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場效應晶體管（Field Effect Transistor, FET）是芯片與集成電路的基本單元，由金屬電極、半導體電荷傳輸層和絕緣電介質層三部分組成。近年來，電氣設備和電子產品小型化、輕量化、智能化的發展趨勢對FET等基礎電學元器件提出了向高性能、微型化、高頻化和柔性化發展的需求。進入21世紀后，隨著多種具有共軛π鍵體系聚合物和小分子的合成，有機半導體材料的優良電荷傳輸特性已被較為充分地發掘，分子結構創新的匱乏導致半導體材料電荷傳輸性能難有跨越式的提升。基于這種現狀，西安交通大學魯廣昊教授課題組將研究重點轉向絕緣電介質層，通過充分挖掘絕緣介質帶電特性形成可控的柵極補償電場，實現FET半導體層電荷傳輸的調控并提高器件性能。近日，前沿院魯廣昊教授課題組與電氣學院李盛濤教授課題組、理學院張志成教授課題組、中科院長春應用化學研究所崔冬梅研究員課題組開展合作，通過自由基聚合合成了一種新型絕緣聚合物分子：無規4-氟代聚苯乙烯（Poly(4-fluorostyrene)，FPS）。該聚合物具有較高的深電荷陷阱密度、高擊穿場強、高熱穩定性和疏水性，可實現高度穩定的駐極體。以FPS薄膜作為柵極介電層，并以C12-BTBT作為半導體層制備的有機場效應晶體管具有高達11.2 cm2·V-1·s-1的場效應遷移率，高達107的開/關比和較小的閾值電壓。與廣泛使用的聚苯乙烯相比，FPS的電子和空穴陷阱密度及陷阱能級均有所上升，帶來6.8×1012cm-2的高帶電量。利用FPS制備的OFET存儲器件可在大于100 V的寬存儲窗口下工作，并具有在空氣環境中大于一個月的存儲穩定性。 該研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”為題發表在國際材料領域權威期刊Materials Horizons上（影響因子：14.356）。該文第一作者為西安交大前沿院助理教授朱遠惟博士，通信作者為前沿院魯廣昊教授、電氣學院李盛濤教授和中科院長春應化所劉波副研究員。該工作得到了國家自然科學基金、陜西省自然科學基礎研究計劃、國家博士后基金、電力設備電氣絕緣國家重點實驗室中青年基金及校基本科研業務費的資助。論文鏈接為：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract課題組網站：http://gr.xjtu.edu.cn/web/guanghaolu/home

本發明公開了一種多層結構柔性薄膜的連續層合方法，包括(1)對第一柔性薄膜和第二柔性薄膜分別進行模切及廢料剝離處理，使得各薄膜的一側面上的保護層被剝離，且在中間的有用層上切出呈陣列布置的矩形切口；(2)以第三柔性薄膜作為層合的中間膜層，首先剝離其中一側面的保護層，然后與準備階段中的第一柔性薄膜進行層合，得到具有四層結構的柔性膜；(3)對第三柔性薄膜的另一側面的保護膜進行剝離處理，再將該經剝離后的表面與準備階段中的第二柔性薄膜層合，得到具有五層結構的復合膜。本發明還公開了一種多層結構柔性薄膜的連續層合的設備。本發明的層合設備及其工藝方法，可以有效地實現多層結構柔性薄膜的半斷模切和精確對位層合。

本發明涉及光致發光材料技術領域，具體公開了一種配位聚合物閃爍體、柔性閃爍體薄膜及其應用，本發明所制備得到的配位聚合物閃爍體在360nm的激發光源下和X射線光源輻照下均發射綠光，并且對X射線展現處優異的線性響應性，并且表現出明顯的熱活化增強發光，當信噪比為3時，該閃爍體的最低檢測限達到29.6nGy/s，這一數值較典型醫學成像系統所需的檢測限(5500nGy/s)低約186倍，同時，本發明所制備的閃爍體薄膜可對不同物體實現X射線成像效果，本發明所制備得到的閃爍體薄膜完全可以替代目前商用的閃爍體。

本發明提供了一種新方法，通過超分子交聯聚合物網絡在油?水界面上促進金納米顆粒（Au NPs）的自組裝。這種技術有效地生產出大面積的金納米顆粒聚合物膜，適用于表面增強拉曼散射（SERS）傳感應用。與傳統方法制備的金納米顆粒膜相比，這些聚合物網絡交聯的金納米顆粒膜表現出顯著提高的機械強度，不易破裂，可以附著在水產品表面進行活體檢測。優異的SERS性能、低成本以及高靈活性和穩定性使其成為實時檢測溶液或食品中有毒殘留物的有前途的候選材料。

本發明公開了一種自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜的制備方法，包括下述步驟：S1：對金屬鎳片襯底進行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2：向所述管式爐中通入惰性氣體；S3：對所述管式爐進行升溫處理使其達到600℃-720℃，向所述管式爐中通入氫氣，并對所述金屬鎳片襯底進行熱處理；S4：向所述管式爐中通入碳氫化合物，使得經過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳氫化合物裂解后生長非晶碳薄膜；S5：對所述管式爐進行降溫處理，并將生長有非晶碳薄膜的鎳片浸泡在腐蝕液中腐蝕掉襯底鎳片后獲得自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜。采用本發明制備方法對環境溫度要求不高，制備得到的非晶碳薄膜具有多孔結構和自支撐結構，可以很方便轉移至任何襯底。

該發明公開了一種新型寬帶介質加載回旋行波管高頻系統，屬于微波、毫米波和太赫茲器件技術領域。該系統包括一次連接的預群聚段、線性放大段、非線性放大段、以及輸出漸變段，預群聚段、線性放大段、非線性放大段、以及輸出漸變段包括金屬圓波導外殼、貼和圓波導內壁加載的環形無損介質加載波導，線性放大段角向均勻地設置有矩形有損介質片，并沿軸向呈周期性分布。該發明通過加載無損介質波導改變整個高頻結構色散特性；使電子注曲線與波導色散曲線在寬頻段范圍內滿足諧振條件，確保寬頻帶工作特性；同時采用漸變的輸出結構，解決高頻點增益低帶來的輸出功率低問題。該發明既能滿足寬頻帶工作需求，又能在頻帶范圍內提供較高的微波功率輸出。

研制出的3mm波段高功率回旋管可用于毫米波非致命拒止武器系統、毫米波雷達成像系統和毫米波定向能武器系統,是毫米波拒止武器系統必需的大功率微波源。主動拒止武器主要是利用3mm高功率微波刺激人體表皮的痛覺神經，使人感到劇烈灼痛達到驅散非合作人群的目的。可用于裝備部隊作戰、維和、反恐(針對恐怖活動與恐怖分子,尤其是人體炸彈)，裝備警察用于制暴、監獄控制、重要目標(軍事、政治、經濟及安全設施和人員等)保護（如軍事基地、軍事禁區、使領館、航船、機場、重要場館等的防護）及反海盜劫持活動等等，這對保障國家安全具有重要作用。 本項目在突破一系列關鍵技術的基礎上研制出了低電壓、小電流3mm波段高功率連續波回旋振蕩管，在關鍵技術研究上有一系列創造性貢獻。 研制成功了高效、高模式純度TE62模式的W波段連續波回旋管：頻率94 GHz、工作電壓29.4 kV、工作電流2.2A、輸出功率26.5 kW、效率41%。其各項參量達到和超過合同指標，器件綜合技術水平達到國內領先、國際先進水平。 目前國內100萬人以上大城市數量已達到100多個，按照目前大型城市安全需要，每個城市為其各重要部門的綜合安全防護系統總共配備10套主動拒止武器系統，每套按500萬元計算，創造的經濟價值約為50億。每套成本低，單套實驗演示系統造價小于500萬元，僅為美國每套造價的8%；其核心器件3mm高功率回旋振蕩管及相關關鍵技術、配套器件實現完全國產化。

本發明涉及一種親水親油性碳納米管及其制備方法。本發明采用物理包覆修飾的思 想，將碳納米管原料在酸性條件下超聲輔助純化后，在引發劑和適當溫度條件下，將聚 乙烯基吡咯烷酮及其嵌段聚合物引入到碳納米管的表面，從而得到表面具有親水親油基 的碳納米管。含有此結構的碳納米管在水、有機溶劑和聚合物基體中具有良好的分散性， 從而改善了碳納米管的分散性。本發明提供的制備方法簡單易行，具有可控性和定量化 的特點；所得的表面具有定量親水親油性聚合物的碳納米管，具有良好的可加工性，為 碳納米管在復合材料、氫氣存儲、電子器件、傳感器、生物材料等領域的應用鋪平了道 路。

本項目響應工業生產過程對節能傳熱設備需求量日益增長的發展機會，充分利用我們在高效節能設備研制和產業化方面的成功經驗，自主研制新型扭曲管換熱器，并實現扭曲管換熱器制造產業化。本項目通過采用扭曲管可以使換熱器傳熱能力增加10％-20％，殼程阻力下降50-70%，將大幅度提高扭曲管換熱器的節能潛力，實現節能25-35%。扭曲管換熱器提升了我國新型高效節能設備的整體技術水平和市場競爭力。在扭曲管換熱器內，由于殼程為螺旋流，大大增強了殼程的湍流度，從而強化了殼程傳熱；由于扭曲管的結構特點，即使管程為高粘度流體或流速較低時，也會獲得很高的湍流度。由于管子之間的多點自支撐結構，省去了折流板，實現了流體縱向流，流動分布和流速比較均勻，消除了換熱管振動問題。由于殼程采用無折流板結構，實現了全程縱向流，使得殼程壓降大大降低；同時由于分布均勻，沒有流動死區，有效傳熱面積大大增加。這些結構特點，大大強化了換熱器的傳熱系數。由于流速均勻、無死區，而且管壁溫度比較均勻，大大降低了結垢的可能性。無振動、少結垢，從而延長了維修周期，降低了維修費用。該技術不改變換熱器的外形結構，保留了管殼式換熱器的特點，具有易于推廣的特點，具備較好的工業應用前景。目前已做了大量的前期開發準備及示范工程。