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一種穿過式永磁磁化器及由其構成的漏磁檢測探頭
本發明的目的在于提出一種永磁磁化器及由其構成的漏磁檢測探頭，包括第一、第二環形永磁體，環形銜鐵；環形銜鐵夾在第一、第二環形永磁體之間，三者同軸并貼合形成一穿過式永磁磁化器。由上述穿過式永磁磁化器構成的漏磁檢測探頭，它還包括探靴，探靴同軸布置在銜鐵的內腔，與銜鐵之間可拆卸式連接。本發明提供的檢測探頭集成磁化和信號輸出功能，具有體積小、重量輕、通用性強、造價低等優點，可適應某些待檢測構件擺動幅度大、速度變化快的特點。該探頭為剖分式結構，但是工作過程中又可以形成穿過式探頭的形式，且具有接近穿過式螺線管線圈
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于點型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測裝置
本發明公開了一種適用于點型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測裝 置，該裝置包括磁敏感元件部分，磁感應部分以及磁軛式局部微磁化 部分，磁敏感元件部分包括磁敏感元件、引線端、磁引導芯和引導芯 套筒，磁引導芯下端采用圓錐形的結構細化檢測區域，實現點型缺陷 的高分辨率檢測；磁感應部分由繞制在引導芯套筒外側的磁感應線圈 組成；由引導芯套筒支撐固定的磁軛式局部微磁化部分，包括環形導 磁構件、磁鐵連接件、磁軛式雙磁鐵以及斜向雙導磁構件，該部分將 磁場量導入待檢測金屬體內，達到局部微磁化的效果，通過與磁引導 芯連接的磁敏感
華中科技大學
2021-04-14
一種垂直磁各向異性磁性隧道結單元測試系統及測試方法
本發明提供了一種垂直磁各向異性磁性隧道結單元測試系統， 包括探針測量平臺，探針測量平臺的兩個探針前端分別加在 MTJ 單元 的上下電極，兩個探針的后端分別連接電源測量模塊的高低電平輸出 端口；帶鐵芯繞組線圈固定在 MTJ 單元的空間正上方，繞組線圈電源 的正負極接帶鐵芯繞組線圈的兩端；計算機測試平臺控制繞組線圈電 源向帶鐵芯繞組線圈提供不同的電壓，并控制電源測量模塊產生電壓 激勵信號以獲取電流響應信號，根據電壓激勵信
華中科技大學
2021-04-14
二維磁性CrI3中磁序引入的反常偏振拉曼散射譜
近年來二維磁性材料由于其豐富的物理性能以及廣闊的應用前景吸引了廣泛的關注。在眾多的二維磁性材料中，CrI3由于層間反鐵磁相互作用弱，可以通過外加磁場、電場、摻雜與壓力等外部手段進行調控，使得其在磁電存儲、自旋濾波、自旋晶體管等方面展現了潛在的應用價值，從而成為近幾年來的研究焦點。 除了應用前景以外，二維磁性材料還有許多新奇的物理性質，例如最近人們在雙層CrI3中，發現層間反鐵磁序破壞了
南方科技大學
2021-04-14
磁致伸縮導波傳感器及含有傳感器的換熱管缺陷檢測系統
本發明公開了磁致伸縮導波傳感器及含有傳感器的換熱管缺陷 檢測系統，傳感器包括外殼，外殼的外側壁上設置有第一環形布線槽 和第二環形布線槽，第一環形布線槽和第二環形布線槽內分別放置有 激勵線圈和接收線圈，激勵線圈和接收線圈均為螺線管線圈，外殼內 腔在對應于激勵線圈和接收線圈的位置分別放置有激勵磁鐵和接收磁 鐵，激勵磁鐵和接收磁鐵均為釤鈷永久磁鐵，外殼的一端連接有插頭 連接座，插頭連接座上連接有激勵插頭和接收插頭。檢測系統包括傳 感器、功率放大器、信號發生器、計算機、A/D 轉換器和濾波放大器。 本發明通過磁致伸縮效應，直接在換熱管內激勵出縱向模態超聲導波， 整個檢測過程中傳感器與換熱管無需接觸，提高了檢測效率以及適用 性。
華中科技大學
2021-04-11
一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發明公開了一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進行操作實現非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學
2021-04-11
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
網格狀CuxS/Cu2o0,x=1.75~2復合類金字塔薄膜的制備方法
一種網格狀CuxS/Cu2O，x＝1.75～2復合類金字塔薄膜的制備方法，具體作法是：將方塊面電阻為10-14歐的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、異丙醇溶劑超聲洗凈，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO為工作電極，鉑片為對電極，采用電壓法沉積；沉積后取出FTO，清洗烘干得Cu2O類金字塔薄膜的FTO；再將其放入Na2S溶液中處理，清洗烘干即在FTO上得網格狀CuxS/Cu2O復合類金字塔薄膜。該方法設備簡單，能耗低，適合大規模生產；制得物對太陽光吸收波長范圍寬，作為太陽能電池材料具有應用前景；可作為模版和反應介質直接合成其它具有窄禁帶寬度的類金字塔形化合物，作為太陽能電池材料。
西南交通大學
2016-10-20
一種鈦基底上制備有機分子雜化TiO2納米復合薄膜的方法
一種鈦基底上制備有機分子雜化TiO2納米復合薄膜的方法，其主要步驟是：A、將純鈦片兩次放入多巴胺溶液中各浸泡10-14h，得涂層模板；B、將沒食子酸、己二胺配成混合溶液，置于35-39℃的水浴中，再將涂層模板在混合溶液中浸3-5h，取出超聲清洗三遍，得有機分子層模板；C、將0.1-0.2 mol/L的(NH4)2TiF6溶液和0.2-0.4 mol/L的H3BO3溶液，按體積比1:1混合成混合液；再調節PH值至2.7-2.9；D、將有機分子層模板浸入混合液中，在45-55℃的水浴鍋中浸泡10-40h，即得。該法在鈦基底上制備得到的TiO2薄膜的結合力高、分布均勻、光電轉換效率高，生物相容性好。
西南交通大學
2016-10-25