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本發(fā)明屬于氣敏膜合成技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種基于微 滴預(yù)混和轉(zhuǎn)印的氣敏膜的并行合成裝置及合成方法，該氣敏膜并行合 成裝置包括限位載物臺(tái)、控制模塊、三維滑臺(tái)、微滴預(yù)混模塊和微滴 轉(zhuǎn)印模塊，微滴預(yù)混模塊采用陣列蠕動(dòng)泵和陣列微滴針頭相結(jié)合來(lái)實(shí) 現(xiàn)氣敏原材料預(yù)混，微滴轉(zhuǎn)印模塊采用氣密自動(dòng)微量進(jìn)樣器、圖像定 位攝像頭和預(yù)制定位膜的基片共同協(xié)調(diào)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)印過(guò)程中的定量微滴和 氣敏膜的精準(zhǔn)定位定形。本發(fā)明還公開(kāi)了氣敏膜的制備方法。

霧化噴射沉積成形技術(shù)近年來(lái)被廣泛用于研究和發(fā)展高性能的快速凝固材料。該技術(shù)最突出的創(chuàng)新點(diǎn)在于，將液態(tài)金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結(jié)合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術(shù)。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過(guò)程。其基本特點(diǎn)是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進(jìn)的過(guò)程。在多年研究噴射成形技術(shù)的基礎(chǔ)上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術(shù)成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國(guó)際上迄今報(bào)導(dǎo)的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測(cè)試結(jié)果表明，沉積態(tài)La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過(guò)冷液相區(qū)寬度DTx和約化玻璃轉(zhuǎn)變溫度Trg均高于單輥旋轉(zhuǎn)熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟(jì)山，陳國(guó)良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專(zhuān)利號(hào)：ZL200510086239.6。“高熔點(diǎn)高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術(shù)”，獲中國(guó)有色金屬工業(yè)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)（2003.12）。

主流硅基芯片CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開(kāi)發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來(lái)延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時(shí)代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿(mǎn)足集成電路加工工藝和器件成品率對(duì)溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過(guò)渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿(mǎn)足現(xiàn)實(shí)要求，因此亟需實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準(zhǔn)二維半導(dǎo)體材料的晶圓級(jí)單晶制備，率先實(shí)現(xiàn)了同時(shí)具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長(zhǎng)。他們基于自主設(shè)計(jì)搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強(qiáng)的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級(jí)單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管。基于晶圓級(jí)二維Bi2O2Se單晶薄膜的標(biāo)準(zhǔn)頂柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀(guān)遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開(kāi)關(guān)比（>105）和較高的開(kāi)態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

項(xiàng)目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學(xué)特性，在碳基薄膜中，是目前國(guó)際上公認(rèn)的SP3鍵含量最高，超過(guò)85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達(dá)到HV≥85Gpa，可見(jiàn)光和紅外光透明，透光率達(dá)97%，吸收紫外光，達(dá)98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達(dá)0.2nm，摩擦系數(shù)≤0.08，電阻率達(dá)（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導(dǎo)率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項(xiàng)目可用于高精度專(zhuān)有刀具、模具和摩擦滑動(dòng)部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術(shù)和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機(jī)滑塊，滑動(dòng)環(huán)等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強(qiáng)散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線(xiàn)輻射測(cè)量傳感器，可抗射線(xiàn)輻射損傷，提高測(cè)量的靈敏度。

成功開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型淺色導(dǎo)電晶須，用晶須替代納米顆粒作為 基體制備導(dǎo)電填料加入纖維基體中，具有比導(dǎo)電超細(xì)顆粒更好的分散性，而且由 于晶須是棒狀結(jié)構(gòu)，分散在纖維中可以通過(guò)搭接的方式首尾相接，更利于纖維導(dǎo) 電。淺色導(dǎo)電晶須的開(kāi)發(fā)研究對(duì)白色導(dǎo)電纖維的制備提供了理論和實(shí)踐基礎(chǔ)，葛 明橋教授團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的白色導(dǎo)電纖維經(jīng)檢測(cè)達(dá)到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法 紡絲）達(dá)到導(dǎo)電纖維要求，是國(guó)內(nèi)導(dǎo)電纖維領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破，可提高白色導(dǎo) 電纖維自產(chǎn)率，應(yīng)用前景廣闊。 2 關(guān)鍵技術(shù) （1）將高速攪拌與化學(xué)共沉積法結(jié)合，制備出的淺色導(dǎo)電二氧化鈦納米晶 須的電阻率達(dá)到了 103 ??cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過(guò)濕法紡絲方法制備出復(fù)合導(dǎo)電纖維，315 該種纖維的電阻達(dá)到了 106?。 （3）與企業(yè)合作制備導(dǎo)電母粒，進(jìn)而通過(guò)熔融紡絲方法制備出各種復(fù)合結(jié) 構(gòu)的導(dǎo)電纖維，該種纖維的電阻達(dá)到了 109?。 3 知識(shí)產(chǎn)權(quán)及項(xiàng)目獲獎(jiǎng)情況 發(fā)表學(xué)術(shù)論文 9 篇；申請(qǐng)專(zhuān)利 6 項(xiàng) 4 項(xiàng)目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應(yīng)釜，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn) 5 投資期望及應(yīng)用情況 目前已與部分企業(yè)合作，成功制備該導(dǎo)電材料并應(yīng)用于化纖、纖維素等。

本發(fā)明公開(kāi)了一種非晶合金零件的快速成形方法，包括首先對(duì) 電磁成形系統(tǒng)中的電容器充電，然后采用電脈沖放電對(duì)非晶合金進(jìn)行 快速升溫使其溫度升至過(guò)冷液態(tài)溫度，在溫度達(dá)到設(shè)定溫度停止電脈 ·549·沖放電，同時(shí)使所述電磁成形系統(tǒng)的電容器放電，產(chǎn)生電磁力并驅(qū)動(dòng) 過(guò)冷液態(tài)的非晶合金變形至模具中，即可實(shí)現(xiàn)非晶合金零件的快速成 形。本發(fā)明還公開(kāi)了利用上述方法所制備的非晶合金零件。本發(fā)明通 過(guò)對(duì)熱塑性成形過(guò)程中的加熱方式、成形驅(qū)動(dòng)方式

本發(fā)明公開(kāi)了一種非晶基復(fù)合材料的制備方法，其特征在于， 包括：將片狀非晶合金與增韌第二相材料交替層疊后置于夾具中，其 中所述增韌第二相為板狀且上下表面開(kāi)有陣列通孔的結(jié)構(gòu)；在恒壓或 漸增載荷的條件下，對(duì)層疊的非晶合金及多孔板加熱，同時(shí)對(duì)其實(shí)施 超聲振動(dòng)，非晶合金迅速軟化并被壓入第二相增韌板的孔中，使得非 晶相合金與增韌第二相的界面冶金良好結(jié)合，而且成形過(guò)程中不會(huì)發(fā) 生晶化，從而獲得塑形良好的非晶合金復(fù)合材料。本發(fā)明還公

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于洛倫茲力的非晶合金成形方法及裝置， 該方法包括：非晶合金樣件在感應(yīng)電流的作用下升溫至過(guò)冷液態(tài)區(qū)， 同時(shí)在洛倫茲力的驅(qū)動(dòng)下變形至模具冷卻成形；感應(yīng)電流和洛倫茲力均由成形線(xiàn)圈放電產(chǎn)生，感應(yīng)電流由設(shè)置在成形線(xiàn)圈周?chē)膶?dǎo)體在成 形線(xiàn)圈放電過(guò)程中感應(yīng)產(chǎn)生，洛倫茲力由放電過(guò)程中成形線(xiàn)圈產(chǎn)生的 磁場(chǎng)與非晶合金樣件流過(guò)的感應(yīng)電流共同作用產(chǎn)生，導(dǎo)體與非晶合金 樣件構(gòu)成感應(yīng)回路，以使感應(yīng)電流流過(guò)所述非晶合金樣件。非晶合金 樣件的升溫、成形、冷卻過(guò)程在數(shù)毫秒脈沖放電時(shí)間內(nèi)一次完成，具 有升溫、成形、冷

本發(fā)明公開(kāi)了一種利用選區(qū)激光熔化制備非晶合金及其復(fù)合材 料零件方法，運(yùn)用這種方法，可以制備出尺寸較大、形狀復(fù)雜、強(qiáng)度 較高、成分均勻、晶化較少的非晶合金及其復(fù)合材料零件。該方法具 體包括如下步驟：(1)非晶粉末制備，(2)非晶復(fù)合粉末制備，(3)零件模 型準(zhǔn)備，(4)基板安裝，(5)氣氛保護(hù)，(6)紅光定位，(7)激光加工，(8) 熱處理。本發(fā)明將選區(qū)激光熔化(Selective-Laser-Melting,SLM)技術(shù)運(yùn)用

 高性?xún)r(jià)比太陽(yáng)光伏電池技術(shù)，及其低成本規(guī)模化開(kāi)發(fā)應(yīng)用，是我國(guó)中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃中所框定的重點(diǎn)“能源領(lǐng)域”技術(shù)突破方向之一。新一代高性能柔性薄膜太陽(yáng)能電池為豐富光伏器件應(yīng)用和推廣太陽(yáng)能建筑一體化提供關(guān)鍵基礎(chǔ)，而其實(shí)現(xiàn)的核心技術(shù)在于制備高品質(zhì)、穩(wěn)定且低成本的柔性薄膜材料。本項(xiàng)目在可規(guī)模化應(yīng)用的柔性薄膜襯底上實(shí)現(xiàn)低溫晶硅薄膜外延生長(zhǎng)、分離轉(zhuǎn)移、器件優(yōu)化和先進(jìn)納米構(gòu)建框架等一系列核心技術(shù)。同時(shí)，通過(guò)融合和集成先進(jìn)納米構(gòu)建體系和材料性能調(diào)控，探索新一代高性?xún)r(jià)比薄膜光伏電池。