葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

本發明涉及膜分離技術，旨在提供一種有機?無機復合納米粒子超親水改性聚合物膜及制備方法。該聚合物膜含有超親水性的聚醚改性有機硅材料，有機?無機復合納米粒子均勻分布在聚合物膜的截面、外表層和內表層，并呈梯度微納珠狀網絡結構；所述的超親水性的聚醚改性有機硅材料含有Si?C鍵連接型超親水聚醚功能基團。本發明使能實現不同部位水增量速度差異，從而制備具有梯度孔結構的有機?無機復合納米粒子超親水改性聚合物膜。可實現對聚合物膜膜孔結構的精確控制，滿足多樣性使用環境。具有超級親水、優異親水持久性、超低壓或零過膜壓超高水通量、超高抗污染性能，可廣泛應用于飲用水深度凈化、工業污水處理、食用飲品的濃縮分離、油水分離。

本發明公開了一種空間分辨率自適應調整的粒子圖像測速矢量估計方法。所述空間分辨率自適應調整的粒子圖像測速矢量估計方法，首先對第 n 時刻和第 n+1 時刻的圖像進行降噪處理，然后根據第 n 時刻的查詢窗口參數更新第 n+1 時刻的查詢窗口參數,最后根據第 n+1 時刻的查詢窗口參數，對第 n 時刻和第 n+1 時刻圖像進行 PIV 流場矢量估計，得到全場速度矢量，其中查詢窗口參數由人工指定。本發明提供的空間分辨率自適應調整的粒子圖像測量方法突破了傳統的粒子圖像測速方法單向計算的計算模式，能自動適應流暢

本發明公開一種磁納米粒子濃度成像方法，其主要創新在于采用交流磁化率的虛部來進行濃度成像，有效提高磁納米粒子成像的空間分辨率。對磁納米粒子施加交流磁場和直流梯度磁場，檢測出一次諧波幅值和相位。利用幅值差和相位差或直接利用磁化強度變化量計算出磁納米粒子交流磁化率的實部和虛部。通過控制直流梯度磁場的零磁場點位置，求解出不同空間位置的磁納米粒子交流磁化率的實部和虛部，進而利用交流磁化率的虛部實現磁納米濃度成像。從仿真數

現有問題：現有的血紅蛋白類攜氧載體（HBOCs）主要為小分子修飾血紅蛋白、交聯劑聚合血紅蛋白以及包裹血紅蛋白。這些HBOCs制品的毒副作用在動物實驗和I, II, III期臨床試驗均有報道。正是基于臨床試驗中發現的HBOCs引起高血壓反應及增加病人心肌梗死的風險，2009年美國FDA拒絕了Northfield公司HBOCs產品（PolyHeme）的上市請求。現有HBOCs制品輸注后的毒副反應，主要是由于HBOC中游離或未聚合的血紅蛋白，包括氧合或非氧合狀態，透過內皮屏障，消耗內皮舒張因子一氧化氮（NO）；同時，血紅蛋白本身的氧化還原反應，生成的氧自由基造成機體氧化應激反應。 項目的創新性和優越性：? 本項目制備的新型攜氧納米粒子，完全不同于現有HBOCs制品，首先在納米粒子中包裹一定劑量的抗氧化劑，有效減少輸注血紅蛋白氧載體后可能產生的氧自由基。然后，通過結合珠蛋白將血紅蛋白穩定連接到納米粒子外膜。結合珠蛋白能與游離血紅蛋白結合成穩定的復合物，一方面避免了體內過量的游離血紅蛋白出現，減少輸注后縮血管效應引起的高血壓現象和胃腸道反應；另一方面，結合珠蛋白本身也可作為還原劑，減少血紅蛋白引起的氧化應激反應。?該新型攜氧納米粒子體內的代謝方式為納米粒子崩解后，結合珠蛋白/血紅蛋白復合物經網狀內皮系統清除，可大大減輕經腎臟排泄可能造成的腎損傷。?現有HBOCs類制品，特別是聚合血紅蛋白和包裹血紅蛋白，往往包含數量不等的血紅蛋白，分子量處于一定范圍，而且，還有部分游離血紅蛋白或未反應血紅蛋白并不能完全清除，這也是產生毒副作用的一大誘因。而本項目的攜氧納米粒子表面帶有數量可控的活性官能團，因此，可實現血紅蛋白的定點定量結合，得到分子量穩定的終產物。?現有的第三代HBOCs制品，大多用高分子材料將血紅蛋白包裹，輸注入人體后很難避免“突釋”效應，出現大量游離血紅蛋白，有可能對機體造成很大的傷害。而本項目所述的新型攜氧納米粒子，血紅蛋白與結合珠蛋白形成了穩定的復合物或者血紅蛋白與高分子材料牢固結合，即使納米粒子分解之后，也不會產生大量游離血紅蛋白，因此可大大減少相關風險。該新型攜氧納米粒子可以凍干粉末的形式保存，保存期長，穩定性高，運輸方便，可滿足各種環境下的應急使用和臨床常規應用。?使用的高分子載體為聚乙二醇-聚酯類共聚物。聚乙二醇（PEG）由于其本身不帶電荷、水溶性、無免疫原性、可以防止材料表面生物污染、減少蛋白質吸附和細菌貼附、并且不易被免疫體系識別等、且它在體內能溶于組織液中，能被機體迅速排出體外而不產生任何毒副作用的特點，是修飾納米粒子的理想材料。聚乙二醇的存在還可以有效屏蔽人體網狀內皮系統對納米粒子的吞噬和排異，延長粒子在血液中的循環時間。可生物降解且生物相容性良好的聚酯（聚己內酯/聚乳酸，PCL/PLA），無毒無刺激性，已經得到美國食品藥品監督管理局（FDA）的認證用于人體治療。

本發明公開了一種基于磁納米粒子交流磁化率的溫度測量方法，所述方法包括如下步驟：(1)確定待測對象區域，并利用通電螺線管對待測區域施加交流激勵磁場；(2)利用探測線圈采集交流激勵磁場下待測區域的磁感應強度 H1；(3)保持交流激勵磁場不變，將磁納米樣品放置于待測對象的待測區域內，利用探測線圈采集施加磁納米樣品之后待測區域的磁感應強度 H2；(4)計算磁納米粒子的交流磁化率χ的實部χ’和虛部χ”；其中的 A1，A2，α都

本發明公開了一種基于磁納米粒子一次諧波幅值的成像方法。采用交流磁化強度一次諧波幅值實現磁納米濃度成像，只需在一個方向施加高頻正弦磁場并在不同方向提供掃描磁場便可實現一維、二維以及三維空間的掃描；用低頻三角波掃描磁場或低頻正弦波掃描磁場控制空間區域零磁場點的位置，求解出不同空間位置的磁納米粒子的一次諧波幅值，最終實現磁納米濃度成像，從而避免了通過改變直流電源的大小來移動零磁場點掃描空間，有效提高了磁納米粒子成像的

本發明公開了一種空間分辨率自適應調整的粒子圖像測速矢量 估計方法。所述空間分辨率自適應調整的粒子圖像測速矢量估計方法， 首先對第 n 時刻和第 n+1 時刻的圖像進行降噪處理，然后根據第 n 時 刻的查詢窗口參數更新第n+1時刻的查詢窗口參數,最后根據第n+1時 刻的查詢窗口參數，對第 n 時刻和第 n+1 時刻圖像進行 PIV 流場矢量 估計，得到全場速度矢量，其中查詢窗口參數由人工指定。本發明提 供的空間分辨率自適應調整的粒子圖像測量方法突破了傳統的粒子圖 像測速方法單向計算的計算模式，能自動適

2025年2月10日，復旦大學基礎醫學院代謝分子醫學教育部重點實驗室潘東寧團隊在《自然-通訊》（Nature Communications）期刊發表了題為“Non-catalytic mechanisms of KMT5C regulating hepatic gluconeogenesis”的研究論文。該研究揭示組蛋白甲基轉移酶KMT5C通過非催化機制調控肝糖異生的全新作用模式。

成果描述：本發明公開了一種柴油機微粒捕集器DPF碳累積量估計方法，通過壓差傳感器測得DPF前后總壓力差，根據DPF前后總壓力差和廢氣體積流量得到DPF的總流阻，根據灰分質量和廢氣體積流量得到DPF殘余碳產生的流阻，總流阻減去白載體流阻及殘余碳產生的流阻即可得到積碳所產生的流阻，根據積碳產生的流阻與廢氣體積流量即可得到碳積累量；所述灰分質量通過廢氣質量流量和發動機轉速經過積分計算得到。本發明提出了碳積累量增量估計方法，可以基于當前總流阻、當前灰分質量和當前廢氣體積流量計算出碳積累量的增量，然后得到當前的碳積累量。本發明方法得到的DPF碳累積量估計精度更高，而且避免了使用現有估計方法中物理意義不明確的參數，估計過程更加快速精確，從而大大提高了判斷DPF再生時機的準確性。市場前景分析：內燃機技術領域。與同類成果相比的優勢分析：技術先進，性價比較高。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。