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科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
中國(guó)科大團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)和深空的連續(xù)冷熱能量捕獲和利用
中國(guó)科大工程學(xué)院/太陽(yáng)能光熱綜合利用安徽省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室裴剛教授和國(guó)家同步輻射實(shí)驗(yàn)室/核科學(xué)技術(shù)學(xué)院鄒崇文研究員聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)提出了一種全新的能量利用方法，該方法分別以太陽(yáng)（約6000K）和太空（約3K）為熱源和冷源，巧妙利用光譜自適應(yīng)智能涂層來(lái)解決光熱轉(zhuǎn)換過(guò)程和輻射制冷過(guò)程的光譜沖突，實(shí)現(xiàn)24小時(shí)全天候的冷熱能量捕獲和利用。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-06-02
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世界首例 | 西湖大學(xué)仿生型潛水器成功下潛海底2000米做實(shí)驗(yàn)
此次南海實(shí)驗(yàn)，是世界范圍內(nèi)采用仿生結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)的潛水器在2000米深度的首次成功嘗試，也標(biāo)志著“西谷I號(hào)”成為目前深度最大，且真正具有深海作業(yè)能力的新一代仿生型潛水器樣機(jī)。
西湖大學(xué)
2023-06-05
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一種抗高溫氧化耐磨鈷基合金絲材及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種抗高溫氧化耐磨鈷基合金絲材及其制備方法。合金刷絲成分為Ｃｒ １３～１７％、Ｎｉ １１～１５％、Ｗ １０～１４％，Ｍｏ ２．４～４．３％、Ａｌ １．２～１．６％、Ｔｉ ２．８～３．６％，Ｎｂ ０．１～０．５％、Ｔａ １．２～１．８％、Ｒｅ ０．０３～０．０６％、Ｃｅ ０．０１～０．０５％、Ｃ ０．０２～０．１％、Ｂ ０．００５～０．０１５％、Ｚｒ ０．０２～０．０７％、Ｃｏ為余量。該合金的制備工藝路線為：真空熔煉?重熔?鍛造?熱軋?拉拔?固溶處理?時(shí)效處理。將原材料按質(zhì)量百分比配料熔煉
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種飛機(jī)翼梁類零件的增材制造方法
本發(fā)明提出一種飛機(jī)翼梁類零件的增材制造方法，所述飛機(jī)翼 梁類零件由腹板、緣條、立柱三部分組成。加工時(shí)先將基板安裝在變 位機(jī)上，基板工作面平行于地面為初始狀態(tài)，在基板上沉積兩緣條和 腹板，待兩緣條和腹板的高度達(dá)到下一步要沉積的立柱下表面所處的 設(shè)計(jì)高度時(shí)，再單獨(dú)沉積腹板，使腹板和緣條的高度差達(dá)到所述立柱 厚度，將變位機(jī)工作臺(tái)繞翻轉(zhuǎn)軸翻轉(zhuǎn) 90°，腹板平行于地面，腹板在 緣條下方，然后按設(shè)計(jì)尺寸沉積立柱，完畢后，將變位機(jī)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種帶材收卷跑偏的補(bǔ)救糾偏系統(tǒng)及其控制方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種帶材收卷跑偏的補(bǔ)救糾偏系統(tǒng)及其控制方法， 所述系統(tǒng)包括收卷裝置、監(jiān)測(cè)裝置、糾偏裝置、預(yù)收卷裝置和控制模 塊，所述監(jiān)測(cè)裝置的圖像采集器實(shí)時(shí)采集收卷輥兩側(cè)邊緣剛剛收卷區(qū) 域的圖像并將其傳輸給控制模塊，控制模塊根據(jù)接收到的圖像判斷收 卷帶材是否跑偏，若跑偏，則控制模塊控制收卷電動(dòng)機(jī)停轉(zhuǎn)，同時(shí)控 制預(yù)收卷裝置和糾偏裝置運(yùn)作完成糾偏過(guò)程，最后由控制模塊控制預(yù) 收卷裝置和糾偏裝置回到正常收卷時(shí)的位置。本發(fā)明能夠?qū)?
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的熱壓設(shè)備
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的熱壓設(shè)備，該設(shè)備包括：由上下兩個(gè)熱壓頭共同組成的熱壓裝置,位于熱壓裝置的外側(cè)用于將片材提供給真空拾放裝置的上料裝置，用于從上料裝置的片材料盒中取料并將片材輸送至下熱壓頭上的相應(yīng)疊合位置的真空拾放裝置，位于柔性薄膜的輸送路徑上用于將輸送中的柔性薄膜撐起一定高度的撐膜裝置，以及分別用于對(duì)柔性薄膜的輸送位置和片材上料位置等信息進(jìn)行檢測(cè)和反饋的薄膜檢測(cè)裝置和上料檢測(cè)裝置。通過(guò)本發(fā)明，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)熱壓、上料、拾取和轉(zhuǎn)移等多種功能，結(jié)構(gòu)緊湊，便于控制和操作，并利用視覺(jué)定位技術(shù)和獨(dú)立的熱壓裝置支撐框架來(lái)進(jìn)一步保證薄膜疊層的精度。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
將 LNG 冷能用于空分制氧和碳捕獲的天然氣富氧燃燒系統(tǒng)
本發(fā)明涉及一種將 LNG 冷能用于空分制氧和碳捕獲的天然氣富氧燃燒系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括 LNG 冷能空分制氧子系統(tǒng)、富氧高壓加水燃燒循環(huán)發(fā)電子系統(tǒng)和高壓液氧碳捕獲子系統(tǒng)，將 LNG 冷能應(yīng)用于天然氣富氧燃燒電廠的空分制氧過(guò)程中，同時(shí)冷凝回收富氧燃燒所產(chǎn)生的二氧化碳，實(shí)現(xiàn)碳的零排放。解決富氧燃燒電廠空分制氧能耗高、碳捕獲成本大的問(wèn)題。此外，還可以附加高壓液氮再循環(huán)制氧子系統(tǒng)，進(jìn)一步利用液氮冷能，降低制氧能耗，從而提高系統(tǒng)能效水平。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了冷能連續(xù)傳遞使用，同時(shí)解決了富氧燃燒電廠空分制氧能耗高，碳捕獲成
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種耦合太陽(yáng)能與化學(xué)鏈空分技術(shù)的低能耗富氧燃燒系統(tǒng)
本發(fā)明公開(kāi)了一種耦合太陽(yáng)能與化學(xué)鏈空分技術(shù)的低能耗富氧燃燒系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括干蒸汽制取裝置、化學(xué)鏈空分裝置以及富氧燃燒裝置，其中，干蒸汽制取裝置包括太陽(yáng)能集熱器、蒸汽發(fā)生器和分流器，干蒸汽制取裝置生成的干蒸汽經(jīng)分流器分為兩股：一股干蒸汽進(jìn)入化學(xué)鏈空分裝置用于吸氧反應(yīng)器的流化氣，另一股干蒸汽進(jìn)入富氧燃燒裝置，化學(xué)鏈空分裝置生成的高純度氧氣進(jìn)入富氧燃燒裝置與干蒸汽和燃料進(jìn)行混合燃燒，產(chǎn)物經(jīng)簡(jiǎn)單冷凝分離后獲得高純度的二
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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納米級(jí)氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的制備
氧化銦錫（indium-tin-oxide）簡(jiǎn)稱ITO，ITO靶材是一種功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明導(dǎo)電膜玻璃。以金屬銦、錫為原料采用共沉淀法制備出納米級(jí)ITO復(fù)合粉體。粉體造粒成型后分別采用加壓和常壓燒結(jié)法制備出相對(duì)理論密度大于99.5%、氧化銦單一相的ITO靶材。 粉體純度大于99.99%、顆粒分散性好，粒徑10nm—80nm之間可控，BET比表面積30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相對(duì)理論密度99.5%。 威海市藍(lán)狐特種材料有限公司已采用該技術(shù)建設(shè)年產(chǎn)20噸納米級(jí)氧化銦錫復(fù)合粉體生產(chǎn)線，采用該粉體燒制的ITO靶材相對(duì)理論密度達(dá)到99%以上。國(guó)內(nèi)相對(duì)理論密度大于99%的ITO靶材主采用進(jìn)口產(chǎn)品。 金屬銦、錫是我國(guó)的優(yōu)勢(shì)資源，生產(chǎn)設(shè)備都是定型通用設(shè)備，年產(chǎn)20噸納米級(jí)氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的生產(chǎn)廠需要人員50名。納米級(jí)氧化銦錫粉體制備已建設(shè)年產(chǎn)20噸生產(chǎn)線。高密度ITO靶材的制備已完成實(shí)驗(yàn)室小試。
北京化工大學(xué)
2021-02-01
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半導(dǎo)體輔材用多晶硅中碳、氮雜質(zhì)的分離去除技術(shù)
伴隨著我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的迅速崛起，硅電極作為光刻設(shè)備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時(shí)，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч桦姌O，然而多晶硅制備過(guò)程中不可避免存在C、N雜質(zhì)的污染，導(dǎo)致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒夾雜，嚴(yán)重影響了多晶硅電極的使用性能。
傳統(tǒng)制備技術(shù)下，設(shè)備熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)單一，熔體流動(dòng)性差，導(dǎo)致SiC、Si3N4雜質(zhì)循環(huán)溶解—析出，難以有效分離。本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)前期利用電子束精煉技術(shù)去除硅中的蒸發(fā)性雜質(zhì)（P、 O、N）；利用電子束誘導(dǎo)實(shí)現(xiàn)多晶硅的定向凝固，進(jìn)而分離硅中的金屬雜質(zhì)；基于電子束冷床效應(yīng)分離硅中的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒，并揭示硬質(zhì)顆粒與硅基體間的位相關(guān)系；基于上述研究開(kāi)發(fā)出了多晶硅電極的制備工藝，可應(yīng)用于刻蝕等半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
本項(xiàng)目預(yù)期可以為半導(dǎo)體行業(yè)中硅電極生產(chǎn)制造企業(yè)提供穩(wěn)定的技術(shù)支持，具有很好的生產(chǎn)示范性，實(shí)現(xiàn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。該技術(shù)能夠有效地降低生產(chǎn)過(guò)程中的能耗，是一種低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)方法，屬于節(jié)能、環(huán)保的綠色制造技術(shù)。該技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用和推廣，可大幅增加就業(yè)崗位，提高企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，保護(hù)環(huán)境。
大連理工大學(xué)
2021-05-10