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本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過(guò)對(duì)于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進(jìn)一步開(kāi)發(fā)，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進(jìn)一步提升器件的光溢出效率。 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 成果源于國(guó)家自然科學(xué)基金“異價(jià)摻雜量子點(diǎn)的合成、聚合物基復(fù)合塊體3D打印制造與性能研究”，項(xiàng)目編號(hào)51872030。本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過(guò)對(duì)于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進(jìn)一步開(kāi)發(fā)，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進(jìn)一步提升器件的光溢出效率。傳統(tǒng)發(fā)光器件由于器件材料的折射率高于空氣，光從器件內(nèi)部向空氣傳播時(shí)，部分光會(huì)在器件的內(nèi)表面發(fā)生全反射，從而無(wú)法實(shí)現(xiàn)高效的光溢出效果。2017年，Nature Photonics上報(bào)道的塊體熒光器件內(nèi)部發(fā)出的光大量的在器件邊緣聚集（75%），正面與背面光溢出量的總和僅僅為25%(Nature Photonics, 2017,11,177-185.)。本成果以器件內(nèi)部微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑為基礎(chǔ)，通過(guò)微結(jié)構(gòu)在器件內(nèi)部的全反射界面構(gòu)筑，改變光在材料內(nèi)部的傳輸路徑，實(shí)現(xiàn)器件正面的光溢出效果增強(qiáng)。 本專利的高光溢出效果可以廣泛的應(yīng)用于激光器、LED照明領(lǐng)域，提升能源利用效率。目前本專利可以將塊體材料單側(cè)約為~25%的溢出效率提升至~80%，約為3.2倍的提升。保守估計(jì)將此技術(shù)用于實(shí)際器件中，可以實(shí)現(xiàn)2倍以上的提升，這就意味著對(duì)于能源的消耗可以降低至原有的50%。照明約占全球能源消耗的15%-19%，全球溫室氣體排放的5%-6%。據(jù)統(tǒng)計(jì)2021年，全球照明市場(chǎng)總市值達(dá)到8089億元。照明技術(shù)是任何一個(gè)國(guó)家與地區(qū)都不可或缺的，高效的照明技術(shù)不僅可以為解決全球的能源危機(jī)提供有效解決途徑，同時(shí)為減少碳排放作出巨大貢獻(xiàn)，產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)效益。

中國(guó)是凹凸棒石粘土礦的資源大國(guó)，但是由于成礦條件的苛刻，天然凹凸棒石粘土存在著一定的礦物學(xué)局限性。比如氣候條件、地質(zhì)環(huán)境與礦床成分的不同，都會(huì)影響凹凸棒石粘土的形成、晶體發(fā)育、元素組成等，所以，含量較高、單晶體發(fā)育良好的礦床很少，極大部分的天然凹凸棒石粘土礦物中凹凸棒石粘土的含量都低于50%，通常，在凹凸棒石粘土礦物開(kāi)采之后，都要對(duì)其進(jìn)行提純處理，將其中的伴生礦物與之分離，同時(shí)，在提純過(guò)程中減小礦物粒徑，提高分散性，使包含于凹凸棒石粘土聚集體中以及晶體束中間的雜質(zhì)去除，獲得均勻、完整的凹凸棒石粘土粒子，以便進(jìn)行工業(yè)化的應(yīng)用或是進(jìn)一步的純化與改性處理。 成果亮點(diǎn) 針對(duì)凹凸棒石礦物資源特點(diǎn)，如雜質(zhì)多并夾在其纖維束中，礦粒之間存在相互交叉、包覆，提純難度較大等問(wèn)題，進(jìn)行系統(tǒng)分析，確定其組份、形貌以及粒徑分布等物理性能，針對(duì)其雜質(zhì)成分，研究出一種易于對(duì)其工業(yè)化提純的綜合改性方法，獲得低成本的納米級(jí)凹凸棒石材料，為凹凸棒石后續(xù)的應(yīng)用創(chuàng)造良好的條件。

安徽青軟晶芒微電子科技有限公司，位于安徽省合肥市國(guó)家高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)面向集成電路人才培養(yǎng)的實(shí)體企業(yè)，青軟晶芒攜手擁有5000顆芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的集成電路產(chǎn)教融合和設(shè)計(jì)服務(wù)平臺(tái)——青軟晶尊微電子，共同打造面向國(guó)內(nèi)提供集成電路領(lǐng)域產(chǎn)教融合整體解決方案的領(lǐng)先企業(yè)。 青軟晶芒致力于打造集成電路人才培養(yǎng)新模式，通過(guò)集成電路產(chǎn)業(yè)學(xué)院共建/專業(yè)共建，產(chǎn)教融合平臺(tái)共建，集成電路大賽，師資培共建，實(shí)驗(yàn)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)訓(xùn)，工信部培訓(xùn)認(rèn)證，新工科優(yōu)訓(xùn)營(yíng)，課程改革等多種合作模式，推動(dòng)集成電路教育與產(chǎn)業(yè)的無(wú)縫銜接，為客戶創(chuàng)造價(jià)值。 青軟晶芒擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)集成電路設(shè)計(jì)專利證書，軟件著作權(quán)等十余項(xiàng)，愿通過(guò)校企合作和院校一起為集成電路人才培養(yǎng)做出貢獻(xiàn)。

青島青軟晶尊微電子科技有限公司，是國(guó)內(nèi)面向集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域提供產(chǎn)教融合整體解決方案的領(lǐng)先企業(yè)。具有五千顆芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)與教育培訓(xùn)公司。公司以青島總部為中心，先后成立南京子公司、上海分公司、安徽子公司等，全面輻射長(zhǎng)三角經(jīng)濟(jì)帶，形成東部沿海發(fā)展網(wǎng)絡(luò)，打造國(guó)內(nèi)一流的集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)與教育培訓(xùn)基地。同時(shí)借助臺(tái)灣業(yè)務(wù)平臺(tái)，開(kāi)拓國(guó)際業(yè)務(wù)，積極部署國(guó)際化發(fā)展戰(zhàn)略。 青軟晶尊集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)始于1996年，為國(guó)內(nèi)最早從事集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)的企業(yè)，公司擁有20余年的集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，向客戶提供高速DDR存儲(chǔ)類芯片、固態(tài)射頻IC、MCU、電源管理、LCD液晶驅(qū)動(dòng)、AD/DA轉(zhuǎn)換芯片等不同功能、不同工藝廠商芯片的設(shè)計(jì)服務(wù)。為客戶累計(jì)完成5000余顆芯片的設(shè)計(jì)。公司依據(jù)高品質(zhì)的設(shè)計(jì)服務(wù)能力，在美國(guó)、日本、臺(tái)灣及國(guó)內(nèi)積累了長(zhǎng)期、穩(wěn)定的客戶群體，如Ti、AMD、TOSHIBA、TSMC、MTK等全球知名集成電路企業(yè)，并通過(guò)國(guó)際DNV信息安全風(fēng)險(xiǎn)管理體系認(rèn)證。

專利內(nèi)容是本發(fā)明針對(duì)背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其液相外延制備方法，本發(fā)明得到的釔鐵石榴石單晶薄膜的鐵磁共振線寬很窄，達(dá)到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、應(yīng)力、含鉛量、雜相等都得到了較大的改善。

本發(fā)明提供了一種用于三層結(jié)構(gòu)薄膜的接料裝置，包括接料底板，設(shè)置在接料底板的一相對(duì)兩側(cè)，用于提供粘結(jié)膠帶的粘結(jié)膠帶組件；設(shè)置在接料底板的另一相對(duì)兩側(cè)，用于對(duì)接薄膜整齊對(duì)位的膠帶糾偏組件；設(shè)置在接料底板上用于接料時(shí)固定對(duì)接薄膜的壓合組件；以及設(shè)置在接料底板上方用于夾持三層結(jié)構(gòu)薄膜各層的夾持組件。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)三層結(jié)構(gòu)薄膜的分層對(duì)接，整個(gè)裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，易于實(shí)現(xiàn)。

一種機(jī)械疊層ALSB/CIS薄膜太陽(yáng)電池,屬于一種半導(dǎo)體薄膜太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),它是由ALSB頂電池機(jī)械疊合在CIS底電池上而成的雙結(jié)四端薄膜太陽(yáng)電池。其中ALSB頂電池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉積N型摻鋁氧化鋅導(dǎo)電層,然后沉積氧化鋅高阻層,再沉積硫化鎘緩沖層,隨后沉積銻化鋁吸收層以及碳納米管涂層作為透明導(dǎo)電層,最后,沉積鎳/鋁柵線而制成的太陽(yáng)電池;而CIS底電池,指的是在SODA LIME玻璃上沉積鉬,然后沉積吸收層硒銦銅,再沉積緩沖層硫化鎘,隨后沉積高阻氧化鋅和摻鋁氧化鋅,最后沉積與頂電池相同形狀和大小的鎳/鋁柵線而制成的太陽(yáng)電池。采用上述結(jié)構(gòu)的疊層電池,可以選擇性地吸收和轉(zhuǎn)化太陽(yáng)光譜的不同區(qū)域的能量,擴(kuò)展光譜響應(yīng)的范圍,有效地提高薄膜太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率。

其他成果/n本發(fā)明公開(kāi)了一種安裝在汽車進(jìn)氣系統(tǒng)上的薄膜吸振器，用于消除由進(jìn)氣系統(tǒng)引起的至少一種車內(nèi)噪聲，所述汽車進(jìn)氣系統(tǒng)包括依次連接的進(jìn)氣管、空氣濾清器和出氣管，該吸振器包括開(kāi)設(shè)在所述進(jìn)氣管振動(dòng)異常處的開(kāi)孔以及密封覆蓋在所述開(kāi)孔外側(cè)的薄膜，所述開(kāi)孔的孔徑小于進(jìn)氣管的直徑。本發(fā)明在不增加進(jìn)氣系統(tǒng)降噪空間的前提下，以及合理的成本控制下，可以有效改善進(jìn)氣系統(tǒng)低、中、高各頻率段噪聲。

  巨霍爾效應(yīng)是納米鐵磁金屬顆粒薄膜中反常霍爾效應(yīng)的巨大增強(qiáng)現(xiàn)象,是納米材料的新效應(yīng),本課題利用巨霍爾效應(yīng)原理,制備出磁場(chǎng)靈敏度高達(dá)125AT、具有實(shí)用價(jià)值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應(yīng)用于霍爾器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實(shí)用意義的新型霍爾器件原型。    本課題的研究,率先將納米體系的新效應(yīng)巨霍爾效應(yīng)原理應(yīng)用于傳感器件領(lǐng)域,制備出具有實(shí)用價(jià)值的新型納米材料及微型霍爾器件,具有原始創(chuàng)新性。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體霍爾器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應(yīng)的霍爾器件具有體積小、制備工藝簡(jiǎn)單、高度集成、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn),因此具有更為重要的應(yīng)用價(jià)值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異、抗核輻射等優(yōu)點(diǎn),在微弱磁場(chǎng)探測(cè)、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途,市場(chǎng)前景廣闊。   本課題利用巨霍爾效應(yīng)原理,首次制備出磁場(chǎng)靈敏度高達(dá)125VAT、具有實(shí)用價(jià)值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應(yīng)用于霍爾器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實(shí)用意義的新型霍爾器件原型。主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)有將稀磁半導(dǎo)體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實(shí)用價(jià)值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應(yīng)的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應(yīng)用于傳感器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實(shí)用意義的新型霍爾器件。    主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)有將稀磁半導(dǎo)體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實(shí)用價(jià)值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應(yīng)的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應(yīng)用于傳感器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實(shí)用意義的新型霍爾器件。相關(guān)成果已獲國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)九項(xiàng)。    本課題的研究,將巨霍爾效應(yīng)這一納米體系的新效應(yīng)應(yīng)用于器件領(lǐng)域,以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現(xiàn)有霍爾器件的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,是一個(gè)全新的技術(shù),取得了多項(xiàng)具有原始創(chuàng)新性的技術(shù)成果,進(jìn)一步推進(jìn)了納米材料在新材料技術(shù)、電子信息技術(shù)等領(lǐng)域]應(yīng)用    應(yīng)用狀況:    與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體霍爾傳感器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應(yīng)的霍爾傳感器件具有體積小、制備工藝簡(jiǎn)單、高度集成、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn),因此具有更為重要的應(yīng)用價(jià)值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異抗核輻射等優(yōu)點(diǎn),在微弱磁場(chǎng)探測(cè)、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場(chǎng)前景廣闊。