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一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管
本實(shí)用新型公開了一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管是自下而上依次有藍(lán)寶石襯底層或硅襯底層、氮化鎵層、銀量子點(diǎn)層、石墨烯層，在氮化鎵層上還設(shè)有側(cè)面電極，在石墨烯層上設(shè)有正面電極，所述的氮化鎵層厚度為2～10μm；本實(shí)用新型的石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管利用銀量子點(diǎn)表面等離子體增強(qiáng)發(fā)光，同時(shí)結(jié)合石墨烯材料的高透光性、高導(dǎo)電性和氮化鎵優(yōu)異的發(fā)光性能，正反偏壓下均可發(fā)光且波段多樣，亮度高，制備工藝簡(jiǎn)單，成本低。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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一種FRP約束PVC管-鋼管內(nèi)填混凝土防火組合柱的制作方法
（專利號(hào)：ZL 201310543282.5） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種FRP約束PVC管-鋼管內(nèi)填混凝土防火組合柱的制作方法。該方法具體步驟為：（1）沿PVC管的環(huán)向每隔一定距離開槽，將浸透環(huán)氧樹脂的FRP條帶纏繞在PVC管開槽處，養(yǎng)護(hù)一定時(shí)間形成FRP約束PVC管；（2）在FRP約束PVC管內(nèi)粘貼縱向FRP加勁肋；（3）根據(jù)構(gòu)件承載力要求，在FRP約束PVC管內(nèi)設(shè)置鋼管；（4）在FRP約束PVC管和鋼管之間澆筑混凝土，養(yǎng)護(hù)至混凝土硬化；
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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納米線碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
研發(fā)階段/n內(nèi)容簡(jiǎn)介：納米線碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管涉及一種新型功率半導(dǎo)體器件制造技術(shù)。結(jié)合微電子技術(shù)工藝，構(gòu)造用納米線碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它具有高速、耐苛刻環(huán)境、低導(dǎo)通電阻等一系列特點(diǎn)，廣泛用于數(shù)字電子技術(shù)等領(lǐng)域。本產(chǎn)品獲得一項(xiàng)專利，專利號(hào)：200510018701.9。
湖北工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
鉑/碳納米管催化劑的制備及在糠醛催化加氫中的應(yīng)用
本發(fā)明涉及糠醛催化加氫技術(shù)，旨在提供一種鉑/碳納米管催化劑的制備及在糠醛催化加氫中的應(yīng)用。該催化劑的制備過程包括：取碳納米管放入濃硝酸室溫下進(jìn)行超聲和加熱攪拌回流處理，冷卻后取出浸泡、洗滌和抽濾，直至濾液中性；然后干燥備用；氯鉑酸稀溶液中加入處理過的碳納米管載體，在室溫下等體積浸漬、靜置后；磁力攪拌和溫水浴條件下蒸干水分后干燥；在使用之前，將催化劑置于氮?dú)浠旌蠚夥罩懈邷剡€原，得到鉑負(fù)載量為1.0wt％的鉑/碳納米管催化劑。本發(fā)明方法工藝簡(jiǎn)單，操作方便，能耗低，反應(yīng)中不需要加熱，且所用氫氣壓力較低。能在室溫條件下對(duì)糠醛進(jìn)行加氫，轉(zhuǎn)化率和選擇性較高。催化劑多次使用后仍能保持高活性，且基本不積碳。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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一種利用對(duì)染料吸附程度分析碳納米管羧基化程度的方法
專利名稱：
天津工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
一種由傳輸管連接壓縮裝置與回?zé)崞鞯牡蜏刂评錂C(jī)
本實(shí)用新型公開了一種由傳輸管連接壓縮裝置與回?zé)崞鞯牡蜏刂评錂C(jī)，包括依次連接的回?zé)崾綁嚎s裝置、傳輸管、預(yù)冷換熱器、低溫段回?zé)崞鳌⒒責(zé)崞骼涠藫Q熱器、連接管、脈管冷端換熱器、脈管以及調(diào)相機(jī)構(gòu)，還包括：低溫制冷模塊，用于向所述預(yù)冷換熱器提供預(yù)冷量；絕熱區(qū)域，用于將所述預(yù)冷換熱器與環(huán)境溫度隔絕；本實(shí)用新型用傳輸管代替高溫段回?zé)崞鬟B接室溫端的回?zé)崾綁嚎s裝置與低溫端的預(yù)冷換熱器，減小回?zé)崞鲗?dǎo)熱損失、氣固換熱損失和聲功損失，提高低溫制冷機(jī)的效率。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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高效率、大面積碳納米管 - 硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池
碳納米管-硅太陽能電池將具有優(yōu)異透明導(dǎo)電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結(jié)合，工藝簡(jiǎn)單，備受學(xué)術(shù)界關(guān)注。和目前光伏領(lǐng)域所研究的鈣鈦礦、半導(dǎo)體薄膜、量子點(diǎn)等材料相比，碳納米管-硅電池將傳統(tǒng)硅材料和新型碳納米材料兩者優(yōu)良的光電性能相結(jié)合，有望成為下一代光伏候選技術(shù)。和傳統(tǒng)晶體硅電池相比， 該電池省略了制備p-n結(jié)的熱擴(kuò)散工藝，小面積時(shí)無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導(dǎo)電性和載流子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優(yōu)點(diǎn)。目前， 該領(lǐng)域的典型結(jié)構(gòu)，無論是碳納米管-硅還是石墨烯-硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實(shí)際應(yīng)用還比較遙遠(yuǎn)。
北京大學(xué)
2021-01-12
高效率、大面積碳納米管 - 硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池
碳納米管-硅太陽能電池將具有優(yōu)異透明導(dǎo)電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結(jié)合，工藝簡(jiǎn)單，備受學(xué)術(shù)界關(guān)注。和目前光伏領(lǐng)域所研究的鈣鈦礦、半導(dǎo)體薄膜、量子點(diǎn)等材料相比，碳納米管 - 硅電池將傳統(tǒng)硅材料和新型碳納米材料兩者優(yōu)良的光電性能相結(jié)合，有望成為下一代光伏候選技術(shù)。和傳統(tǒng)晶體硅電池相比， 該電池省略了制備 p-n結(jié)的熱擴(kuò)散工藝，小面積時(shí)無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導(dǎo)電性和載流子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優(yōu)點(diǎn)。目前， 該領(lǐng)域的典型結(jié)構(gòu)，無論是碳納米管 - 硅還是石墨烯 - 硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實(shí)際應(yīng)用還比較遙遠(yuǎn)。
北京大學(xué)
2021-04-13
BC型裸片硅二極管溫度計(jì)低溫溫度傳感器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
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特點(diǎn)：
※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用；
※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-02-26