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一種變磁橋異步啟動(dòng)永磁同步電動(dòng)機(jī)
本發(fā)明公開了一種變磁橋異步啟動(dòng)永磁同步電動(dòng)機(jī)，包括定子 和轉(zhuǎn)子，定子與轉(zhuǎn)子通過氣隙分開；轉(zhuǎn)子包括轉(zhuǎn)子鐵芯、轉(zhuǎn)子鼠籠、 永磁體以及轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)子鐵芯安裝于轉(zhuǎn)軸上，永磁體安裝于轉(zhuǎn)子鐵芯上， 轉(zhuǎn)子鼠籠安裝于轉(zhuǎn)子鐵芯上，轉(zhuǎn)子鐵芯上設(shè)有隔磁磁橋，隔磁磁橋?qū)?度沿轉(zhuǎn)軸方向由兩端向中間減小。隔磁磁橋?qū)挾鹊臏p小，使整個(gè)軸向 上的隔磁磁橋磁阻有效增大，能夠提高轉(zhuǎn)子鐵芯的隔磁效果，同時(shí)轉(zhuǎn) 子鼠籠采用鋁水澆鑄成型，能夠抵消由于隔磁磁橋?qū)挾葴p少對(duì)轉(zhuǎn)子鐵 芯強(qiáng)度的削弱，使得轉(zhuǎn)子能夠兼顧好的隔磁效果和高的機(jī)械性能。且 該轉(zhuǎn)子鐵芯結(jié)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種磁光電混合存儲(chǔ)系統(tǒng)及其數(shù)據(jù)獲取和存儲(chǔ)方法
本發(fā)明公開了一種磁光電混合存儲(chǔ)系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括內(nèi)存、固 態(tài)盤存儲(chǔ)區(qū)、磁盤存儲(chǔ)區(qū)和光盤存儲(chǔ)區(qū)。上述三個(gè)存儲(chǔ)區(qū)區(qū)域在邏輯 上構(gòu)成統(tǒng)一的存儲(chǔ)空間，維護(hù)一個(gè)全局文件地址映射表，使得用戶或 者外部程序能夠以統(tǒng)一一致性的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)尋址和存取。當(dāng)存儲(chǔ)數(shù) 據(jù)時(shí)，該系統(tǒng)存儲(chǔ)管理區(qū)根據(jù)數(shù)據(jù)的存取行為，自動(dòng)在上述三個(gè)存儲(chǔ) 區(qū)選擇合適的物理存儲(chǔ)位置和數(shù)據(jù)組織方式。當(dāng)存取模式發(fā)生變化時(shí)， 存儲(chǔ)管理區(qū)動(dòng)態(tài)地選擇合適的物理存儲(chǔ)位置和數(shù)據(jù)組織方式
華中科技大學(xué)
2021-04-14
對(duì)具有導(dǎo)磁材料保護(hù)層的構(gòu)件腐蝕檢測(cè)方法及裝置
本發(fā)明提供了一種對(duì)具有導(dǎo)磁材料保護(hù)層的構(gòu)件腐蝕檢測(cè)方法，具體為：將導(dǎo)磁保護(hù)層磁化到飽和或深度飽和，在被測(cè)構(gòu)件表面選取參考區(qū)域和待測(cè)區(qū)域，在兩區(qū)域的保護(hù)層上設(shè)置脈沖渦流傳感器，向脈沖渦流傳感器激勵(lì)線圈中施加方波激勵(lì)，測(cè)取方波下降至低電平后傳感器檢測(cè)線圈內(nèi)感應(yīng)電壓的衰減曲線，比較兩區(qū)域的感應(yīng)電壓衰減曲線差異，即可判別待測(cè)區(qū)域相對(duì)參考區(qū)域的腐蝕情況。本發(fā)明還提供了實(shí)現(xiàn)上述方法的裝置，包括依次連接的脈沖渦流傳感器、方波信號(hào)激勵(lì)電路、信號(hào)處理電路、A/D 轉(zhuǎn)換電路和計(jì)算機(jī)，脈沖渦流傳感器帶有磁化單元。本發(fā)明提
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種動(dòng)磁式長(zhǎng)行程超精密直線運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)
本發(fā)明公開了一種動(dòng)磁式長(zhǎng)行程超精密直線運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，包括定 子線圈組件、氣浮支承組件和永磁體動(dòng)子組件，定子線圈組件包括定子氣浮導(dǎo)軌和電感組件；氣浮支承組件包括氣浮軸承；永磁體動(dòng)子組 件包括動(dòng)子基座、永磁體安裝座及永磁體組，動(dòng)子基座固定安裝在氣 浮軸承上，動(dòng)子基座向下設(shè)置永磁體安裝座，每個(gè)永磁體安裝座上安 裝一永磁體組，永磁體組包括多個(gè)永磁體，并且同一永磁體安裝座上 的永磁體的同一側(cè)磁場(chǎng)極性相同，以用于驅(qū)動(dòng)永磁體組和氣浮軸承沿 定子氣浮導(dǎo)軌的縱向移動(dòng)。本發(fā)明采用均勻布置的長(zhǎng)行程線圈繞組作 為定子，與傳統(tǒng)的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種磁環(huán)式測(cè)試基坑開挖引起地基隆起的裝置
本實(shí)用新型公開了一種磁環(huán)式測(cè)試基坑開挖引起地基隆起的裝置。包括保護(hù)鋼管、PVC管、卡位環(huán)、磁環(huán)、螺栓、加強(qiáng)環(huán)和圓管。保護(hù)鋼管通過測(cè)量平臺(tái)的槽鋼固定在混凝土支撐上，基坑每開挖一層土，用槽鋼將保護(hù)鋼管焊接到鋼支撐上；槽鋼搭建在混凝土支撐上，鋼板焊接在槽鋼上，在搭建的混凝土支撐和測(cè)量平臺(tái)周邊安裝柵欄，形成測(cè)試人行通道和測(cè)量平臺(tái)；PVC管用管接頭連接；多個(gè)磁環(huán)套在PVC管外，通過卡位環(huán)或是PVC管接頭控制磁環(huán)位置；磁環(huán)僅安裝上鋼彈片；圓管為鋼絲繩受力點(diǎn)；通過鋼絲繩上拔PVC管，使磁環(huán)和卡位環(huán)或PVC管接頭分離，實(shí)現(xiàn)隆起測(cè)試。本實(shí)用新型能保證磁環(huán)較為精確的埋設(shè)到設(shè)計(jì)位置；連續(xù)監(jiān)測(cè)基坑開挖引起的地基隆起。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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一種磁紡制備導(dǎo)電聚合物微納米纖維的方法
本發(fā)明公開了一種磁紡制備導(dǎo)電聚合物微納米纖維的方法，包括以下步驟：(1)搭建磁紡裝置：所述磁紡裝置包括帶有永磁鐵的旋轉(zhuǎn)收集圓盤；(2)配制紡絲前軀體溶液：磁性納米顆粒、高分子聚合物和導(dǎo)電聚合物混合溶于有機(jī)溶劑配溶液；(3)利用磁紡裝置制備導(dǎo)電聚合物微納米復(fù)合纖維：將紡絲前軀體溶液注入給料裝置中，開啟給料裝置，紡絲噴頭噴射口處的液滴在磁場(chǎng)力的作用下形成射流與永磁鐵搭連成橋，打開直流無刷電機(jī)帶動(dòng)收集圓盤旋轉(zhuǎn)，在磁場(chǎng)力作用下鐵磁流體射流不斷被拉出，在收集圓盤的豎直支柱間纏繞形成合導(dǎo)電聚合物微納米纖維。該方法無需高壓電作用，降低了生產(chǎn)成本和安全隱患，纖維排布有序，適合大規(guī)模生產(chǎn)，具有很好的應(yīng)用前景。
青島大學(xué)
2021-04-13
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一種記憶電機(jī)磁化狀態(tài)選擇與弱磁控制協(xié)同控制方法
本發(fā)明公開了一種定子永磁型記憶電機(jī)磁化狀態(tài)選擇與弱磁控制協(xié)同控制方法，通過在不同永磁磁化狀態(tài)下結(jié)合弱磁控制方法拓展定子永磁型記憶電機(jī)的恒功率工作范圍。該方法在不同的轉(zhuǎn)速區(qū)間采取不同的電流分配策略，優(yōu)化了電機(jī)的控制性能。與采用ｉｄ＝０的分段永磁磁通控制方法相比，該方法提高了電機(jī)在不同轉(zhuǎn)速區(qū)的轉(zhuǎn)矩輸出能力。同時(shí)，在恒定的負(fù)載轉(zhuǎn)矩下，該方法提高了定子永磁型記憶電機(jī)在不同轉(zhuǎn)速區(qū)間的效率。
東南大學(xué)
2021-04-11
低精度ADC與混合預(yù)編碼結(jié)合的毫米波傳輸方法及通信系統(tǒng)
本發(fā)明公開了低精度模數(shù)轉(zhuǎn)換（ADC）與混合預(yù)編碼結(jié)合的毫米波傳輸方法及通信系統(tǒng)，其中基站和用戶在波束掃描階段采用電子開關(guān)在低精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器和混合預(yù)編碼模塊間切換，在精確信道估計(jì)和數(shù)據(jù)傳輸階段均采用混合預(yù)編碼模塊。具體步驟：1、波束掃描階段基站選通混合預(yù)編碼模塊，將波束訓(xùn)練數(shù)據(jù)模擬預(yù)編碼后進(jìn)行波束掃描；2、用戶選通低精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器模塊，從接收數(shù)據(jù)中估計(jì)角度信息；3、用戶選通混合預(yù)編碼模塊，將波束訓(xùn)練數(shù)據(jù)模擬預(yù)編碼后進(jìn)行波束掃描或向基站反饋角度信息；4、基站選通低精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器模塊，從接收數(shù)據(jù)中獲取角度信息；5、精確信道估計(jì)和數(shù)據(jù)傳輸階段基站和用戶選通混合預(yù)編碼模塊，進(jìn)行精確信道估計(jì)和數(shù)據(jù)傳輸。
東南大學(xué)
2021-04-11
高性能光譜選擇性吸波元件及太陽能熱光伏系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種高性能光譜選擇性吸波元件及太陽能熱光伏系統(tǒng)，包括金屬基底、低折射率介質(zhì)第一薄膜、高折射率半導(dǎo)體納米方塊陣列、低折射率介質(zhì)第二薄膜和低折射率介質(zhì)第三薄膜；低折射率介質(zhì)第一薄膜均勻覆蓋在金屬基底上，其上構(gòu)建棋盤狀周期排列的高折射率半導(dǎo)體納米方塊陣列，在高折射率半導(dǎo)體納米方塊陣列之間填充低折射率介質(zhì)第二薄膜，在其頂部覆蓋低折射率介質(zhì)第三薄膜。本發(fā)明通過對(duì)金屬表面介質(zhì)薄膜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，獲得良好的光譜選擇性；通過選擇不同的金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)材料，和（或）改變結(jié)構(gòu)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)靈活的截止波長(zhǎng)調(diào)控及光譜選擇性；本發(fā)明同樣適用于耐高溫的金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)材料，可在太陽能熱光伏系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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一種基于衛(wèi)星通信的大當(dāng)量裝藥沖擊波威力測(cè)試系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種基于衛(wèi)星通信的大當(dāng)量裝藥沖擊波威力測(cè)試系統(tǒng),該系統(tǒng)包括布設(shè)于大當(dāng)量裝藥沖擊波的測(cè)試現(xiàn)場(chǎng),用于以測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)的爆炸沖擊波壓力為觸發(fā)信號(hào)采集沖擊波信號(hào)的數(shù)據(jù)采集單元、用于監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)采集單元的工作狀態(tài)、完成數(shù)據(jù)采集單元的工作參數(shù)設(shè)置以及試驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)和采集數(shù)據(jù)的處理與顯示的控制終端,以及用于將數(shù)據(jù)采集單元采集的沖擊波信號(hào)發(fā)送至控制終端,并將控制終端的控制信號(hào)發(fā)送至數(shù)據(jù)采集單元的移動(dòng)衛(wèi)星通信終端；
北京理工大學(xué)
2021-04-10