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本發(fā)明公開了一種相變存儲器單元 SPICE 模型系統(tǒng)，包括：單 元電阻模擬模塊，用于模擬相變存儲器單元電阻；溫度計算模塊，用 于針對施加的連續(xù)脈沖序列，計算每個脈沖信號結(jié)束時刻考慮脈沖信 號下熱量積累效應(yīng)的存儲器單元相變層溫度；晶化速率計算模塊，用 于計算單位時間內(nèi)發(fā)生晶化的相變層體積；非晶化速率計算模塊，用 于計算單位時間內(nèi)發(fā)生非晶化的相變層體積以及相變模塊，用于選擇 晶化速率或非晶化速率計算非晶化率。本發(fā)明還公開

本發(fā)明公開了一種基于本體模型的網(wǎng)絡(luò)化控制系統(tǒng)入侵檢測方法及系統(tǒng)。該方法構(gòu)建網(wǎng)絡(luò)化控制系統(tǒng)本體模型，基于該模型進行入侵檢測，并權(quán)衡決策后得到最終檢測結(jié)果。系統(tǒng)包括主節(jié)點，多個從節(jié)點，和負責(zé)消息傳遞的工業(yè)通信網(wǎng)絡(luò)；主節(jié)點負責(zé)完成自身的主機活動審計數(shù)據(jù)的收集、所有網(wǎng)絡(luò)報文的收集、主節(jié)點對應(yīng)的控制閉環(huán)流的檢測、控制對象檢測、整個系統(tǒng)所有節(jié)點主機活動審計數(shù)據(jù)的檢測、網(wǎng)絡(luò)活動檢測以及檢測結(jié)果的協(xié)調(diào)；各從節(jié)點負責(zé)完成該節(jié)點對

XM-131A-1女性骨盆附盆底肌及子宮模型 ? XM-131A-1女性骨盆附盆底肌及子宮模型由4部件組成，可以分解成骨盆、子宮、膀胱、直腸等部分，其中子宮、膀胱、直腸又可以剖開成2部分，顯示女性骨盆附盆底肌的形態(tài)和結(jié)構(gòu)，同時顯示女性盆腔內(nèi)的器官的形態(tài)和結(jié)構(gòu)和彼此的位置比鄰關(guān)系。 尺寸：自然大，26×18×20cm 材質(zhì)：PVC材料

XM- 121C彩色頭顱骨帶7節(jié)頸椎及腦動脈模型 ? XM-121C彩色頭顱骨帶7節(jié)頸椎及腦動脈模型由頭顱骨和7節(jié)頸椎串制成一個整體，模型用不同顏色區(qū)分正常人體頭顱骨的功能區(qū)域，并帶7節(jié)頸椎、椎動脈、脊神經(jīng)串制而成，顱蓋可打開，下頜骨可靈活活動，示顱骨和頸椎的組成和形態(tài)結(jié)構(gòu)，并在此基礎(chǔ)上附加了8件套的腦動脈模型，可分為前葉和頂葉、顳葉和枕葉、腦干和小腦。 尺寸：自然大，21×16×33cm 材質(zhì)：PVC材料

XM-617C-1腦干及下丘腦核團模型（帶數(shù)字標(biāo)識） ? XM-617C-1帶數(shù)字標(biāo)識腦干及下丘腦核團模型可拆分為4部件，顯示腦干的形狀結(jié)構(gòu)和間腦神經(jīng)核團，腦干部除可觀察延髓、腦橋，菱形窩和中腦的形態(tài)外，還可觀察第Ⅱ至Ⅻ對腦神經(jīng)在腦干部位，間腦可觀察到上丘腦、背側(cè)丘腦、后丘腦和下丘腦，在背側(cè)丘腦和下丘腦部顯示了各主要核團，共有多個部位數(shù)字指示標(biāo)志和對應(yīng)的文字說明。 尺寸：放大，14×11×22cm 材質(zhì)：PVC材料

XM-616A腦及腦動脈和大腦皮質(zhì)功能定位模型 ? XM-616A腦及腦動脈和大腦皮質(zhì)功能定位模型可拆分為8部件，顯示腦的外形結(jié)構(gòu)：大腦外側(cè)面主要結(jié)構(gòu)、大腦半球內(nèi)側(cè)面和底面的主要結(jié)構(gòu)、腦干各面的主要結(jié)構(gòu)、小腦的主要結(jié)構(gòu)；腦的動脈供應(yīng)：動脈的來源、動脈在腦底面的行程和聯(lián)合情況、大小腦的動脈分布；用不同顏色標(biāo)識大腦各不同功能區(qū)域。 尺寸：自然大，20×20×15cm 材質(zhì)：PVC材料

XM-PS-1手臂靜脈穿刺及皮內(nèi)注射操作模型（帶手） ? XM-PS-1手臂靜脈穿刺及皮內(nèi)注射操作模型（帶手）皮膚采用高分子材料、血管采用乳膠材料、手臂骨采用發(fā)泡材料制成，膚質(zhì)仿真度高，皮膚紋理清晰，設(shè)有手背部的靜脈血管網(wǎng)，可進行靜脈穿刺及皮內(nèi)注射操作訓(xùn)練。 ? 一、功能特點： ■ 模型為成人前臂，可進行靜脈注射、輸液（血）操作練習(xí)。 ■ 可選擇不同類型的穿刺針進行訓(xùn)練，進針有明顯的落空感，正確穿刺有回血產(chǎn)生。 ■ 提供幾十個皮內(nèi)注射練習(xí)點，可進行皮內(nèi)注射訓(xùn)練，正確操作時會出現(xiàn)真實的皮丘，皮丘與皮試陰性結(jié)果相近，抽出液體后皮丘消失。 ■ 可反復(fù)進行練習(xí)。 ? 二、標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ 手臂靜脈穿刺及皮內(nèi)注射操作模型：1套 ■ 輸液套裝：1套 ■ 注射器：1支 ■ 說明書：1冊 ■ 保修卡合格證：1張

近年來，磁振子電子學(xué)在信息計算和信息傳輸領(lǐng)域表現(xiàn)出了極具價值的應(yīng)用潛力。磁振子電子學(xué)利用以磁振子為載體的電子自旋進動來實現(xiàn)信息處理，有望實現(xiàn)無熱量產(chǎn)生、低耗散的信息傳輸，相比于傳統(tǒng)意義上通過操縱電荷來實現(xiàn)信息的處理的微電子學(xué)具有無可比擬的巨大優(yōu)勢。磁振子電子學(xué)領(lǐng)域的進展很大程度上依賴于能夠有效傳輸磁振子的新材料的發(fā)現(xiàn)，而獲得長距離的磁振子輸運始終是磁振子電子學(xué)研究的重中之重。與通常的三維磁性絕緣體（如Yttrium Iron Garnet）相比，二維尺度下的磁振子被理論預(yù)言有很多的新穎物理效應(yīng)，例如自旋能斯特效應(yīng)，拓撲磁振子，以及外爾磁振子等。 在最新的研究文章中，量子材料科學(xué)中心韓偉課題組在二維磁性體系中展開工作并取得了重要進展，觀測到了二維反鐵磁體系中磁振子的長距離輸運。MnPS3晶體是一種層狀反鐵磁材料，利用機械剝離手段得到了二維的MnPS3薄片。MnPS3薄片上制備了用于測量磁振子輸運的非局域器件，器件結(jié)構(gòu)如圖A所示。器件左側(cè)Pt電極通過熱方法來注入磁振子，右側(cè)Pt電極探測在二維MnPS3中擴散傳輸?shù)拇耪褡印Ｔ诙S反鐵磁MnPS3中，實驗上觀測到了幾微米的磁振子擴散長度。并且從圖B中可以看出，隨著注入端和探測端距離的增加，探測到的非局域信號表現(xiàn)出e指數(shù)衰減的形式，跟一維漂移擴散模型的理論模型一致。在此基礎(chǔ)上，他們還系統(tǒng)研究了MnPS3厚度對磁振子弛豫性質(zhì)的影響。隨著MnPS3厚度從40nm降低至8nm，磁振子弛豫長度由4μm減小到1μm（圖C），這可能是由較薄的MnPS3中較強的表面雜質(zhì)散射效應(yīng)導(dǎo)致的。 該文章中的結(jié)果具有重要的學(xué)術(shù)價值：二維材料中的磁振子輸運實現(xiàn)為二維磁性材料在磁振子電子學(xué)的應(yīng)用與發(fā)展奠定了基礎(chǔ)，也有望推動磁振子在量子尺度下的新穎量子物理性質(zhì)研究。圖：二維反鐵磁體系中磁振子輸運研究。（A）二維反鐵磁MnPS3中的磁振子輸運測量結(jié)構(gòu)示意圖。（B）自旋信號R_NL^*隨電極間距的依賴關(guān)系，與理論預(yù)言的e指數(shù)衰減吻合。（C）磁振子弛豫長度隨MnPS3厚度的依賴關(guān)系。 該工作于2019年2月7日在線發(fā)表于物理學(xué)術(shù)期刊Physical Review X上(Phys. Rev. X 9, 011026 (2019) )。 DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.9.011026。該工作由韓偉研究員設(shè)計和指導(dǎo)完成，北京大學(xué)量子材料科學(xué)中心2015級博士生邢文宇為文章第一作者，物理學(xué)院2015級本科生邱露頤為第二作者（今年9月份將去哈佛大學(xué)讀博士），韓偉研究員為文章通訊作者。本工作的順利完成得到了量子材料科學(xué)中心賈爽教授和謝心澄院士的合作幫助，以及國家重大科學(xué)研究計劃、國家自然科學(xué)基金、中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項的支持。

本發(fā)明公開了一種高壓輸電線路絕緣子清掃與檢測機器人，包括可以繞旋轉(zhuǎn)軸向兩邊打開的環(huán)形框 架和控制箱，環(huán)形框架包括通過多個輔助支架固定相連的上層支架和下層支架、以及通過清掃層升降機 構(gòu)可上下移動的中層支架，上層支架上設(shè)有用于夾住絕緣子的上夾爪，上夾爪上設(shè)有檢測裝置，中層支 架上設(shè)有清掃裝置和夾持絕緣子裙部的輔助夾爪，上層支架和下層支架之間還設(shè)有通過夾爪層升降機構(gòu) 上下移動的下夾爪，與轉(zhuǎn)軸相對的環(huán)形框

近日，國防科技大學(xué)前沿交叉學(xué)科學(xué)院朱夢劍-秦石喬課題組與北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳課題組合作，設(shè)計了一種梯度表面能調(diào)控的復(fù)合型轉(zhuǎn)移媒介，實現(xiàn)了晶圓級超平整石墨烯向半導(dǎo)體襯底的干法貼合與無損釋放。