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本發(fā)明公開(kāi)了一種用于光纖激光器的包層光剝離器及其制作方 法，該剝離器包括包層光纖、多段光柵和冷卻管套，其制作方法是在 裸露的光纖內(nèi)包層外表面上涂覆折射率大于或等于內(nèi)包層折射率的紫 外光刻膠，然后在紫外光刻膠上刻蝕多段光柵，通過(guò)多段光柵的衍射 將內(nèi)包層內(nèi)殘余光剝離出來(lái)；將制作好的多段光柵套在金屬管中，并 用密封套密封，該金屬管壁鋪滿(mǎn)吸熱材料，將剝離出的內(nèi)包層光吸收， 通入流通的冷卻水將產(chǎn)生的熱量帶走。本發(fā)明通過(guò)采用不同

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于光纖激光器的包層光剝離器及其制作方 法，該剝離器包括包層光纖、多段光柵和冷卻管套，其制作方法是在 裸露的光纖內(nèi)包層外表面上涂覆折射率大于或等于內(nèi)包層折射率的紫 外光刻膠，然后在紫外光刻膠上刻蝕多段光柵，通過(guò)多段光柵的衍射 將內(nèi)包層內(nèi)殘余光剝離出來(lái)；將制作好的多段光柵套在金屬管中，并 用密封套密封，該金屬管壁鋪滿(mǎn)吸熱材料，將剝離出的內(nèi)包層光吸收， 通入流通的冷卻水將產(chǎn)生的熱量帶走。本發(fā)明通過(guò)采用不同結(jié)構(gòu)的光 柵來(lái)調(diào)整包層光的透過(guò)率,達(dá)到高效均勻剝離的目的，避免剝離器出現(xiàn) 過(guò)熱點(diǎn)，保

在現(xiàn)有聚酯生產(chǎn)工藝基礎(chǔ)上，廣譜型抗紫外納米復(fù)合粉體與PET聚酯的復(fù)合將賦予PET聚酯以良好的抗紫外性能，同時(shí)可改善聚酯的力學(xué)性能，對(duì)提升滌綸聚酯的附加值和提高我國(guó)滌綸纖維的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)能力具有重要意義，同時(shí)也有利于該技術(shù)的推廣和應(yīng)用。本技術(shù)制備了納米TiO ?2/ZnO和TiO 2 -SiO 2 -ZnO復(fù)合粉體。TiO 2 -SiO 2 -ZnO復(fù)合粉體的紫外性能在350-400nm波段內(nèi)比金紅石型TiO2明顯改善。原位聚合法制備了抗紫外復(fù)合粉體復(fù)合滌綸聚酯?？棺贤饧{米復(fù)合顆粒在PET基體中的分散均勻，團(tuán)聚體的尺度在50-90nm之間，復(fù)合聚酯的特性粘度、熔點(diǎn)、羧基含量、凝聚粒子和二甘醇含量等重要指標(biāo)均符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。高比表面的顆粒作為異相成核劑，提高了PET的結(jié)晶度，加快了PET聚酯的結(jié)晶速率。隨著復(fù)合顆粒的增加，抗紫外PET復(fù)合聚酯體系表觀剪切粘度隨納米粒子含量的升高逐漸下降。加入復(fù)合抗紫外顆粒后對(duì)PET的熱穩(wěn)定性影響不大。

在現(xiàn)有聚酯生產(chǎn)工藝基礎(chǔ)上，廣譜型抗紫外納米復(fù)合粉體與PET聚酯的復(fù)合將賦予PET聚酯以良好的抗紫外性能，同時(shí)可改善聚酯的力學(xué)性能，對(duì)提升滌綸聚酯的附加值和提高我國(guó)滌綸纖維的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)能力具有重要意義，同時(shí)也有利于該技術(shù)的推廣和應(yīng)用。 本技術(shù)制備了納米TiO2/ZnO和TiO2-SiO2-ZnO復(fù)合粉體。TiO2-SiO2-ZnO復(fù)合粉體的紫外性能在350-400nm波段內(nèi)比金紅石型TiO2明顯改善。原位聚合法制備了抗紫外復(fù)合粉體復(fù)合滌綸聚酯。 抗紫外納米復(fù)合顆粒在PET基體中的分散均勻，團(tuán)聚體的尺度在50-90nm之間，復(fù)合聚酯的特性粘度、熔點(diǎn)、羧基含量、凝聚粒子和二甘醇含量等重要指標(biāo)均符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。高比表面的顆粒作為異相成核劑，提高了PET的結(jié)晶度，加快了PET聚酯的結(jié)晶速率。隨著復(fù)合顆粒的增加，抗紫外PET復(fù)合聚酯體系表觀剪切粘度隨納米粒子含量的升高逐漸下降。加入復(fù)合抗紫外顆粒后對(duì)PET的熱穩(wěn)定性影響不大。

傳統(tǒng)的CCD、CMOS硅基成像器件都不能響應(yīng)紫外波段的光信號(hào)，這是因?yàn)樽贤獠ǘ蔚墓獠ㄔ诙嗑Ч柚写┩干疃群苄。?lt;2nm）。但是近年來(lái)隨著紫外探測(cè)技術(shù)的日趨發(fā)展，人們?cè)絹?lái)越需要對(duì)紫外波段進(jìn)行更深的探測(cè)分析與認(rèn)識(shí)。紫外探測(cè)技術(shù)是繼激光探測(cè)技術(shù)和紅外探測(cè)技術(shù)之后發(fā)展起來(lái)的又一軍民兩用光電探測(cè)技術(shù)。幾十年來(lái)，紫外探測(cè)技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測(cè)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對(duì)現(xiàn)代科研、國(guó)防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國(guó)內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是應(yīng)用最廣泛的光電探測(cè)器件。當(dāng)前最先進(jìn)的光譜儀器大都采用了CCD或CMOS作為探測(cè)器件，這是因?yàn)镃CD、CMOS具有靈敏度強(qiáng)、噪聲低、成像質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn)。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很?。?lt;2nm），CCD、CMOS等在紫外波段響應(yīng)都很弱。成像器件的這種紫外弱響應(yīng)限制了其在先進(jìn)光譜儀器及其他領(lǐng)域紫外波段探測(cè)的使用。 在技術(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家,寬光譜響應(yīng)范圍、高分辨率、高靈敏度探測(cè)器CCD已經(jīng)廣泛應(yīng)用于高檔光譜儀器中。上世紀(jì)中葉美國(guó)Varian公司開(kāi)發(fā)的Varian700 ICP-AES所使用的寬光譜CCD檢測(cè)器分辨率達(dá)0.01nm,光波長(zhǎng)在600nm和300nm時(shí)QE分別達(dá)到了84%和50%；美國(guó)熱電公司開(kāi)發(fā)的CAP600 系列ICP所用探測(cè)器光譜響應(yīng)范圍更是達(dá)到165～1000nm，在200nm時(shí)的分辨率達(dá)到0.005nm.法國(guó)Johinyvon的全譜直讀ICP，其所用的CCD探測(cè)器像素分辨率達(dá)0.0035nm,紫外響應(yīng)拓展到120nm的遠(yuǎn)紫外波段。德國(guó)斯派克分析儀器公司的全譜直讀電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀一維色散和22個(gè)CCD檢測(cè)器設(shè)計(jì)，其光譜響應(yīng)范圍為120－800nm。德國(guó)耶拿JENA 連續(xù)光源原子吸收光譜儀contrAA采用高分辨率的中階梯光柵和紫外高靈敏度的一維CCD探測(cè)器，分辨率達(dá)0.002nm,光譜響應(yīng)范圍為189—900 nm?？偠灾?，發(fā)達(dá)國(guó)家在寬光譜響應(yīng)和高分辨率高靈敏度探測(cè)器件的研制領(lǐng)域已取得相當(dāng)?shù)某删?。主要技術(shù)指標(biāo)和創(chuàng)新點(diǎn)（1）  我們?cè)趪?guó)內(nèi)首次提出紫外增強(qiáng)的硅基成像器件，并在不改變傳統(tǒng)硅基成像探測(cè)器件的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，利用鍍膜的方法增強(qiáng)成像探測(cè)器件CCD、CMOS的紫外響應(yīng)，使其光譜響應(yīng)范圍拓寬到190—1100nm，實(shí)現(xiàn)對(duì)190nm以上紫外光的探測(cè)。（2）  提高成像探測(cè)器的紫外波段靈敏度，達(dá)到0.1V/lex.s。（3）  增強(qiáng)成像探測(cè)器件的紫外響應(yīng)的同時(shí)，盡量不削弱探測(cè)器件對(duì)可見(jiàn)波段的響應(yīng)。（4）  選用適合的無(wú)機(jī)材料，克服有機(jī)材料使用壽命短的缺陷。 紫外探測(cè)技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測(cè)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對(duì)現(xiàn)代科研、國(guó)防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國(guó)內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件，該設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)CCD、CMOS結(jié)合，能滿(mǎn)足寬光譜光譜儀器所需的紫外響應(yīng)探測(cè)器的需要。能提高光譜儀器光譜響應(yīng)范圍，在科學(xué)實(shí)驗(yàn)和物質(zhì)分析和檢測(cè)中具有很廣的市場(chǎng)前景。 該設(shè)計(jì)樣品能取代傳統(tǒng)CCD、CMOS，應(yīng)用于大型寬光譜光譜儀器上，作為光譜儀的探測(cè)器件。將傳統(tǒng)光譜儀器的光譜檢測(cè)范圍拓寬到190—1100nm. 實(shí)現(xiàn)紫外探測(cè)和紫外分析。具有較強(qiáng)的市場(chǎng)推廣應(yīng)用價(jià)值。

自主規(guī)劃路徑 多模式室內(nèi)無(wú)人駕駛技術(shù)

產(chǎn)品詳細(xì)介紹1. 全封閉式暗箱和紫外防護(hù)板兩種設(shè)計(jì)，方便客戶(hù)根據(jù)實(shí)際需求選擇2. 根據(jù)紫外透射面積不同分為三種型號(hào)：UV3A   150mm×100mm                                UV3B   150mm×200mm                                UV3C   200mm×200mm3. 雙面拋光紫外玻璃厚度均勻，透射率高，觀察時(shí)無(wú)燈管陰影、背景清晰4. 透射波長(zhǎng)：312nm5. 采用高頻電子控制，節(jié)能，啟動(dòng)快，無(wú)閃爍，有效延長(zhǎng)燈管壽命6. 強(qiáng)力風(fēng)扇散熱，有效防止燈管熱量對(duì)凝膠樣品的影響7. UV3C增置254nm、365nm紫外光及可見(jiàn)光反射裝置，滿(mǎn)足更多實(shí)驗(yàn)要求8. 可選配LCD-240白光板，可見(jiàn)光透射面積240mm×240mm9. 內(nèi)置220V電源插座，方便其它實(shí)驗(yàn)要求10. 暗箱式紫外透射儀預(yù)留CCD接口，可增置CCD和凝膠圖像分析軟件，進(jìn)行定性或定量分析11. 外觀設(shè)計(jì)精致，節(jié)約實(shí)驗(yàn)室空間12. 特別適合于科研實(shí)驗(yàn)室和教學(xué)實(shí)驗(yàn)室使用。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹1. 全封閉式暗箱設(shè)計(jì)，可在明室觀察、拍攝2. 130萬(wàn)像素低照度高分辨率CCD，信噪比≥70dB，具備軟積分功能3. 日本大孔徑6倍光學(xué)電動(dòng)變焦鏡頭，∮52mm，變焦范圍11.5~69mm，USB輸出4. 專(zhuān)業(yè)紫外增強(qiáng)燈管，紫外光強(qiáng)度達(dá)到1000uw/cm25. 雙面拋光西外玻璃厚度均勻，透射率高，觀察時(shí)無(wú)燈管陰影、背景清晰6. 紫外透射面積：200mm×200mm，透射波長(zhǎng)312nm7. 帶254nm、365nm紫外及可見(jiàn)光反射裝置8. 電動(dòng)變焦鏡頭可通過(guò)軟件控制光圈、對(duì)焦、圖像放大或縮小等參數(shù)調(diào)整，操作方便，精度高9. 標(biāo)配Hema GSG2000核酸/蛋白凝膠圖像分析管理軟件10. 圖像分析和管理軟件可提供多用戶(hù)管理系統(tǒng)，方便進(jìn)行實(shí)驗(yàn)結(jié)果的記錄和管理，符合良好實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)11. 軟件功能強(qiáng)大，界面簡(jiǎn)潔清晰，操作簡(jiǎn)便，全中文顯示12. 高性?xún)r(jià)比，特別適合于科研實(shí)驗(yàn)室及教學(xué)實(shí)驗(yàn)室使用。

功率：100W/150W尺寸：25CM*25CM*95CM理論消毒范圍：20-100㎡額定電壓：220V???50HZ燈管類(lèi)型：100W/150W??U型管定時(shí)時(shí)間：15/30/60分鐘消毒方式：無(wú)臭氧UVC?254mm/有臭氧UVC?185mm+O3開(kāi)關(guān)方式：開(kāi)關(guān)/遙控材質(zhì)：鐵藝支架/石英玻璃燈管