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本發(fā)明公開了一種光電化學(xué)太陽能電池光電極微納結(jié)構(gòu)制造工 藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長一層 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的 SiO2，將光刻的圖 形轉(zhuǎn)移到 SiO2 層、4)鍍 Cu 膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的 Cu、6)生長 Si 微米線陣列、7)在 Si 微米線表面鍍一層 ZnO 膜、8)在 Si 微米線表面生長 ZnO 納米線、9)在 ZnO 納米線表面制備一層 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 結(jié) 構(gòu) 表 面

大容量電池儲能系統(tǒng)能夠提高可再生能源發(fā)電的穿透率，提高電網(wǎng)穩(wěn)定性，是未來智能電網(wǎng)運(yùn)行中的重要組成部分，然而功率轉(zhuǎn)換技術(shù)一直限制著電池儲能系統(tǒng)的大容量化發(fā)展。本項(xiàng)目使用級聯(lián)式變換器作為大容量電池儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，從而可以大大提高大容量電池儲能系統(tǒng)的效率、可靠性等。 在本項(xiàng)目的研究過程中，先后對高壓直掛功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的關(guān)鍵技術(shù)如二次脈動抑制、接地電流抑制以及可靠的控制策略等進(jìn)行了深入研究，在20鏈節(jié)的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)中全面驗(yàn)證，并在國內(nèi)外期刊發(fā)表了多篇論文。最后，南方電網(wǎng)公司在深圳寶清儲能電站建設(shè)了2MW/2MVA/10kV高壓直掛儲能系統(tǒng)，本項(xiàng)目研究的關(guān)鍵技術(shù)實(shí)際指導(dǎo)了該系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，所研究的控制策略實(shí)際應(yīng)用于該儲能系統(tǒng)。 該儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)是世界上首次直掛 10kV電網(wǎng)的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，目前已經(jīng)順利運(yùn)行一年，在效率、可靠性等方面明顯優(yōu)于傳統(tǒng)儲能系統(tǒng)，為大容量電池儲能系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

本實(shí)用新型涉及一種變頻控制的振動磨，特別是一種能產(chǎn)生高振強(qiáng)的多波變正弦曲線變頻控制振動磨， 屬于振動利用工程技術(shù)領(lǐng)域。由電源、變頻器、振動磨、傳感器、記錄分析儀組成，變頻器接線一端與電 源相連接，變頻器接線另一端與振動磨的驅(qū)動電機(jī)相連接；變頻器上可以進(jìn)行多點(diǎn)頻率的變化輸入，以使 電機(jī)的輸入頻率按照設(shè)定的規(guī)律變化，從而驅(qū)動振動磨系統(tǒng)工作；傳感器依靠磁力置于振動磨磨筒上，傳 感器搭配積分電荷放大器使用，可將檢測的加速度信號及二次積分即振幅信號，傳輸給記錄分析儀，進(jìn)而可以確定振動磨的振強(qiáng)、振幅變化曲線，便于調(diào)整變頻器的變化規(guī)律，進(jìn)行控制程序編制，對振動磨機(jī)實(shí) 施變頻控制。

本發(fā)明公開了一種帶有多孔泡沫金屬換熱結(jié)構(gòu)的太陽能光伏光熱集熱器，該集熱器采用上下雙冷卻通道結(jié)構(gòu)，并結(jié)合多孔泡沫金屬層(6)進(jìn)行換熱強(qiáng)化，降低了太陽能光伏元件的溫度，提高光伏元件發(fā)電效率，同時將太陽能光伏元件所產(chǎn)生的大量熱量及時傳遞給冷卻氣體，冷卻氣體從集熱器出氣口(11)排出后可以用于預(yù)熱、干燥或者室內(nèi)供暖等用途。本發(fā)明所使用的泡沫金屬具有高熱導(dǎo)率及高比表面積，可以有效地改善傳統(tǒng)太陽能光伏光熱集熱器的冷卻效率，并且采用下進(jìn)上出的流式，使得換熱過程接近逆流換熱，換熱效率達(dá)到最高。

通過超高真空分子束外延技術(shù)，在SrTiO3襯底上成功制備出宏觀尺度的單原胞層（厚度小于1納米）高溫超導(dǎo)體FeSe與FeTe0.5Se0.5單晶薄膜，其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度大約在60 K左右，并通過原位掃描隧道顯微鏡和隧道譜技術(shù)對其中的超導(dǎo)配對機(jī)制進(jìn)行了深入研究。?? 原位掃描隧道顯微鏡觀測表明沉積的Fe原子處于薄膜上層的Te/Se原子間隙處。由于沉積密度極低，F(xiàn)e原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近無近鄰Fe原子團(tuán)簇。系統(tǒng)的原位超高真空（~10-10 mbar）掃描隧道譜實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對特定的吸附原子/單層FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合強(qiáng)度[數(shù)量占比約13% (15%)]，F(xiàn)e吸附原子上可觀測到尖銳的零能電導(dǎo)峰（圖1）。該電導(dǎo)峰緊密分布在吸附原子附近，衰減長度~3 A，且遠(yuǎn)離吸附原子時不劈裂。變溫實(shí)驗(yàn)表明，零能電導(dǎo)峰在遠(yuǎn)低于超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度時即消失，可初步排除Kondo效應(yīng)、常規(guī)雜質(zhì)散射態(tài)等解釋（圖2A和圖2B）。進(jìn)一步的控制實(shí)驗(yàn)和分析顯示，零能電導(dǎo)峰半高寬嚴(yán)格由溫度和儀器展寬限制、在近鄰雙Fe原子情形不劈裂、服從馬約拉納標(biāo)度方程，這些結(jié)果均與馬約拉納零能模的唯象學(xué)特征吻合（圖2C-圖2G）。對沉積于單層FeSe薄膜與FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，結(jié)果基本相同。相比于單層FeSe，統(tǒng)計(jì)結(jié)果表明單層FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中觀測到零能束縛態(tài)的幾率更高且信號更強(qiáng)。波士頓學(xué)院汪自強(qiáng)教授和合作者曾在理論上提出，無外加磁場時，強(qiáng)自旋-軌道耦合s波超導(dǎo)體間隙磁雜質(zhì)可產(chǎn)生量子反常磁通渦旋。理論上如果單層FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空間反演對稱破缺而具有較強(qiáng)的Rashba自旋-軌道耦合, Fe原子的磁矩局域破壞時間反演對稱，可以使量子反常渦旋“承載”馬約拉納零能模。對單層FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理論也預(yù)測存在拓?fù)浞瞧接瓜唷Ｔ诙S拓?fù)涑瑢?dǎo)體中，馬約拉納零能模也會產(chǎn)生于Fe原子誘導(dǎo)的量子反常渦旋中的束縛態(tài)。因此，實(shí)驗(yàn)中觀測到的零能電導(dǎo)峰可歸因于Fe吸附原子引起的局域量子反常渦旋。更深入、具體的理解還有待于進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)和理論探索。這一工作將探索馬約拉納零能模的超導(dǎo)材料從三維拓展到二維、從低溫超導(dǎo)拓展到超過40 K超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度的高溫超導(dǎo)體系，同時無需外加磁場，觀測到的零能束縛態(tài)原則上可操縱、“存活”溫度明顯提升。這些優(yōu)勢為未來實(shí)現(xiàn)可應(yīng)用的拓?fù)淞孔颖忍靥峁┝丝赡艿姆桨浮?

浙大650千瓦機(jī)組在2017年就完成了廠內(nèi)和現(xiàn)場并網(wǎng)發(fā)電試驗(yàn)。此后，浙大摘箬山島海洋能試驗(yàn)電站根據(jù)國家需要，數(shù)次騰出650千瓦機(jī)組試驗(yàn)泊位為國內(nèi)包括國電集團(tuán)（和浙大共同承擔(dān)國家自然資源部項(xiàng)目）、哈電集團(tuán)、杭州江河水電等單位研制的300千瓦樣機(jī)提供實(shí)海況試驗(yàn)支撐。其間，650千瓦機(jī)組也根據(jù)階段性海試信息優(yōu)化改進(jìn)。此次疫后“復(fù)工發(fā)電”的改進(jìn)型650千瓦機(jī)組，葉輪結(jié)構(gòu)和工藝進(jìn)一步優(yōu)化，軸向推力載荷有所減小，防腐防砂抗磨損的性能進(jìn)一步強(qiáng)化。我國東部沿海是世界上海流能功率密度最大的地區(qū)之一。浙江舟山群島附近水道平均功率密度在每平方米20千瓦以上，開發(fā)環(huán)境和利用條件十分有利。日益成熟的海流能發(fā)電裝備將有效滿足無電、無水、無人島嶼和離島的特殊供電需求，實(shí)現(xiàn)就地取能、海能海用。

本實(shí)用新型公開了一種帶有平行翅片迂回流道的雙效太陽能平板集熱裝置，包括有外殼、玻璃蓋板和位于外殼內(nèi)的集熱板，集熱板上分布有集熱水管，集熱水管上連接進(jìn)水口、出水口，外殼的兩端設(shè)有空氣進(jìn)口、空氣出口，空氣出口通過管道與風(fēng)機(jī)相連接，集熱板上位于集熱水管的縫隙處焊接有多個平行翅片，各平行翅片的上沿與玻璃蓋板接觸。本實(shí)用新型可以實(shí)現(xiàn)太陽能集熱器同時給水和空氣進(jìn)行加熱，具有綜合集熱效率高、運(yùn)行穩(wěn)定、節(jié)省空間，成本低等優(yōu)點(diǎn)。

合成的一種定位三氟甲基取代的高效有機(jī)太陽能電池受體材料，該材料可通過H/J聚集的協(xié)同作用形成具有更多電子跳躍傳輸結(jié)點(diǎn)的三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，可極大改善電荷在分子間的傳輸，大幅提高器件性能。