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一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件及其加工方法
本發明公開了一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件，包括單片集成的六軸微慣性器件、玻璃襯底、金屬電極、金屬引線、SOI蓋帽和SOI密封墻；六軸微慣性器件通過陽極鍵合工藝鍵合在玻璃襯底上；金屬電極為一個以上，均勻設置在玻璃襯底一側，金屬電極通過金屬引線與六軸微慣性器件相接，SOI蓋帽設在玻璃襯底正上方，SOI密封腔設在SOI蓋帽和SOI密封墻之間，形成空腔結構；每個金屬電極正上方的SOI蓋帽上設有梯形電極孔，梯形電極孔正下方的SOI密封墻上設有垂直貫通；梯形電極孔、垂直貫通與金屬電極一一對應。本發明具有全解耦、質量小、結構精巧、成本低和便于批量生產等優點，在單個器件內同時實現了對三軸的加速度和角速度的檢測，應用范圍廣，有著良好的市場前景。
東南大學
2021-04-11
一種用于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置
本發明屬于電子元器件的封裝設備技術領域，并公開了一種用 于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置，包括水平工作臺、熱壓 機構、驅動機構和調距機構等，其中熱壓機構被設計為雙路結構，并 用于實現料帶的封合，保證壓力的一致性，進而完成料帶的良好熱封； 驅動機構用于驅動熱壓機構實現垂直方向的上下運動；調距機構用于 調節工作臺兩側的間距以及兩側壓頭的間距，進而實現適應不同寬度 的料帶的熱封。通過本發明，能實現單側壓頭的溫度均勻分布，兩側 壓頭溫度和壓力的一致性以及不同寬度的料帶的良好熱封，同時具備 結構緊湊，便
華中科技大學
2021-01-12
基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測器件及其驅動方法
本發明公開了一種基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測器件及其驅動方法，采用薄膜晶體管基板，并采用化學溶液法制備ＰｂＳ或者Ｇｅ半導體量子點，作為光電轉換材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低溫旋涂、噴墨打印或者轉印等方法，沉積可傳感紅外信號的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子點層；在量子點光電轉換層上利用濺射方法制備對紅外吸收較少的公共導電層；薄膜晶體管背板的像素源電極、量子點光電轉換層，以及透明電極構成紅外光敏電阻結構，該光敏電阻吸收紅外信號后，產生光生載流子，從而改變電阻的阻值。本發明提出的紅外探測器件成像面積大，
東南大學
2021-04-14
有機光電器件中的薄膜電導率提高機理技術研究
本成果通過有機光電器件中有機薄膜的缺陷態來揭示： 1. 有機半導體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級排布或者出現的界面能級釘扎的機理； 3. 缺陷態的存在對器件中載流子傳輸的影響； 4. 使用有效的有機、無機材料摻雜來極大的提高有機半導體薄膜的電導率。從而獲得以有效、簡單的使用方法來提高有機光電器件的性能。
揚州大學
2021-04-14
一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法
本發明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖維層、保護層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極，并選擇合適的靜電紡絲參數沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維進行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉換效率，尤其是對彎曲運動機械能的捕獲效果。
華中科技大學
2021-04-14
東北師范大學在憶阻材料與器件領域取得重要進展
憶阻器具有運行功耗低、讀寫速度快、集成密度高等優勢，在信息存儲、邏輯運算、類腦計算等領域有重要應用，被視為推進信息技術發展的一種變革性技術。
東北師范大學
2022-06-08
一種可調控的空間電磁感應透明超材料器件
本發明公開了一種可調控的空間電磁感應透明超材料器件。該 器件包括基板和位于基板上的能產生電磁感應透明現象的金屬單元陣 列；所述金屬單元陣列包括多個陣列分布的金屬單元，所述金屬單元 包括第一金屬微結構和第二金屬微結構，所述第一金屬微結構包括第 一金屬圖形，所述第二金屬微結構包括第二金屬圖形，所述第一金屬 微結構和/或所述第二金屬微結構還包括半導體元件。本發明能有效解 決現有技術中不能簡單快速地對電磁感應透明超材料的工作
華中科技大學
2021-04-14
基于同質器件架構的感算存一體化神經形態硬件
該成果創新性地基于二維半導體的硅基同質器件，首次提出了類腦功能的“傳感-計算-存儲一體化”神經形態芯片架構，實現了光電傳感、放大運算、信息存儲功能的一體化集成，為突破馮·諾依曼瓶頸和實現類腦智能提供了一種全新思路。
繆向水教授團隊，長期從事相變存儲器芯片、存算一體憶阻器芯片技術研究。2018年出版了國內第一本憶阻器專著《憶阻器導論》，2019年團隊93項三維相變存儲器芯片專利許可給芯片公司并合作開發產品，并與行業龍頭企業合作建立了聯合實驗室，推動存儲器芯片技術的成果轉化以及未來引領技術的探索。曾榮獲國家科技進步獎2項、湖北省技術發明一等獎1項。
同質晶體管-存儲器架構的原理及器件結構
繆向水團隊長期從事相變存儲器芯片、存算一體憶阻器芯片技術研究。2018年出版了國內第一本憶阻器專著《憶阻器導論》，2019年團隊93項三維相變存儲器芯片專利許可給芯片公司并合作開發產品，并與行業龍頭企業合作建立了聯合實驗室，推動存儲器芯片技術的成果轉化以及未來引領技術的探索。曾榮獲國家科技進步獎2項、湖北省技術發明一等獎1項。
華中科技大學
2022-08-12
一種水平極化翻轉的鐵電憶阻器件及其制備方法
本發明公開一種水平極化翻轉的鐵電憶阻器件及其制備方法。該水平極化翻轉的鐵電憶阻器件包括柔性襯底；二維鐵電功能層，形成在所述柔性襯底上；第一平面電極和第二平面電極，形成在所述二維鐵電功能層兩側；將所述第二平面電極接地，當未在所述第一平面電極施加電壓時，二維鐵電功能層中極化方向無序，器件處于常態；當在所述第一平面電極施加正電壓時，所述二維鐵電功能層中的電疇發生水平極化翻轉，極化方向由第一平面電極端朝向第二平面電極端，器件轉變為低阻態；當在所述第一平面電極施加負電壓時，鐵電層中的電疇發生水平極化翻轉，極化方向由第二平面電極端朝向第一平面電極端，器件轉變為高阻態。
復旦大學
2021-01-12
基于二維材料的超短溝道非易失閃存器件及其制備方法
本發明屬于半導體存儲器技術領域，具體為一種基于二維材料的超短溝道非易失閃存器件及其制備方法。本發明通過原子級薄層溝道和柵疊層設計降低特征長度，從而促進器件尺寸微縮；該器件通過能帶設計和范德華堆疊高質量界面降低隧穿勢壘，實現十納秒級編程/擦除速度和非易失特性；器件的短溝道通過垂直沉積和傾斜沉積兩步法工藝實現，且溝道長度能夠通過改變電極厚度和沉積角度來調控。本發明能在不使用先進光刻技術前提下，實現亞10nm溝道長度，突破硅基閃存器件的溝道長度微縮瓶頸，為新型高速非易失存儲器的高密度集成提供新解決方案。
復旦大學
2021-01-12