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一種雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡芯片
本發(fā)明公開了一種雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡芯片，包括雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡和驅(qū)控信號(hào)輸入端口，雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡為 m×n 元，其中，m、n 均為大于 1的整數(shù)，雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第一基片、第一平板電極層、第一電隔離層、圖案化電極層、第二電隔離層、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⒌谌姼綦x層、第二平板電極層、第二基片，第一平板
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于微流控芯片粒子捕獲式的單粒子散射測(cè)量裝置
本發(fā)明公開了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測(cè)量 裝置，包括光源、分光光路、測(cè)量對(duì)準(zhǔn)組件、探測(cè)組件和微流控芯片。 結(jié)合 Mie 散射理論計(jì)算的理論散射曲線參照，完成單粒子圓周范圍內(nèi) 大角度范圍散射場(chǎng)的測(cè)量；同時(shí)由于結(jié)合了微流控芯片技術(shù)，解決了 單粒子的捕獲和單粒子環(huán)境的構(gòu)建問題。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種微流控芯片及其在單分散納米顆粒制備中的應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種微流控芯片及其在單分散納米顆粒制備中的 應(yīng)用。所述芯片包括內(nèi)管、外管和外管進(jìn)樣頭；所述內(nèi)管與外管共中 心軸套接；所述內(nèi)管一端為尖端出樣口，深入外管內(nèi)部，內(nèi)管另一端 為進(jìn)樣口，伸出外管外部；所述外管進(jìn)樣頭嵌合在外管管壁上。本發(fā) 明提供的微流控芯片結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用壽命較長(zhǎng)，具備各向均一性，制 備的納米顆粒單分散性好，粒徑一致。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種用于組織/器官芯片集成制造的三維打印方法及裝置
本發(fā)明涉及一種用于組織/器官芯片集成制造的三維打印方法及裝置，包括以下步驟：1)設(shè)計(jì)三維芯片的三維結(jié)構(gòu)圖，并轉(zhuǎn)化為片層圖形文件格式；2)開啟三維打印裝置，將打印墨水吸入各個(gè)噴頭中；導(dǎo)入片層圖形文件；3)三維打印裝置分別將主體材料打印墨水、犧牲材料打印墨水和不同的細(xì)胞打印墨水打印到底板系統(tǒng)預(yù)先設(shè)計(jì)的位置；4)重復(fù)步驟3)逐層累積完成三維芯片結(jié)構(gòu)打印，直至片層圖形文件打印完成；5)加熱或制冷整體打印完成的三維芯片，使通道犧牲材料變?yōu)槿苣z態(tài)；6)將變?yōu)槿苣z態(tài)的通道犧牲材料使用移液槍吸出，去除通道犧牲材料，形成完整的三維芯片結(jié)構(gòu)；7)對(duì)未被融化的細(xì)胞打印墨水材料進(jìn)行交聯(lián)，灌流培養(yǎng)基。
清華大學(xué)
2021-04-10
科學(xué)院大學(xué).jpg){kind=logo}
空天地一體化網(wǎng)絡(luò)衛(wèi)星移動(dòng)通信終端芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
研發(fā)階段/n由于信息基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)環(huán)境復(fù)雜，以衛(wèi)星移動(dòng)通信為代表的空天地一體化網(wǎng)絡(luò) 建設(shè)成為首選。中科院計(jì)算所無(wú)線中心在已有成果的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)提升衛(wèi)星終端芯 片的產(chǎn)品化量產(chǎn)能力，實(shí)現(xiàn)終端芯片量產(chǎn)，并設(shè)計(jì)多類型衛(wèi)星移動(dòng)通信終端設(shè)備及 行業(yè)應(yīng)用解決方案，填補(bǔ)我國(guó)衛(wèi)星移動(dòng)通信“產(chǎn)業(yè)空洞”。截止2017年底，項(xiàng)目成 功實(shí)現(xiàn)衛(wèi)星移動(dòng)通信終端基帶芯片F(xiàn)ull Mask量產(chǎn)并推廣應(yīng)用，占領(lǐng)產(chǎn)業(yè)鏈高端核 心器件供給；推出面向行業(yè)應(yīng)用的手持、便攜、車載等多型終端解決方案，項(xiàng)目相 關(guān)成果目前依托產(chǎn)業(yè)化主體中科晶上實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
基于雙路電壓信號(hào)驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微柱鏡芯片
本發(fā)明公開了一種基于雙路電壓信號(hào)驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微柱鏡芯片，包括：液晶散光微柱鏡陣列、第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口、以及第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口，液晶散光微柱鏡陣列為 m×n 元，其中 m、n 均為大于的整數(shù)，液晶散光微柱鏡陣列采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第一基片、頂層面電極板、電極間絕緣層、頂層圖案化電極板、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⒕W(wǎng)孔狀共地電極板、第二基片，頂層面電極板和網(wǎng)孔狀共地電極板分
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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可任意尋址操縱的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片設(shè)計(jì)及可行性論證
本項(xiàng)目提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(發(fā)表于國(guó)際一流期刊PRB，2005)，相比于美國(guó)Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片而言，具有更強(qiáng)的糾錯(cuò)和避錯(cuò)品質(zhì)，更易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。
一、項(xiàng)目分類
重大科學(xué)前沿創(chuàng)新
二、成果簡(jiǎn)介
提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(發(fā)表于國(guó)際一流期刊PRB，2005)，相比于美國(guó)Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片而言，具有更強(qiáng)的糾錯(cuò)和避錯(cuò)品質(zhì)，更易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。技術(shù)上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全國(guó)產(chǎn)設(shè)備工藝線上，芯片電路單元核心器件-約瑟夫森結(jié)和共面波導(dǎo)超導(dǎo)諧振器的自行設(shè)計(jì)制造，在極低溫環(huán)境下完成了單元器件性能的標(biāo)定和檢驗(yàn)。
西南交通大學(xué)
2022-09-13
一種基于微流控芯片粒子捕獲式的單粒子散射測(cè)量方法
本發(fā)明公開了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測(cè)量 方法，包括微流控芯片的設(shè)計(jì)制作、測(cè)量環(huán)境配置、對(duì)準(zhǔn)、單粒子的 捕獲和單粒子環(huán)境的構(gòu)建以及單粒子大角度的散射分布的測(cè)定等相關(guān) 方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于結(jié)合了微流控芯片粒子捕獲技術(shù)，克服 了單粒子的大角度散射、大動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的光散射特性測(cè)量方法的不足， 實(shí)現(xiàn)了單粒子大角度散射分布的測(cè)量
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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利用單一YAG: Ce3+熒光粉和紫外LED芯片匹配獲得白光的制備
最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過藍(lán)光和黃光復(fù)合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因?yàn)閅AG：Ce3+的光譜中缺乏藍(lán)光波段。本項(xiàng)目通過特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍(lán)光發(fā)射，通過調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時(shí)，器件發(fā)射出CIE坐標(biāo)（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍(lán)光和黃光兩種波段，進(jìn)而復(fù)合產(chǎn)生白光，工藝簡(jiǎn)單，技術(shù)領(lǐng)先。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
利用單一YAG: Ce3+熒光粉和紫外LED芯片匹配獲得白光的制備
成果簡(jiǎn)介： 最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過藍(lán)光和黃光復(fù)合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因?yàn)閅AG：Ce3+的光譜中缺乏藍(lán)光波段。本項(xiàng)目通過特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍(lán)光發(fā)射，通過調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時(shí)，器件發(fā)射出CIE坐標(biāo)（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍(lán)光和黃光兩種波段，進(jìn)而復(fù)合產(chǎn)生白光，工藝簡(jiǎn)單，技術(shù)領(lǐng)先。
電子科技大學(xué)
2017-10-23