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自疫情發(fā)生以來，對于勞動密集型的制造業(yè)企業(yè)來說，盡可能減少工人聚集和交叉接觸成為企業(yè)復工復產(chǎn)的重要保障。但在生產(chǎn)經(jīng)營活動中，必要的溝通、協(xié)同、信息互通和反饋指導不可避免，這其中涉及了離散制造的多個部門（銷售、采購、計劃、生產(chǎn)、倉庫、財務(wù)等）、多個生產(chǎn)工序以及多個工種。北大信息技術(shù)高等研究院智能工廠實驗室利用工業(yè)領(lǐng)域企業(yè)級數(shù)據(jù)中臺的優(yōu)勢，全面整合企業(yè)生產(chǎn)經(jīng)營環(huán)節(jié)的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，并利用數(shù)據(jù)智能對齊、行業(yè)知識圖譜等關(guān)鍵技術(shù)，實現(xiàn)面向制造業(yè)的全流程可溯源的透明管控線上生產(chǎn)鏈，迅速幫助企業(yè)集中獲得每一個線下關(guān)鍵生產(chǎn)環(huán)節(jié)的實時進度，并且能夠細化到訂單、生產(chǎn)設(shè)備、運行情況等細節(jié)，同時根據(jù)挖掘算法提供有效的智能輔助決策建議，在高效保障生產(chǎn)經(jīng)營管控的同時，最大化地減少不必要的人員聚集，實現(xiàn)數(shù)據(jù)中臺的指揮室作用，快速實現(xiàn)復工復產(chǎn)，有效提升生產(chǎn)效能。 擬解決的核心問題： 1、無法在生產(chǎn)環(huán)境外遠程下單，下單效率低； 2、工廠遠程管控困難，無法掌握訂單的詳細生產(chǎn)進度，并預測交期，難以面向JIT及時交貨； 3、對生產(chǎn)缺少全維度統(tǒng)計掌握，需要跨系統(tǒng)反復查詢； 4、在線實時分析困難，缺少必要的預測輔助參考； 5、生產(chǎn)環(huán)節(jié)無法自下而上進行反饋； 6、多源異構(gòu)數(shù)據(jù)融合困難； 7、缺少人工智能的輔助決策。 預期實施效果： 1、移動端遠程下單，基于混合云架構(gòu)，實現(xiàn)內(nèi)外網(wǎng)數(shù)據(jù)互通； 2、移動端跟單進度，多源異構(gòu)數(shù)據(jù)融合，實現(xiàn)生產(chǎn)環(huán)節(jié)全流程線上實時可見； 3、生產(chǎn)數(shù)據(jù)實時監(jiān)控，關(guān)鍵指標實時匯總，實現(xiàn)工作進度量化可見； 4、形成線上閉環(huán)數(shù)據(jù)看板，在線輔助指導生產(chǎn)經(jīng)營； 5、沉淀大數(shù)據(jù)資產(chǎn)，形成工業(yè)領(lǐng)域企業(yè)級數(shù)據(jù)中臺； 6、實現(xiàn)訂單生產(chǎn)智能逾期預警、訂單銷量智能預測、原材料動態(tài)庫存優(yōu)化。

本發(fā)明公開了一種聚3-己基噻吩/碳納米管復合材料及制備方法。 所述復合材料中含有聚3-己基噻吩30wt％至80wt％以及均勻分散的碳 納米管 1wt％至 15wt％，所述碳納米管形貌完整，其直徑在 40nm 至 60nm 之間，其長度在 5μm 至 15μm 之間，所述碳納米管表面包覆有 厚度在 3nm 至 10nm 之間的聚 3-己基噻吩。其制備方法包括以下步驟： (1)將聚 3-己基噻吩和高分子量聚合物均勻分散于有機溶劑中；(

小試階段/n樹脂基復合材料是以有機高分子材料為基體、高性能連續(xù)纖維為增強材料通過復合工藝制備而成的具有明顯優(yōu)于原組分性能的一類新型材料。但樹脂具有脆性，其復合材料一般要引入具有一維特征的增強相，如纖維、晶須和納米管等。這種增強相有兩種引入方式：一種是外加引入，另外一種是原位生成。往樹脂基體中單獨添加碳晶須、碳納米管或氧化鋁晶須等一維增強相時，材料的性能在一定程度上有提高，但增強相在樹脂解題中的分散問題沒有解決；在樹脂基體中原位生成碳納米管等一維增強相時，有助于常溫性能的改善，但是僅有碳納米管的存在，

1.依據(jù)海河實際土質(zhì)條件，提出了基槽水下開挖下部和上部坡率建議值；2.提出了適合濱海軟土地層特性的水下開挖法及合理的超挖值；3.提出了適合海河沉管隧道的水下邊坡檢測要求和減少基底回淤的施工措施；4.通過應(yīng)力路徑試驗方法，進行模擬基坑開挖時主動區(qū)側(cè)向卸荷試驗（DEP）和固結(jié)試驗，得到主動區(qū)卸荷狀態(tài)下土的強度參數(shù)；5.編制了天津市地方標準《內(nèi)河沉管法隧道設(shè)計、施工及驗收規(guī)范》DB/T29-219-2013。  在海河下游軟土地層環(huán)境下，針對內(nèi)河沉管沉放過程中存在的技術(shù)難題，形成了對沉

一種通過原位沉積磷酸鈣對碳納米管進行功能改性的方法，其步驟為：a、接枝反應(yīng)將聚乙二醇、淀粉、聚乙烯醇或馬來酸酐溶于二氯甲烷中，并加入偶聯(lián)劑構(gòu)成接枝反應(yīng)液；再將經(jīng)酸化預處理后的碳納米管粉末和催化量的酯化催化劑加入到接枝反應(yīng)液中，進行酯化反應(yīng)；然后過濾、洗滌、干燥得已接枝小分子化合物或聚合物后的碳納米管；b、礦化反應(yīng) 再將a步接枝后的碳納米管置入成分與模擬體液相同，但離子濃度為模擬體液2-10倍的快速礦化液中，超聲分散后置于溫度為37℃的環(huán)境中，靜置1-7天。該種方法改性后的碳納米管的親水性以及生物相容性好，可用作醫(yī)用高分子復合材料的增強體或者藥物載體材料。

本發(fā)明公開了一種環(huán)氧樹脂－二氧化硅空心管復合材料及其制 備方法。所述環(huán)氧樹脂-二氧化硅空心管復合材料，包括二氧化硅空心 納米管和環(huán)氧樹脂，所述二氧化硅空心納米管分散于環(huán)氧樹脂中，其 添加量為環(huán)氧樹脂的 0.1～10wt.％。其制備方法包括以下步驟：(1)采 用溶膠-凝膠法制備二氧化硅空心納米管；(2)將步驟(1)制備的二氧化硅 空心納米管分散于環(huán)氧樹脂中，形成環(huán)氧樹脂-二氧化硅空心管均勻分 散體系；(3

本發(fā)明公開了應(yīng)用混合型噴嘴噴印制造有機場效應(yīng)晶體管的方 法，包括以下步驟：1)噴印 Gate 極；2)噴印介電層；3)成形導電單元： 混合型噴嘴噴出的液體在接收基板上沉積形成導電單元及覆在導電單 元上的油層；4)轉(zhuǎn)印；5)制造連接電極層；6)組合封裝。本發(fā)明工藝簡 單，在混合型噴嘴制備完成的情況下，靜電紡絲工藝實現(xiàn)簡單，對環(huán) 境要求也較低；成本低，設(shè)備成本低，同時制造過程中均只需要一定 濃度的溶液，損耗少；精度、分辨率高，不需重復定位，而且靜電紡 絲所得纖維器件均在微納尺度，集成度完全滿足電路要求；

（專利號：ZL 201310543403.6） 簡介：本發(fā)明提供一種內(nèi)置鋼管高強混凝土芯柱的FRP管混凝土異形柱，屬于土木工程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明制作方法為：（1）在鋼管內(nèi)部焊接加勁肋，然后在鋼管內(nèi)部澆筑高強混凝土，形成鋼管高強混凝土芯柱；（2）在鋼管高強混凝土芯柱外綁扎縱筋和箍筋；（3）在異形FRP管內(nèi)截面拐角處，設(shè)置橫向和斜向的FRP連接件；（4）在鋼管高強混凝土芯柱和異形FRP管內(nèi)澆筑混凝土，制成內(nèi)置鋼管高強混凝土芯柱的FRP管混凝土異

該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導體的晶界，提升其機械性能，實現(xiàn)了柔性有機晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進一步實現(xiàn)了晶粒間的粘合作用。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標定。       DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點： ※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標準曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標準溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標準曲線：DT640 ※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%； ※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達：75V； ※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。 ???????