葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

與其它頁巖氣開發(fā)的壓裂技術(shù)相比，本技術(shù)方案主要具備以下技術(shù)優(yōu)勢及創(chuàng)新性:(1) CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)陸相頁巖氣實(shí)現(xiàn)了低水耗。據(jù)美國國家環(huán)境保護(hù)局(EPA)統(tǒng)計(jì)，2010 年單口頁巖氣井平均用水量在 0.76×104~2.39×104t(取 決于井深、水平段長度、壓裂規(guī)模)，采用 CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)國內(nèi)陸相頁巖 氣可有效減少對于水的用量，不浪費(fèi)水資源，不污染地下水。(2) CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)陸相頁巖氣對儲層傷害小。陸相頁巖氣儲層粘土 礦物含量高，水敏性較強(qiáng)，滑溜水壓裂液對儲層滲透率傷害嚴(yán)重，CO2 具有良好 的儲層保護(hù)性能，無殘?jiān)瑢α芽p壁面和導(dǎo)流床無固相傷害，無水相，消除了水 鎖及水敏傷害。(3) CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)陸相頁巖氣實(shí)現(xiàn)了快返排，國內(nèi)陸相頁巖氣儲層 壓力一般較低，壓后返排困難，返排時(shí)間長，大量壓裂液滯留于井下，CO2 干法 壓裂技術(shù)壓后 CO2 迅速氣化，快速排出，返排時(shí)間短，返排效率高。(4) 采用 CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)陸相頁巖氣藏具有提高頁巖氣采收率和減 排的雙重意義。頁巖氣藏中吸附氣含量范圍較寬，CO2 進(jìn)入頁巖儲層中時(shí)，可有 效置換 CH4 分子，極大的提高頁巖氣藏的采收率;同時(shí)，CO2 可在頁巖儲層中永 久性封存，對于減少溫室氣體排放有著積極的意義。(5) 適用于陸相頁巖氣儲層的 CO2 干法壓裂液配方的篩選及優(yōu)化。采用溶解 性及增粘實(shí)驗(yàn)篩選 CO2 增粘劑，并對不同工況下的改良的 CO2 干法壓裂液的流變 摩阻、濾失特性進(jìn)行研究，結(jié)合儲層特征優(yōu)化干法壓裂液配方，最終形成適用于 國內(nèi)典型陸相頁巖氣儲層的 CO2 干法壓裂液配方。(6) 陸相頁巖氣 CO2 干法壓裂工藝設(shè)計(jì)。在不加砂、加砂兩種狀況下，針對 國內(nèi)典型陸相頁巖氣儲層，分析施工過程中裂縫延伸及支撐機(jī)理，對 CO2 壓裂工 藝的管柱選擇、施工排量、砂比等壓裂施工參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，最終形成適用于國內(nèi) 典型陸相頁巖氣藏的干法壓裂技術(shù)工藝。(4)合作條件(1) 有獨(dú)立承擔(dān)民事責(zé)任能力的企業(yè)法人，具有良好的信譽(yù)基礎(chǔ)和積極向上 的事業(yè)激情。(2) 有相應(yīng)的投資能力，并且具備一定的市場開拓能力。(3) 有一定的啟動(dòng)資金和市場經(jīng)驗(yàn)，具備較強(qiáng)的品牌經(jīng)營意識。

本實(shí)用新型公開了一種電樞各相繞組線圈拆分布置的永磁同步直線電機(jī)，包括次級和初級，初級電樞繞組多相供電，相數(shù)為 q，每相采用單一線圈和獨(dú)立鐵芯，各鐵芯按其繞組電相位分開布置在次級上，然后用非導(dǎo)磁材料剛性聯(lián)接形成一個(gè)整體初級。不同相繞組線圈分開布置，在空間上形成了與旋轉(zhuǎn)電機(jī)相似的各相繞組對稱特性，能有效減小邊端磁阻力和電磁脈動(dòng)等推力波動(dòng)成分。本實(shí)用新型直線電機(jī)除具有一般直線電機(jī)具有的傳動(dòng)結(jié)構(gòu)簡單、系統(tǒng)加減速響應(yīng)快、定位精確等優(yōu)點(diǎn)外，還能大幅減少直線電機(jī)中各推力波動(dòng)成分，是一種尺寸小、推力大而波動(dòng)小的高性

本發(fā)明公開了一種碳?xì)淙紵鹧嬷袣庀鄩A金屬濃度的檢測方法， 該方法包括如下步驟：獲取火焰在可見光波長區(qū)域的自發(fā)射光譜強(qiáng)度， 并修正以獲得修正后的自發(fā)射光譜強(qiáng)度；根據(jù)火焰類型以及修正后的 自發(fā)射光譜強(qiáng)度計(jì)算獲得火焰溫度和堿金屬發(fā)射譜線強(qiáng)度；根據(jù)火焰 溫度和堿金屬發(fā)射譜線強(qiáng)度計(jì)算火焰中基態(tài)堿金屬原子數(shù)濃度，并計(jì) 算獲得火焰中總的堿金屬原子數(shù)濃度；根據(jù)碳?xì)淙紵鹧嬷锌偟膲A金 屬原子數(shù)濃度計(jì)算獲得火焰中氣相堿金屬的質(zhì)量濃度。本發(fā)明無需通 過標(biāo)定來確定模型系數(shù)，易于實(shí)現(xiàn)，適用于對高堿碳?xì)淙剂先紵鹧?中氣相堿金屬濃度的精確檢測。

傳統(tǒng)制備聚合物/層狀無機(jī)物納米復(fù)合材料的方法如插層復(fù)合法工藝復(fù)雜，需要加入增容劑或?qū)訝顭o機(jī)物進(jìn)行有機(jī)化處理，此外單體插層聚合涉及復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng)，而熔體插層則要求聚合物的熔體粘度低。針對傳統(tǒng)插層復(fù)合法存在的問題，本項(xiàng)目將固相力化學(xué)方法引入聚合物/層狀無機(jī)物納米復(fù)合材料領(lǐng)域，利用磨盤形力化學(xué)反應(yīng)器獨(dú)特的三維剪結(jié)構(gòu)所提供的強(qiáng)大擠壓剪切力場和粉碎、混合、分散及固相力化學(xué)反應(yīng)功能，在磨盤碾磨過程中同時(shí)實(shí)現(xiàn)層狀無機(jī)物的粉碎、片層滑移和剝離，聚合物的粉碎和嵌入，聚合物與無機(jī)填料的固相分散和混合，得到聚合物/層狀無機(jī)物復(fù)合粉體，再經(jīng)進(jìn)一步加工成型，可制備用途廣泛的聚合物/層狀無機(jī)物納米復(fù)合材料，如具有良好力學(xué)性能的結(jié)構(gòu)材料和具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱、電磁屏蔽、阻隔或隔音降噪的功能材料等。 主要技術(shù)指標(biāo)： 可制備具有良好力學(xué)性能的結(jié)構(gòu)材料及具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱、電磁屏蔽、阻隔或隔音降噪的功能材料等; 所制備的PP導(dǎo)電導(dǎo)熱納米復(fù)合材料的電導(dǎo)率可達(dá)5.2×10-4 S×cm-1，導(dǎo)熱率可達(dá)0.69 W×m-1×k-1; HDPE導(dǎo)電導(dǎo)熱納米復(fù)合材料的電導(dǎo)率可達(dá)10-3 S×cm-1, 導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá)2.2 W×m-1×k-1 建設(shè)投產(chǎn)條件（投入資金情況、需要的廠房、使用配套設(shè)施狀況等）： 需要帶分級裝置的磨盤形力化學(xué)反應(yīng)器、雙螺桿擠出機(jī)及注射/熱壓成型機(jī)。

基于對Mn-Bi-Te家族成員MnBi 2

本發(fā)明提供了一種耦合變壓器型直流斷路器用空芯脈沖變壓器 及其參數(shù)獲取方法，空芯脈沖變壓器包括原方繞組、副方繞組、原方 繞組高壓端、原方繞組低壓端、副方繞組高壓端、副方繞組低壓端、 副方繞組匝間絕緣膜、原方繞組匝間絕緣膜、主絕緣膜和絕緣支撐架； 副方繞組沿絕緣支撐架徑向繞制，副方繞組具有徑向電壓梯度，且副 方繞組的匝間絕緣由副方繞組匝間絕緣膜實(shí)現(xiàn)；副方繞組低壓端和原 方繞組低壓端之間采用主絕緣膜絕緣；原方繞組繞制在主絕緣膜外， 且原方繞組的匝間絕緣由原方繞組匝間絕緣膜實(shí)現(xiàn)。 

北京科技大學(xué)特種陶瓷研究室開發(fā)出一種自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷材料，其應(yīng)用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應(yīng)的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅多孔陶瓷的強(qiáng)度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結(jié)性能差。本項(xiàng)目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當(dāng)加工時(shí)，弱界面上會形成微裂紋，并沿弱界面發(fā)生偏轉(zhuǎn)，耗散裂紋擴(kuò)展的能量使裂紋擴(kuò)展終止；當(dāng)載荷繼續(xù)上升時(shí)，在下層的弱結(jié)合界面處將產(chǎn)生新的臨界裂紋再擴(kuò)展；如此反復(fù)，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴(kuò)展，斷裂漸次發(fā)生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項(xiàng)目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結(jié)工藝節(jié)約了原料成本。產(chǎn)品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應(yīng)器中進(jìn)行，燒結(jié)所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、反應(yīng)燒結(jié)）相比較，不需要高溫?zé)Y(jié)爐長時(shí)間燒結(jié)，大大節(jié)省了能源。本項(xiàng)目工藝簡單，燒結(jié)速度快，效率高。可制作復(fù)雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強(qiáng)度已做到188MPa，材料可加工性能優(yōu)良。 已獲中國發(fā)明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應(yīng)燒結(jié)Si3N4/BN復(fù)相可加工陶瓷的方法》。

北京科技大學(xué)液相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在華采招標(biāo)集團(tuán)有限公司電子郵箱獲取招標(biāo)文件，并于2022年07月11日13點(diǎn)30分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。

本發(fā)明公開了一種液相還原與氫處理制備碲化鎘粉末的方法，其工藝步驟為：按照Cd2+與Te(Ⅳ)的摩爾比為0.9～1.1的配比在酸中溶解鎘和碲的氧化物、氫氧化物或鹽，配制成Cd2+、Te(Ⅳ)的濃度為0.2～1mol/L的溶液；然后將該溶液置于恒溫水浴鍋中，恒溫溫度為20～90℃；接著滴加入濃度為0.2～1mol/L的還原劑溶液，并不斷攪拌，直至滴加入的還原劑的摩爾質(zhì)量達(dá)到Cd2+和Te(Ⅳ)離子物質(zhì)的量和的3～5倍為止；反應(yīng)結(jié)束后，將溶液過濾，濾出物置于真空干燥箱烘干，再置于通有流動(dòng)氫氣氣氛管式爐中或直接置于通有流動(dòng)氫氣的管式爐中，再在150℃～450℃下反應(yīng)0.5～4h，冷卻至室溫即得碲化鎘粉末。