葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

本項目針對目前國內(nèi)撓性印制線路板及材料在生產(chǎn)及應用中存在的問題，在研究團隊前期開發(fā)的高模 低縮聚酰亞胺薄膜配方體系的基礎上，從市場需求及產(chǎn)業(yè)化的角度，優(yōu)選具有顯著分子間相互作用力的體 系，開展聚合物前驅(qū)體聚酰胺酸膠液的實驗室小試、中試及產(chǎn)業(yè)化規(guī)模制備、膠液流延和薄膜制備過程中 的關鍵技術研究，獲得一套穩(wěn)定可靠的產(chǎn)業(yè)化工藝參數(shù)，制備具有自主知識產(chǎn)權的新型高模低縮聚酰亞胺 薄膜產(chǎn)品，打破該產(chǎn)品國外壟斷的局面。

本項目揭示了采動影響區(qū)內(nèi)頂板巖層裂隙 的動態(tài)演化規(guī)律和采空區(qū)側“豎向裂隙發(fā)育區(qū)” 的形成規(guī)律；研制了新型充填材料；創(chuàng)新了無 煤柱快速沿空留巷、Y型通風、留巷鉆孔抽采 卸壓瓦斯等關鍵技術，解決了煤與瓦斯共采的 關鍵技術難題。

相關研究工作已發(fā)表論文 3 篇，授權國家發(fā)明專利 3 項

簡介：本發(fā)明公開了一種基于氯化膽堿?木糖醇低共熔溶劑的電鍍錫方法，屬于電鍍技術領域。該方法首先將木糖醇、氯化膽堿和蒸餾水恒溫攪拌得到透明的低共熔溶劑，接著將氯化亞錫加入到低共熔溶劑中再恒溫攪拌得到含錫的低共熔溶劑，以此作為電鍍液；將純錫板作為陽極，低碳鋼作為陰極，浸入到電鍍液中進行恒電流電鍍。本發(fā)明鍍錫工藝安全無毒、環(huán)保節(jié)約，解決了氟硼酸鹽鍍錫、鹵化物鍍錫等工藝存在的環(huán)境污染問題。

本發(fā)明公開了一種均相制備低脫乙酰度羧基甲殼素的方法及其應用。首先將甲殼素加入到氫氧化鈉 和尿素的混合水溶液中制得均相甲殼素水溶液，再加入含羧基化試劑的水溶液在均相甲殼素水溶液里攪 拌反應，經(jīng)后處理得到低脫乙酰度羧基甲殼素。本發(fā)明方法制備工藝簡單，產(chǎn)品取代度均勻易控，產(chǎn)率 高，且反應條件溫和，為環(huán)境友好的綠色工藝，利于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn);甲殼素基本上未降解，制得的 一些低脫乙酰度羧基甲殼素具有 pH 敏感性和溫度敏感性，可作為藥物載體材料使用。本發(fā)明制得的水 溶性高粘度產(chǎn)品為天然原材

該成果涉及食品生物等高新技術領域，是一種具有抑制腐敗作用的低值魚蛋白深度酶解的方法。通過創(chuàng)造性地在低值魚酶解過程中不斷通入凈化空氣或氧氣，抑制和殺滅引致水解物腐敗變質(zhì)的厭氧菌；利用內(nèi)切蛋白酶與外切蛋白酶的協(xié)同作用，明顯提高了魚蛋白水解效率，可得水解度大于65%，氮回收率大于85%的低值魚蛋白深度酶解液，顯著降低了低值魚酶解成本。 該成果避免現(xiàn)有技術采用化學殺菌劑所導致的對蛋白酶活性的抑制、化學殺菌劑殘留的問題，以及使用熱殺菌方法所導致的降低魚蛋白水解效率的問題，解決了低值魚酶解過程易

本發(fā)明提出了一種基于魯棒低秩張量的高光譜圖像去噪方法，包括建立高光譜圖像噪聲的數(shù)學模型， 構造高光譜圖像魯棒低秩張量（RLRTR）去噪模型，求解 RLRTR 去噪優(yōu)化模型。本發(fā)明充分利用高光 譜圖像（HSI）的先驗知識，高光譜圖像被不同的噪聲污染，如高斯噪聲、脈沖噪聲、死像素和條帶噪 聲等。利用干凈的高光譜圖像數(shù)據(jù)具有潛在的低秩張量特性以及異常和非高斯噪聲具有稀疏性的特性， 同時分別采用核范數(shù)和 l2,1 范數(shù)來表征低秩和稀疏特性；本發(fā)明的技術

本項目提出并發(fā)展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現(xiàn)了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統(tǒng)外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。 一、項目分類 重大科學前沿創(chuàng)新 二、成果簡介 基于新材料、新架構的硅基高密度集成信息功能器件的自主發(fā)展是國家重大戰(zhàn)略需求。本項目圍繞新型低維半導體材料的大規(guī)模可控制備、物性調(diào)控及其電子、光電器件展開系統(tǒng)研究，主要技術創(chuàng)新點有： 一、二維半導體材料及其異質(zhì)結構的大規(guī)模可控制備。本項目提出并發(fā)展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現(xiàn)了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統(tǒng)外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。在晶圓級二維半導體材料的基礎上構建出大規(guī)模的二維異質(zhì)結構，得到了具有高可靠性和穩(wěn)定性的集成器件。相關成果發(fā)表在Science Advances、Advanced Materials等國際知名刊物上，共計40余篇，授權專利16項；與中國電子科技集團公司第十三研究所等合作，成功實現(xiàn)了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質(zhì)量外延，為第三代半導體的硅基集成提供了新的技術路線。 二、基于低維半導體材料的高靈敏光電器件。本項目通過發(fā)展高質(zhì)量硫族半導體的外延生長新工藝，系統(tǒng)研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導體材料的光電性質(zhì)，極大地拓展了傳統(tǒng)的半導體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質(zhì)結構筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢壘，獲得了高性能二維異質(zhì)結光電器件；發(fā)展了納米線場效應晶體管器件表面修飾方法，調(diào)節(jié)晶體管特性為強增強型，利用這種設計，實現(xiàn)了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測器件。本項目實現(xiàn)了從深紫外區(qū)到中遠紅外區(qū)的寬波段高靈敏度檢測，相關成果發(fā)表在Science Advances、ACS Nano等國際知名刊物上，共計30余篇，授權專利6項。 三、后摩爾時代新型低維電子信息器件。本項目基于低維半導體材料及其異質(zhì)結構的物性調(diào)控，首次提出了二維半導體材料中的“增強陷阱效應”物理模型，實現(xiàn)了高性能的亞帶隙紅外探測器和非易失性光電存儲器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場依賴性，在二維黑磷晶體管中實現(xiàn)了室溫負微分電阻特性；通過構筑亞5 nm溝道二維鐵電負電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創(chuàng)新性的提出多層二維范德華非對稱異質(zhì)結構，實現(xiàn)了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當時最高指標；發(fā)展了新型存算一體架構電子器件技術，首次演示了兼具信息存儲和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當前算力瓶頸，提供集成電路發(fā)展的新途徑。相關成果發(fā)表在Nature Electronics、Nature Communications等國際知名刊物上，共計60余篇，授權專利7項。

本發(fā)明涉及一種新型介孔碳擔載的金屬催化劑及其制備方法，金屬催化劑由金屬粒子0.01wt％～90wt％和介孔碳載體10wt％～99.99wt％組成，介孔碳載體由雜原子摻雜的介孔碳材料制成，該雜原子摻雜的介孔碳材料是以含有雜原子的離子液體為單體，與模板劑在室溫下混合，然后在400～1000℃下煅燒1～6小時，冷卻至室溫，最后除去模板劑制得，金屬粒子的平均粒徑為1～100nm，介孔碳材料中雜原子的質(zhì)量分數(shù)為0.01wt％～80wt％。本發(fā)明催化劑可以通過氮、硫、磷、硼、氟等雜原子的摻雜調(diào)控納米金屬的價態(tài)以及金屬在載體表面的沉積與分散，從而有利于增強其催化活性。另外，催化劑制備簡單，對水、空氣和熱穩(wěn)定。

本發(fā)明公開了一種以智能物流叉車為載體的碳排放智能監(jiān)控和減排系統(tǒng)，包括能讀取物流中心訂單數(shù)據(jù)庫中訂單信息的碳排放智能減排監(jiān)控系統(tǒng)、設于智能物流叉車上的智能物流叉車硬件終端，智能物流叉車硬件終端包括：碳排放檢測裝置、ＧＰＳ定位裝置及能控制智能物流叉車動作的中央處理器，中央處理器能將碳排放量信息與位置信息發(fā)送給碳排放智能減排監(jiān)控系統(tǒng)；碳排放智能減排監(jiān)控系統(tǒng)能根據(jù)碳排放量信息與位置信息、并以低碳節(jié)能的執(zhí)行原則將訂單分配給中央處理器，又能自動規(guī)劃出叉車最優(yōu)作業(yè)路徑，中央處理器會根據(jù)最優(yōu)作業(yè)路徑及分配訂單進行作