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一種二硒化鈷/碳納米材料及其制備方法與應用
本發明公開了一種二硒化鈷/碳納米材料，包括基底、厚度為 1 μm～2μm 的 CoSe2 層以及厚度為 1nm～10nm 的無定形碳層，所述 CoSe2 層生長于所述基底表面，呈現三維片狀結構，所述無定形碳層 附著于所述 CoSe2 層表面，且所述 CoSe2 層與所述無定形碳層的質量 比為 90:1～1800:1，所述基底為鈦片或鈦絲。本發明通過將無定形碳 層附著于 CoSe2 材料表面，從而提高了納米材料的循環穩定性，從而
華中科技大學
2021-04-14
一種柴油機微粒捕集器DPF碳累積量估計方法
本發明公開了一種柴油機微粒捕集器DPF碳累積量估計方法，通過壓差傳感器測得DPF前后總壓力差，根據DPF前后總壓力差和廢氣體積流量得到DPF的總流阻，根據灰分質量和廢氣體積流量得到DPF殘余碳產生的流阻，總流阻減去白載體流阻及殘余碳產生的流阻即可得到積碳所產生的流阻，根據積碳產生的流阻與廢氣體積流量即可得到碳積累量；所述灰分質量通過廢氣質量流量和發動機轉速經過積分計算得到。本發明提出了碳積累量增量估計方法，可以基于當前總流阻、當前灰分質量和當前廢氣體積流量計算出碳積累量的增量，然后得到當前的碳積累量。本發明方法得到的DPF碳累積量估計精度更高，而且避免了使用現有估計方法中物理意義不明確的參數，估計過程更加快速精確，從而大大提高了判斷DPF再生時機的準確性。
西南交通大學
2018-09-19
一種 MnO2/多孔碳膜/鎳復合材料的制備方法
本發明公開了一種 MnO2/多孔碳膜/鎳復合材料的制備方法，屬于 MnO2 薄膜技術領域。其包括：S1 將潔凈干燥的鎳片置于加熱爐中，通入惰性氣體；S2 將加熱爐升溫至 600℃～1100℃，通入氫和碳氫化合物混合氣體，以形成滲透層和覆蓋在滲透層的石墨烯層；S3 取出表面具有滲透層和石墨烯層的鎳片，并浸漬在腐蝕液中，浸漬時間為0.5h～24h，以使鎳片上的滲透層變為多孔碳膜層；S4 在常溫常壓下，鎳片置于高錳酸鉀和硫酸的混合溶液中，浸漬 2h～48h。以上方法使得 MnO2 薄膜和多孔碳層結合牢固，
華中科技大學
2021-04-14
一種高飽和磁化強度磁性納米碳材料的制備方法
本成果來自有重大應用前景的橫向項目，它以現有的碳納米管、活性炭等碳材料為原材料，通過化學的方法成功的制備了碳-鐵合金納米粒子的復合材料，飽和磁化強度均在50 emu/g以上，最高可達90 emu/g，其穩定性和磁性能均高于現有的碳-Fe3O4復合材料，達到國際領先水平。具有優異的電磁屏蔽、微波吸收等性能。主要應用：電磁屏蔽、介電材料、吸波隱身、高分子材料添加劑、醫學上造影劑、藥物載體等。具有非常廣闊的應用前景和市場前景。
西南交通大學
2016-06-27
一種低碳處理固體垃圾并抑制二噁英生成的方法
本發明公開了一種低碳處理固體垃圾并抑制二噁英生成的方法，包括如下步驟：S1 粉碎固體垃圾；S2 對所述經粉碎的固體垃圾執行化學鏈燃燒處理，所述化學鏈燃燒溫度范圍為 800℃～1000℃，該化學鏈燃燒采用經過吸附劑修飾的氧載體，該經過吸附劑修飾的氧載體粒徑為 0.1mm～0.3mm，所述吸附劑能吸附并固定氣態氯元素，冷凝并捕獲化學鏈燃燒獲得的二氧化碳。本發明方法解決了目前固體垃圾焚燒過程中碳排放量高、同時易產生二噁英的
華中科技大學
2021-04-14
一種碳包覆納米銻復合材料、其制備方法和應用
本發明公開了一種碳包覆納米銻復合材料的制備方法，包括： 將水溶性高分子溶于水中，配成水溶性高分子水溶液，以作為碳源； 將鹵化銻，磷酸銻和硫酸銻中的一種或幾種溶于有機溶劑中，形成銻 化物有機溶劑；將上述銻化物有機溶劑逐滴加入到所述水溶性高分子 水溶液中；將上述混合液冷凍干燥，并在還原性氣氛中燒結，即可獲 得碳包覆納米銻復合材料。本發明還公開了利用上述方法制備的碳包 覆納米銻復合材料，以及其作為電池負極材料的應用。本發明
華中科技大學
2021-04-14
一種高性能低碳含Mo貝氏體鋼及其制備方法
小試階段/n一種低碳高強度含Mo貝氏體鋼的制備方法，其特征在于向Fe-C-Mn-Si低碳鋼的冶煉成分中添加Mo，經真空冶煉后鑄成鋼坯，將鋼坯軋制成板材；將軋制后的板材以5～10℃/s的升溫速度加熱至880～920℃,保溫10～20 min，水冷至410～430℃，接著空冷至340～360℃，保溫30～40min，水冷至室溫，制得低碳高強度含Mo貝氏體鋼；。所述的低碳高強度含Mo貝氏體鋼的化學成分及其含量是：C為0.15～0.22 wt%，Si為1.48～1.55 wt%，Mn為1.95～2.04 w
武漢科技大學
2021-01-12
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設計技術
大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價格低廉等方面的優勢已經成為基站、廣播電視發射機、航空電子、雷達等領域等應用最廣泛的射頻功率器件。 本團隊利用優化的法拉第屏蔽罩結構和版圖布局技術，基于國內8英吋工藝技術平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設計與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
電子科技大學
2021-04-10
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設計技術
本團隊利用優化的法拉第屏蔽罩結構和版圖布局技術，基于國內8英吋工藝技術平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能夠提供完整的RF LDMOS器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10
適用于陶瓷PTC裝配技術的發熱芯穿管裝置
本發明公開了一種適用于陶瓷PTC裝配技術的發熱芯穿管裝置。包括機架以及安裝在機架上的送管機構和發熱芯夾裝機構，機架包括機架上面板、機架下面板和面板撐桿，機架上面板和機架下面板的四角之間通過面板撐桿支撐連接，機架上面板的底面裝有用于裝夾發熱芯的發熱芯夾裝機構，發熱芯夾裝機構的側方設有將套管傳送的送管機構。本發明采用發熱芯自動穿管技術，相比手工穿管技術，極大提高了生產效率。
浙江大學
2021-04-11