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本發(fā)明公開(kāi)了一種集成加熱部件的微型氣敏傳感器的制作工藝，步驟為：①在基底上勻膠和光刻顯影，形成叉指形狀的光刻膠圖形；②將基底在保護(hù)氣氛下進(jìn)行熱解，形成玻碳叉指電極；③在玻碳叉指電極上勻膠并光刻顯影；④再次熱解，得到具有氣體敏感材料和加熱部件的叉指電極氣敏傳感器。本發(fā)明利用光刻和熱解技術(shù)先制作完成加熱部件和氣敏部分，不需要另外加上檢測(cè)電路，以及另外旋涂敏感材料。本工藝的特點(diǎn)是將氣體敏感材料部分和加熱器件集成為一體，而且制作的工藝就是常規(guī)的光刻、熱解等工藝，相對(duì)于現(xiàn)有的氣敏傳感器的加熱部件具有尺寸小，耗

本發(fā)明提出一種光學(xué)倍頻的納米位移計(jì)量傳感器，包括激光器、偏振分光棱鏡、1/4 玻片、角錐棱鏡、平面反射鏡、偏振片、光電探測(cè) 器和底座。本發(fā)明的傳感器采用光學(xué)倍頻技術(shù)，直接在光學(xué)結(jié)構(gòu)上將 光程差進(jìn)行 8 細(xì)分，同時(shí)采用偏振分光棱鏡和 1/4 玻片組合減少了光 能損失，保證了干涉條紋的強(qiáng)度，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，精度高，測(cè)量范圍 大，抗干擾能力強(qiáng)等特點(diǎn)，并且相比于單路光束系統(tǒng)在某種程度上可 減小非直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)所造成的誤差。

成果簡(jiǎn)介： 該軟件以航天器機(jī)構(gòu)為對(duì)象，集成了研究所在高可靠性、長(zhǎng)壽命技術(shù)裝備的可靠性分析和優(yōu)化設(shè)計(jì)方面研究的最新成果。軟件包含了FMECA/FTA/FRACAS分析、可靠度校驗(yàn)、機(jī)械/機(jī)構(gòu)可靠性?xún)?yōu)化設(shè)計(jì)、拓?fù)淇煽啃詢(xún)?yōu)化設(shè)計(jì)和多學(xué)科可靠性?xún)?yōu)化設(shè)計(jì)等功能模塊。 本課題研制了面向全壽命周期的復(fù)雜技術(shù)裝備可靠性設(shè)計(jì)自動(dòng)化平臺(tái)—“高可靠長(zhǎng)壽命航天器機(jī)構(gòu)可靠性軟件”，集成了本課題中針對(duì)我國(guó)自主研制的國(guó)防技術(shù)裝備的可靠性?xún)?yōu)化設(shè)計(jì)提出的新方法和新技術(shù)，以提高裝備的全壽命周期可靠性為目標(biāo)。該平臺(tái)包括了可靠性仿真分析部分和可靠性?xún)?yōu)化設(shè)計(jì)部分。其中，可靠性仿真分析部分包括FMECA/FTA/FRACAS、機(jī)械強(qiáng)度/機(jī)構(gòu)可靠性仿真、拓?fù)鋬?yōu)化可靠性仿真和時(shí)間域混合仿真四大模塊；可靠性設(shè)計(jì)部分則包括可靠性定性設(shè)計(jì)和可靠性定量設(shè)計(jì)兩大模塊。可靠性仿真分析部分和可靠性?xún)?yōu)化設(shè)計(jì)部分在裝備全壽命周期下多種可靠性數(shù)據(jù)庫(kù)資源的支持下與多學(xué)科優(yōu)化設(shè)計(jì)部分進(jìn)行各自信息的交互和共享。軟件平臺(tái)可以協(xié)同三維建模工具（如ProE，Solidworks等），有限元分析工具（如MSC，ANSYS等）和動(dòng)力學(xué)分析工具（如MSC，ADAMS）進(jìn)行復(fù)雜裝備的可靠性分析，可利用平臺(tái)的可靠性?xún)?yōu)化設(shè)計(jì)和多學(xué)科優(yōu)化設(shè)計(jì)模塊，或結(jié)合iSIGHT多學(xué)科優(yōu)化設(shè)計(jì)軟件，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜裝備的可靠性?xún)?yōu)化設(shè)計(jì)。

成果簡(jiǎn)介：能按照國(guó)家有關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)（JB/T9752.2—1999（NJ408—86）渦輪增壓器試驗(yàn)方法）要求，進(jìn)行增壓器的冷吹、熱吹、自循環(huán)出廠(chǎng)試驗(yàn)、增壓器總效率試驗(yàn)，壓氣機(jī)特性試驗(yàn)、增壓器超速超溫試驗(yàn)、增壓器可靠性試驗(yàn)等。試驗(yàn)臺(tái)采用最新研制的高性能電子測(cè)控系統(tǒng)，各測(cè)量參數(shù)由傳感器進(jìn)行采集，電子計(jì)算機(jī)控制記錄、分析、處理數(shù)據(jù)，數(shù)字式儀表顯示。增壓器的裝夾采用快速氣動(dòng)安裝裝置，大大節(jié)約了裝卸增壓器的時(shí)間。試驗(yàn)臺(tái)為全封閉式結(jié)構(gòu)、操作簡(jiǎn)便、使用安全，外形美觀(guān)。此項(xiàng)技術(shù)的相關(guān)成果有：渦輪增壓器性能實(shí)驗(yàn)臺(tái)

成果簡(jiǎn)介：增壓器試驗(yàn)在新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量的控制方面發(fā)揮著非常重要的作用。國(guó)際知名的增壓器生產(chǎn)企業(yè)都會(huì)根據(jù)自己的生產(chǎn)情況配有較完善的增壓器測(cè)試設(shè)備，先進(jìn)的測(cè)試系統(tǒng)和現(xiàn)代化試驗(yàn)臺(tái)的結(jié)合為甚至最小的發(fā)展步驟都提供了可靠的檢驗(yàn)，保證了產(chǎn)品的高質(zhì)量。對(duì)國(guó)內(nèi)增壓器制造企業(yè)來(lái)說(shuō)，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備的重視程度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了對(duì)試驗(yàn)測(cè)試的重視程度，這也使得國(guó)產(chǎn)增壓器在應(yīng)用過(guò)程中增壓器本身的故障以及由增壓器故障誘發(fā)的發(fā)動(dòng)機(jī)故障時(shí)常發(fā)生，嚴(yán)重影響了國(guó)內(nèi)產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)能力。 項(xiàng)目來(lái)源：自行開(kāi)發(fā) 

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的帶寬可調(diào)的低通濾波電路及其 操作方法，該電路由包含憶阻器的一階有源低通濾波電路以及憶阻器 的編程電路構(gòu)成。本發(fā)明利用憶阻器的閾值電壓特性，將憶阻器的工 作模式劃分為模擬工作模式和編程工作模式，通過(guò)改變憶阻器的阻值 改變?yōu)V波電路的帶寬。編程電路由憶阻器、四個(gè) NMOS 管以及四個(gè) PMOS 管構(gòu)成，一階有源濾波電路則由憶阻器、電容以及運(yùn)算放大器 構(gòu)成。本發(fā)明還公開(kāi)了一種基于憶阻器的帶寬可調(diào)的

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法， 電路包括編碼電路和檢索電路；編碼電路可以根據(jù)事件本身及其相關(guān) 特征對(duì)事件進(jìn)行編碼并存儲(chǔ)于電路中，通過(guò)擦除信號(hào)對(duì)已存信息進(jìn)行 擦除，并將產(chǎn)生的記憶痕跡信號(hào)作為下級(jí)電路的輸入信號(hào)；檢索電路 能夠?qū)⒂洃浐圹E信號(hào)和檢索信號(hào)相互匹配進(jìn)而產(chǎn)生相應(yīng)的情景記憶行 為；本發(fā)明可以根據(jù)施加的相關(guān)脈沖操作，模擬生物的情景記憶行為。 完成人：繆向水、許磊、李祎、段念 

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于回流焊的光纖光柵磁傳感器的制備方法， 該方法包括以下步驟：1)選取長(zhǎng)方體形狀的硅片并進(jìn)行超聲清洗；2) 用磁控濺射的方法在硅片上濺射一層一定厚度的磁致伸縮薄膜；3)選 取可以在高溫條件下使用的光纖光柵并進(jìn)行超聲清洗；4)用磁控濺射 的方法在光纖光柵上濺射一層一定厚度的金屬薄膜；5)將鍍了金屬薄 膜的光纖光柵固定在磁致伸縮薄膜上；6)采用回流焊的方法，將鍍了 金屬薄膜的光纖光柵焊接在磁致伸縮薄膜上，

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超材料的肖特基型遠(yuǎn)紅外多譜信號(hào)探測(cè)器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列，金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個(gè)圖形對(duì)于特定電磁波具有完全吸收特性，通過(guò)改變金屬開(kāi)環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對(duì)應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過(guò)改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料層中

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超材料的肖特基型遠(yuǎn)紅外多譜信號(hào)探測(cè)器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列，金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個(gè)圖形對(duì)于特定電磁波具有完全吸收特性，通過(guò)改變金屬開(kāi)環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對(duì)應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過(guò)改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料層中