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Si基GaN功率半導體及其集成技術
電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器
電子科技大學
2021-04-10
低成本釩基固溶體貯氫合金
化石能源的枯竭和環境污染問題是推動全球新能源開發熱潮的兩大因素。氫能做為一種新型能源，以其清潔、高效、來源廣泛等優點引起了人們的廣泛關注。貯氫合金是發展歷史最長、技術最為成熟的儲氫介質，在體積儲氫密度、工作溫度、工作壓力、吸放氫動力學性能和安全性等方面都具有優勢。 常用的AB5、AB2及AB型儲氫合金的儲氫量一般都不超過2wt%，限制了其工程應用。釩鈦基儲氫合金具有超過3.8wt%的理論貯氫量，常溫附近放氫量可接近3.0wt%，熱力學及動力學性能良好，有望在燃料電池驅動的器件上得到廣泛應用。 在863和各級省市政府支持下，已經形成如下技術成果： 1.形成了具有自主知識產權的V-Ti-Cr-Fe四元合金體系，其釩含量可在20-60wt%變化； 2.這類合金多數可用價廉的FeV80中間合金制備，相對于用純金屬釩制備，合金材料成本下降到10%左右，解決了這類合金應用的成本制約因素； 3.這類合金無需活化處理，可直接在室溫下吸放氫，298K下6分鐘內合金吸氫量普遍超過3.6wt%； 截止壓為0.01MPa時，部分合金298K放氫量超過2.5wt%，278K吸氫后333K放氫量超過3.0wt%，是目前已見報道的含Fe的低成本釩鈦基儲氫合金中0.01MPa截止壓下放氫量最高的。 主要技術指標：1.298K下吸氫量大于3.6wt%。 2.截止壓力為0.01MPa時，298K下放氫量大于2wt%；部分合金的放氫量大于2.5wt%，278K吸氫后333K放氫量超過3.0wt%。 應用范圍：近年來，用質子交換膜燃料電池驅動的便攜電源、不間斷電源、燃料電池自行車、三輪代步車等在國內外市場上悄然興起，氫燃料電池汽車、潛艇等技術也逐漸成熟并形成市場，釩鈦基貯氫合金可以作為氫源為質子交換膜電池提供氫氣。
四川大學
2021-04-11
4-哌啶基哌啶的生產技術
本發明涉及一種治療腫瘤藥物的新的制備方法。 癌癥是人類健康的大敵，目前的抗癌藥物大都存在著較大的副作用，限制了用藥量， 從而降低了療效。另外，如果患者長期服用某一種抗腫瘤藥物，腫瘤細胞就會產生抗藥 性，抑制了療效的發揮。4-哌啶基哌啶能夠抑制腫瘤細胞的繁殖，溶解其他抗腫瘤藥物 的抗體，當它與其他抗腫瘤藥物配合使用時，能夠大大提高它們的抗腫瘤效果。因此， 能夠解決癌癥治療中存在的藥量受限，副作用大，抗藥性等問題。同時，4-哌啶基哌啶 也是合成其他抗腫瘤藥物的一個非常重要的中間體。因此，4-哌啶基哌啶的制備對于癌 癥的治療具有重要的意義。 本發明提供了一種腫瘤治療藥物 4-哌啶基哌啶的全合成制備方法。 本發明采用廉價，易得的芐胺和丙烯酸甲酯為起始原料，依次經過 1，4-加成反應， 迪克曼（Dieckmann）縮合反應，水解脫羧反應，1，2-加成反應，和氫解反應最終制得 本發明的最終產物 4-哌啶基哌啶。發明所用的原料來源廣，供應充足，價格便宜且反應 條件溫和易于控制，無須復雜的實驗設備，易于實際工業化生產。
同濟大學
2021-04-13
分子基光催化產氫器件多相化
在利用太陽能分解水制取氫氣的催化劑研究上取得新進展。該研究工作借鑒自然界光合作用，在多個光敏中心多個催化中心產氫器件構筑的基礎上，進一步將其植入到金屬有機框架材料中，模擬自然界酶催化環境中質子和電子的傳輸與轉移，在有效規避分子基催化劑穩定性差的同時，極大地提高了光催化產氫性能，為人工模擬光催化劑的設計和構筑提供了新的思路。? 人工模擬光合作用，利用太陽能在催化劑作用下分解水制取氫氣，是實現將太陽能轉化為清潔的化學能，解決人類社會面臨的能源危機和環境污染問題的理想途徑。在早期，我?；瘜W學院蘇成勇教授和石建英副教授研究團隊發展了空間上相互獨立、功能上相互等價，集合8個光敏金屬有機釕中心和6個催化Pd2+中心于一體的金屬-有機分子籠產氫器件[Pd6(RuL3)8]28+(MOC-16)，在單一分子籠內構筑出多個相互獨立的能量傳遞和電子轉移通道，獲得了高達380 μmol h-1的初始產氫速率和635的TON(48h) [Nature Communications, 2016, 7: 13169]。雖然金屬有機分子籠提高了分子基催化劑的產氫性能，但光照條件下的穩定性仍然是制約其進一步應用的決定因素。 最近，我校化學學院蘇成勇教授和石建英副教授研究團隊又基于配位組裝策略實現了Au25(SG)18納米簇在金屬有機ZIF-8主體框架內部和外表面的可控組裝[Advanced Materials, 2018, 30,1704576]。采用相似策略，他們將MOC-16植入到ZIF-8主體內，進一步將ZIF-8轉化為Znx(MeIm)x(CO3)x (CZIF)，獲得了MOC-16@CZIF催化劑。
中山大學
2021-04-13
新型硅基環柵納米線MOS?器件
已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎上，通過高級刻蝕技術形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結合，最終形成全隔離硅基環柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結構。
中國科學院大學
2021-01-12
陽離子基阻變器件電流-保持特性
已有樣品/n通過石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數量，集中化/離散化陽離子基阻變器件中導電通路的分布來調控其穩定性,此工作是該領域首次在相同結構阻變器件中實現電流-保持特性的雙向調控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調控方法，也能夠移植應用到離子電池，離子傳感等研究領域。
中國科學院大學
2021-01-12
制作斜面培養基的可調式支架
本實用新型公開一種制作斜面培養基的可調式支架，包括底板以及垂直設置在底板上的支撐座、限位板和支撐板，底板上還設置有滑軌，限位板和支撐板可沿所述滑軌左右滑動；支撐座上設置有支撐凹槽，限位板上設置有限位通孔，支撐板上設置有卡槽；本實用新型通過左右滑動支撐板改變試管的傾斜角度，并通過滑動限位板實現限位，達到一架多用的目的，有效保證了培養基在制作過程中的穩定性，且支撐板的高度可設計成高度可調的形式，進一步擴寬應用范圍；另外在底板上設置有刻度線、凸板上設置標示卡，方便實驗人員進行記錄和觀察，操作方便，結構設計簡單，保證了實驗的穩定性，具有廣泛的實用價值。
青島農業大學
2021-04-13
天然高分子基醫用植物膠囊（產品）
成果簡介：傳統膠囊囊殼基本由動物明膠構成，其易失水硬化、吸潮軟化，遇醛類易交聯，再加上國際穆斯林、猶太教和素食協會等特殊文化人群的抵 制，使植物膠囊成為傳統膠囊優選的替代產品。但國產的植物膠囊骨架材料——羥丙基甲基纖維素(HPMC)性能不達標。本技術解決了植物膠囊專用醫藥 級 HPMC 研發、應用，及其膠囊母料復配技術與加工成型難題。膠囊的制備 充分利用現有明膠生產設備與條件，在不改動或少改動膠囊加工設備的前提 下，調整溶液濃度、成型工藝，控制烘干溫度、風速、時間來調整膠囊的形狀、厚度及透明度、脫
北京理工大學
2021-04-14
基于絲蛋白基的天然化妝品
中國化妝品市場增速始終高于世界平均水平。數據顯示，2017年全國化妝品市場規模達到3616億元，同比增速達到10%。從增速來看，自2012年到2015年我國化妝品市場規模增速不斷下滑，到2017年增速明顯提升，未來發展空間巨大。
從化妝品品類上看，我國化妝品市場表現出鮮明的地域特色。在我國，全球彩妝品類占比為14%，我國僅為9.5%，全球香水品類約占比為10.62%，而我國僅為1.70%。護膚品是化妝品中的膚用化妝品子類，主要具有清潔皮膚及補充皮膚養分等功能，如洗面奶、面霜、面膜等。目前市場規模呈高速膨脹態勢，行業仍處于成長期。
護膚品包括面部護理、身體護理、手部護理和護理套裝四大品類，是化妝品行業中規模最大的子行業。2014年中國護膚品市場規模突破1500億元，2017年達到1787億元，到2020年，我國護膚品市場規模將突破2000億元。
浙江大學
2023-05-10
Si基GaN功率半導體及其集成技術
特色及先進性；技術指標 電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結構（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結構如圖2所示。新結構較傳統GaN整流器具有更小的導通電阻，更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統SBD正向開啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓（0.6V）和導通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標準，MG-HAD在常溫下擊穿電壓超過1.1kV的儀器測量極限，150 ℃高溫下擊穿電壓為770V。本器件結果能同時具有低導通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報道中為第二高值，見圖5所示。
電子科技大學
2016-06-08