頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉驅動機構， 連接多頂針主體機構，用于先后驅動外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動作；Z 向升降機構，安裝于三自由度微調對準機構上，停 機狀態時其處于下降位置，工作狀態其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準備；三自由度微調對準機構，用于對多頂針主體機構進行 X、Y 和 Z 向的微調。本發明可實現頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調節，芯片受力均勻，有效減少剝離過程中的芯片失效。 

本發明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區域，再采用刻蝕工藝對硅晶圓進行局部減薄，對減薄后的區域進行芯片后續工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機械強度仍然可以支持硅片進行后續的加工工藝，相對于傳統的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機械研磨工藝來進行減薄，所以不會因為機械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小，通過本發明可以使芯片減薄到比機械研磨方法更薄的程度。

成果與項目的背景及主要用途： RFID是射頻識別技術的英文(Radio FrequencyIdentification)的縮寫，射頻識別技術是 20 世紀 90 年代開始興起的一種自動識別技術，射頻識別技術是一項利用射頻信號通過空間耦合(交變磁場或電磁場)實現無接觸信息傳遞并通過所傳遞的信息達到識別目的的技術。RFID 系統通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關數據，識別工作無須人工干預。作為條形碼的無線版本，RFID 技術具有條形碼所不具備的防水、防磁、耐高溫、使用壽命長、讀取距離大、標簽上數據可以加密、存儲數據容量更大、存儲信息更改自如等優點，已經被世界公認為本世紀十大重要技術之一，在生產、零售、物流、交通等各個行業等各個行業有著廣闊的應用前景。 本項目主要研發了基于 ISO18000-6B 協議的無源電子標簽芯片，其可用于物流，貨品識別，高速公路收費等諸多領域，是目前國內外射頻電路研究領域的熱點。 技術原理與工藝流程簡介：UHF 頻段的無源電子標簽工作原理如下：通過標簽上外置的偶極子天線接收讀卡器發送的載波信號，并將其轉換為直流信號，為整個芯片供電；同時片上的解調模塊解調出經調制的載波信號所攜帶的數據信息，并傳遞給片上的基帶部分加以處理；基帶部分連同 EEPROM 部分一起完成數據的讀寫和控制功能，再由調制模塊以反向發射的形式將上行信號返回給讀卡器完成一次通信。 本設計的工藝流程是基于 Chartered 0.35um EEPROM 數字工藝，從芯片設計、仿真、版圖驗證。最終通過代工廠完成芯片制作。技術水平及專利與獲獎情況：根據測試結構表明，各項指標都達到了商用需求，在國內屬領先水平。該項成果已獲得國家知識產權局頒發的集成電路布圖登記證書。BS.06500285.7 應用前景分析及效益預測：目前國內的 UHF 頻段的 RFID 產品正處于高速成長期，需求量快速增長，但大多數核心技術需要依賴進口。如果本項目能夠實現技術轉產，可以預計的前景和經濟效益是相當可觀的。有了自主知識產權的 UHF頻段電子標簽，在很多領域都可以加以移植，取代進口產品不但可以大大節省開支，同時也可以實現產品的自我定制及更新，最大程度的方便了國內用戶的應用。 應用領域：貨品跟蹤和識別（代替條形碼）、高速移動物體的識別、防偽認證以及電子支付等領域都會有廣泛的應用。 技術轉化條件（包括：原料、設備、廠房面積的要求及投資規模）：四十平方米以上的辦公用房，電腦、工作站若干，相應軟件。也可以和 RFID天線制造單位，卡片封裝單位共同合作，將成果轉產。 合作方式及條件：面談。

本發明公開了一種微流控移液器槍頭，包括本體和外囊，所述本體包括設在本體尾部區域內的進液通道、沿本體圓周周向排布的若干個濃縮微流道、設在本體外表面的空白液體出口，以及設在本體頭部區域內的出液通道；濃縮微流道包括直流道、分叉流道、中間流道和兩路旁支流道，直流道一端與進液通道連通，另一端與分叉流道連通，中間流道一端與分叉流道連通，另一端與出液通道連通，兩路旁支流道分別設在中間流道兩側，旁支流道的一端與分叉流道連通，另一端向本體外表面彎折并與空白液體出口連通。本發明結構簡單，通量高，能利用微流體慣性效應來實現微米級粒子的濃縮。

一種基于雙超時網絡報文的組流方法，設置短超時和長超時，當報文到達測量器，從報文頭中提取流信息，在網絡流緩存中查找由所測量報文的網絡流記錄，如果找到所述的網絡流記錄，更新流結束標識，否則在網絡流緩存中增加一條新的網絡流記錄，如果測量周期結束，則檢查網絡流緩存中的每條網絡流，如果所檢查網絡流的流結束標識為1，則所檢查短超時判斷網絡流結束，否則根據長超時判斷網絡流結束。

簡述：地鐵牽引變流器基于國家“十一五”最新科技成果（項目：“城市軌道交通能饋式牽引供電系統及牽引傳動系統研制”，編號： 2007BAA12B07 ），具有完全自主知識產權，應用于地鐵牽引傳動系統，實現牽引電機驅動及控制，具有模塊化、輕量化、低噪聲等特點，可完全替代國外進口系統。該設備已通過鐵道部產品質量監督檢驗中心機車車輛檢驗站型式試驗，在廣州地鐵 1 號線完成裝車試驗，即將裝一列車。

一種基于雙超時網絡報文的組流方法，設置短超時和長超時，當報文到達測量器，從報文頭中提取流信息，在網絡流緩存中查找由所測量報文的網絡流記錄，如果找到所述的網絡流記錄，更新流結束標識，否則在網絡流緩存中增加一條新的網絡流記錄，如果測量周期結束，則檢查網絡流緩存中的每條網絡流，如果所檢查網絡流的流結束標識為1，則所檢查短超時判斷網絡流結束，否則根據長超時判斷網絡流結束，本發明采用兩個不同時間粒度的流超時機制，大大減少已經結束流在緩存中的存在性，并減少一個流被分割成多段而需要在緩存中進行多次輸出流記錄、生成新流記錄等消耗系統資源的操作，同時又減少后臺需要系統資源將多個被分割的短流合并成一個流。

氮化硅陶瓷是一種耐高溫耐磨材料，廣泛用于冶金、化工、能源等領域，氮化硅粉是制備氮化硅的原材料。實驗室提出了一種流態化直接氮化制備超細粉方法，可低成本生產晶相和非晶相氮化硅粉。

多相流數字全息顯示與測量儀將光學全息干涉原理與數字圖像處理技 術相結合，利用CCD或CMOS器件代替全息記錄干板，對液液或氣液擴散過 程依次記錄其一定時間間隔的多幅全息圖，再通過計算機數值計算來實現 待測液液或氣液擴散過程的數值重建，獲得折射率實時變化參數并進一 步得到擴散參數。 該技術達到國際先進水平，獲實用新型專利1項。