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本發(fā)明公開(kāi)了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及 應(yīng)用。所述復(fù)合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導(dǎo)電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用

本發(fā)明屬于柔性膜質(zhì)量檢測(cè)設(shè)備相關(guān)領(lǐng)域，并公開(kāi)了一種適用 于對(duì)移動(dòng)中的柔性膜執(zhí)行標(biāo)識(shí)的多自由度打標(biāo)裝置，包括支撐組件、 傳動(dòng)組件、動(dòng)力組件、打標(biāo)針組件和記號(hào)筆組件，其中支撐組件可實(shí) 現(xiàn)打標(biāo)裝置的機(jī)械連接，同時(shí)還具有導(dǎo)向和位置調(diào)節(jié)的功能；動(dòng)力組 件為打標(biāo)裝置提供可控的動(dòng)力，傳動(dòng)組件可適于在運(yùn)動(dòng)中多自由度地 驅(qū)動(dòng)打標(biāo)針組件和記號(hào)筆組件，并提供高精度的打標(biāo)操作；打標(biāo)針組 件和記號(hào)筆組件分別可在柔性膜上打出針孔和顏色標(biāo)記，并檢測(cè)標(biāo)記 是否成功完成。通過(guò)本發(fā)明，在高速運(yùn)動(dòng)過(guò)程中也能夠高精度、穩(wěn)定 可靠地執(zhí)行打標(biāo)操作，而且反應(yīng)靈敏度高，因而尤其適用于 RFID 標(biāo) 簽之類對(duì)表面標(biāo)識(shí)質(zhì)量高的運(yùn)用場(chǎng)合。 

本發(fā)明涉及一種高效選擇性捕獲三價(jià)鉻離子的復(fù)合膜及其制備方法。所述復(fù)合膜由聚醚砜（PES）基膜、鋅離子與生物分子自組裝層以及ZIF?8金屬有機(jī)框架層組成。其制備方法包括：通過(guò)鄰苯三酚與氨基酸協(xié)同改性PES基膜表面，形成穩(wěn)定的負(fù)電荷層；利用靜電作用將鋅離子與生物分子自組裝于改性膜表面，并以此為基底原位生長(zhǎng)ZIF?8層。該復(fù)合膜通過(guò)ZIF?8的孔隙限域效應(yīng)及表面官能團(tuán)配位作用，實(shí)現(xiàn)對(duì)Cr3+的高效捕獲，吸附容量提升，截留率超過(guò)99%，且在復(fù)雜共存離子體系中表現(xiàn)出優(yōu)異的選擇性吸附性能。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對(duì)于濺射制備電阻膜來(lái)說(shuō)，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù)(TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí)會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級(jí)為千歐, 刻槽后數(shù)量級(jí)為兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜穩(wěn)定性高。通過(guò)在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來(lái)提高電阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過(guò)程中, 可通過(guò)通入微量的氧來(lái)提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。技術(shù)指標(biāo)如下：溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過(guò)載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議

三氟甲基化合物具有良好的化學(xué)及生物活性，被廣泛應(yīng)用于醫(yī)藥、化工、染料以及功能材料等領(lǐng)域。在烯烴官能團(tuán)化的工作基礎(chǔ)上，劉心元、譚斌課題組開(kāi)展了CF3自由基引發(fā)非活性烯烴和遠(yuǎn)程的酰胺α-C-H鍵的不對(duì)稱官能化的研究工作。課題組利用氰化亞銅和手性磷酸組成的協(xié)同催化體系構(gòu)建了含有CF3的手性縮醛胺化合物。在溫和的反應(yīng)條件下高效地實(shí)現(xiàn)了專一化學(xué)選擇性、高區(qū)域及高立體選擇性的非活性烯烴和遠(yuǎn)程酰胺的α-C-H鍵的不對(duì)稱官能團(tuán)化。