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產品詳細介紹萬深RootGA根系動態生長監測分析和顯微成像系統1、用途：定時自動成像霧培、水培、瓊脂培養基培、土培、沙培的盆栽農作物根系，并動態監測其根系生長速度，動態跟蹤根系細微結構、根尖數和根毛變化，以及根尖病變情況，宏觀動態統計分析不同時刻點根系的整體發展變化，還可分析洗凈根系情況，獲得根系生長的動態數據，以便科學客觀地評價植物生長質量相應關鍵因素，如分析：光照、水肥、溫濕度環境對生長與抗逆性的影響。2、系統組成：多組的自動對焦800萬像素多關節的大景深拍攝儀+背光套件+透明培養器皿套件，連續變焦單筒體視測量顯微鏡、500萬像素顯微相機、手動X-Y移動顯微平臺+上下光源，根系分析軟件和電腦（酷睿i5 8400 CPU /8G內存/500G硬盤/1G顯存/ 19.5”彩顯/無線網卡）。3、 主要性能指標：1）多關節的大景深拍攝儀+背光成像套件可在植物側面等位置上，在不同時刻點自動拍照跟蹤監測根系，自動生成根系的整體發展變化和生長的動態數據，動態圖示標記活體根系每天的新生長區和統計其對應的新生長根量，包括不同深度位置上的根量變化。系統具備對根系生長異常的預警機制。該動態跟蹤分析的根系成像視野為240mm寬*380mm高，自動拍照分析的時間間隔0.5-48小時可調（若定時拍照時間點前接入電腦，即可自動啟動拍照。1臺電腦能自動輪巡監測10個視野以內的作物植株原位根系動態變化（標配默認提供4套動態生長監測成像硬件，若要實時監測10個視野的作物植株原位根系，需配10套拍照成像組件）。1分鐘內自動拍完全部照片后，該監控電腦即可另做他用（不用被獨占）。2）可按被監控根系分塊區域圖像顯示根量隨時間變化的密度熱力圖，各部位的變化精細度可由分塊監控大小來自定義控制。根系軟件能自動生成根系生長的視頻，以便按時間節點來回溯查看。3）可對原位土培根系圖像進行交互引導分析、鎖定編輯根系路徑、修正根系的長短、粗細、位置等。具有鼠標編輯點的跟隨放大鏡。能自動拼接多張原位根系圖。4）可做洗凈根系分析：1)根總長；2)根平均直徑；3)根總面積；4)根總體積；5)根尖計數；6)分叉計數；7)交疊計數；8)根直徑等級分布參數；9)根尖段長分布，10)可不等間距地自定義分段直徑，自動測量各直徑段長度、投影面積、表面積、體積 等，及其分布參數；11)能進行根系的顏色分析，確定出根系存活數量，輸出不同顏色根系的直徑、長度、投影面積、表面積、體積。12)能進行根系的拓撲分析，自動確定根的連接數、關系角等，還能單獨地自動分析主根或任意一支側根的長度和分叉數等，可單獨顯示標記根系的任意直徑段相應各參數（分檔數、檔直徑范圍任意可改，可不等間距地自定義），并能進行根的分叉裁剪、合并、連接等修正，修正操作能回退，以快速獲得100%正確的結果。13)能用盒維數法自動測根系分形維數。可分析根瘤菌體積在根系中的占比，以客觀確定根瘤菌體貢獻量。14)大批量的全自動根系分析，對各分析結果圖可編輯修正。15)能做根系生物量分布的大批量自動化估算。16)能自動測量油菜、大豆等果莢的果柄、果身、果喙部分的粗細、長、弧長、玄高等參數。能自動測量各種粒的芒長。17)能測各類針葉的葉面積、長度、粗細。18)各分析圖像、分布圖、結果數據可保存，分析結果輸出至Excel表，可輸出分析標記圖。5）可單筒體視顯微鏡500萬像素彩色成像（最高可放大270倍），能自動拼接多張顯微根系圖，可分辨小至0.01mm的根毛，方便觀察根際細微結構、根尖數和根毛變化，以及根尖病變情況；手動X-Y移動顯微平臺可二維掃描微觀根系，獲得超高分辨率的大幅面根系圖像。

產品詳細介紹 　　SOC710VP? 便攜高光譜成像光譜儀, 可以隨時隨地獲得光譜影像！ 無論是在溫室、 野外或者實驗室，SOC710VP 都能實時獲得400-1000nm波長范圍內的光譜數據。　　在農林業、植物科學、礦業、水環境及海洋學等應用領域內，SOC710VP 都是非常理想的高光譜成像系統，SOC710VP性能高、超便攜、堅固且性價比高。12-bit動態范圍的陣列成像CCD和精確的出廠標定使得獲得的數據誤差非常小。　　SOC710VP 采用內置掃描設計，不需要沉重且耗電的掃描云臺，設計非常緊湊、使用方便、便攜。USB 2.0 接口方便和各種電腦連接。軟件界面簡單易用。分析功能包括比色法、光譜輻射線測定和遙感方法。高質量數據：　　SOC710VP具有新式內置掃描設計及12-bit動態范圍的陣列成像CCD，能夠獲得的400-1000nm波長范圍的高質量數據。SOC710VP還配備了美國NIST（美國國家標準與技術研究院）溯源校準板，確保數據的準確性靈活性：　　SOC710VP可在飛機--通量塔--地面等不同尺度測量光譜數據并成像，或連接生物顯微鏡，測量微觀樣品的光譜信息；還可以進行定點長期連續測量，適應于各種應用環境便攜性：　　SOC710VP重量只有3Kgs，可以安裝在三腳架上進行野外移動式測量，USB接口方便和電腦連接使用    易用性：　　利用特制的多功能野外操作支架，SOC710可以非常方便地實現垂直向下測量，而不需要額外配備任何沉重耗電的其他部件，當然，這也得益于SOC系列成像光譜儀的內置式掃描設計。SOC710還可以僅通過多功能支架，即可實現360°掃描，使得野外操作極為便捷。下面是SOC710垂直使用示意圖，不需增加其他任何部件。技術參數：　光譜范圍：400-1000 nm　速度：30 行/秒    每行像素：696　23.2 秒/cube (696 by 520 cube)　分 辨 率：4.6875 nm　波　　段：128個　鏡頭類型：C-Mount　動態范圍：12-bit　重量：2.95 Kg (6.5 lbs)　校　　準：美國NIST溯源標準的校準板　尺寸：9.5 x 16.8 x 22cm  (3.75 x 6.62 x 8.66in.)　焦　　距：可調 (基于所用鏡頭)　耗電：12-VDC / 100-240VAC (50-60Hz)　　系統包括SOC分析軟件用來標定和數據分析，數據存儲格式為二進制，也可以通過第三方高光譜分析軟件讀取，如：ENVI軟件品牌發展　　SOC具有20多年光譜成像經驗，在實時光譜成像領域里具有多項專利，獲得美國海軍及陸軍多次SBIR獎，并獲得美國NASA科技創新獎軟件支持　　軟件更新，常見問題解答 ，軟件培訓和系統標定文檔都可從SOC在線支持站點下載 系統要求：　　Windows XP系統　　USB 2.0 接口　　1 G內存　　Intel Atom? class 處理器應用領域(僅列舉部分)： 環境遙感　　遙感定標　　地面驗證　　分類制圖　　航空遙感農林植物　　精準農業　　土地分類　　脅迫生理　　作物健康（病/蟲害檢測）　　果實品質檢測 水色水環境　　水質光譜測量　　藻類葉綠素測量　　水色遙感生物醫藥/食品　　顯微分析　　生化分析機械視察　　表面檢查　　機械視覺產地：美國SOC

一、產品介紹        光電成像基礎與應用實訓平臺包括CCD和CMOS兩大方面，這兩方面原理與應用是《光電技術》和《圖像傳感器應用技術》課程重要章節，也是教學的難點章節，因此，monxyuan開發了光電成像基礎與應用實訓平臺。該平臺采用搭建式、開放式設計，直觀展現了線陣CCD、面陣CCD和CMOS的工作原理，并且設置了工程實際檢測的實驗，是學生理解和認識CCD和CMOS工作原理與實際應用的最理想的教學實驗系統。 二、教學目的 1、了解并掌握線/面陣CCD和CMOS的原理； 2、了解線/面陣CCD和CMOS的軟件使用方法； 3、了解并掌握面陣CCD和CMOS信號處理方法； 4、了解并掌握運用面陣CCD和CMOS進行尺寸測量和圖像處理的方法； 5、了解并掌握學生掌握線陣CCD的幾種典型的應用； 三、實驗內容 1、面陣CCD 原理與驅動實驗； 2、面陣CCD 數據采集與計算機接口實驗； 3、面陣CCD 邊緣與輪廓檢測； 4、面陣CCD物體尺寸測量實驗； 5、面陣CCD 圖像的點運算； 6、面陣CCD 圖像的幾何變換； 7、面陣CCD 圖像采集與參數設置； 8、面陣CCD 投影與差影圖像分析； 9、面陣CCD 圖像的濾波與增強； 10、面陣CCD 形態學處理； 11、面陣CCD 旋轉與縮放； 12、面陣CCD 顏色識別與變換； 13、面陣CCD圖像采集程序設計；  14、線陣CCD 工作原理與驅動波形觀測； 15、線陣CCD 模擬輸出信號的調整； 16、通過采集卡對線陣CCD的模擬輸出信號進行A/D轉換和數據采集； 17、通過軟件浮動閾值對CCD的輸出信號進行二值化處理； 18、利用線陣CCD 對物體尺寸進行非接觸的實時測量； 19、利用線陣CCD 對物體的角度進行測量； 20、利用線陣CCD 測量物體的振動； 21、利用線陣CCD識別一維條形碼； 22、利用線陣CCD掃描物體的二維圖像； 23、利用外置相機進行實物尺寸測量 24、用硬件提取邊緣信號的二值化 25、CMOS原理與驅動實驗； 26、CMOS數據采集實驗； 27、CMOS圖像采集程序設計 28、CMOS用于邊緣與輪廓檢測實驗； 29、CMOS用于物體的尺寸測量實驗； 30、CMOS用于圖像采集與參數設置實驗； 31、CMOS用于投影與差影圖像分析實驗； 32、CMOS用于圖像的濾波與增強實驗； 33、CMOS用于顏色識別與變換實驗； 34、擴展性實驗     （1）通過提供的CPLD程序，學生可以了解CPLD對外圍器件的控制；     （2）有能力的學生還可以自己編程來產生方波；     （3）通過提供的SDK和DEMO程序，編寫程序來采集擴展相機的數字信號；     （4）利用擴展相機并編寫軟件進行其他如尺寸測量等實驗等； 四、配套文件資料 1、實驗指導書1本； 2、實驗軟件1套； 3、實驗錄像光盤1套；    客戶自行配置電腦及示波器    

軟磁復合材料的共性技術研發難題，有關軟磁復合材料及應用領域的人才

本發明公開了一種基于MEMS傳感器和VLC定位融合的雙粒子濾波導航裝置和方法，包括MEMS傳感器、INS模塊、PDR定位模塊、VLC定位模塊、測姿粒子濾波器和定位粒子濾波器；本發明在測姿濾波器的設計中，三維姿態誤差和三軸陀螺儀漂移作為6維的狀態向量。基于慣導機械編排的誤差方程作為其系統方程，用于更新粒子狀態。觀測方程包括加速度計觀測量更新和磁力計觀測量更新，用于計算粒子權重。測姿濾波器輸出VLC接收器的姿態給VLC定位模塊以校正姿態的影響。在定位濾波器的設計中，二維平面的位置信息作為系統狀態向量，基于行人航位推算的誤差方程作為系統方程，而VLC的定位結果則作為定位濾波器的觀測方程。

本發明公開了一種基于MEMS傳感器和VLC定位融合的單粒子濾波導航裝置和方法，包括MEMS傳感器、INS模塊、VLC定位模塊、PDR定位模塊和測姿定位單粒子濾波器模塊；本發明中基于INS慣導機械編排的誤差方程作為融合濾波器的系統方程，用于對粒子群的粒子進行更新。觀測方程包括VLC定位信息更新、PDR定位信息更新和磁力計觀測量更新，用于計算各個粒子的權重。輸出姿態信息給VLC定位模塊和PDR定位模塊。本發明首次在VLC定位領域使用融合測姿準確估計VLC接收器的姿態信息，解決VLC定位容易受接收器姿態影響以及在光信號被遮擋情況下定位不連續的問題，并消除姿態對VLC定位的影響。

該研究工作首先使用DFT理論計算了fcc相與hcp相Ru的Wulff平衡結構模型里各個表面的CO解離勢壘。CO解離通常被認為是費托合成的決速步，而CO解離勢壘的大小可以反映出催化劑的費托合成活性。計算結果表明hcp相Ru（0001）面的Step-B臺階位具有最低的CO解離勢壘，但在真實納米粒子體系中較難暴露，而fcc相Ru具有（100）、（211）面以及（111）面Step-B臺階位等一系列CO解離勢壘較低的表面，有可能具有非常好的費托合成催化活性。   根據DFT計算結果，設計合成了以fcc相Pt納米晶為核，外延生長fcc相Ru的Pt-Ru core-shell結構納米催化劑。該催化劑在393-433 K的較低溫度下即表現出遠高于hcp相Ru的費托合成催化活性，433 K下活性可達 37.8 molCO·molRu-1·h-1 ，這是目前相同溫度下報道的活性最高的費托合成催化劑。同時該催化劑也具有非常好的產物選擇性與穩定性。經過對催化劑結構的詳細表征，利用STEM、XAFS、XRD等手段對該fcc Pt-Ru納米催化劑的結構進行了模擬重建，證實了該催化劑具有超高活性位密度，表面大量暴露Ru（100）、（211）以及（311）等具有優異的CO活化能力的結構，   其活性位密度是此前最好的hcp Ru催化劑的1-2個數量級以上。證明了fcc Ru催化劑相比hcp Ru具有更好催化性能的本質是具有更密集的催化活性位點。

本發明公開了一種核殼結構CuO@γ?Al2O3復合粒子的制備方法，其先將十二水硫酸鋁鉀和尿素按摩爾比為1：2加入去離子水中攪拌，得溶液A；在葡萄糖水溶液中逐滴加入乙酸銅溶液攪拌，得溶液B；將溶液A逐滴滴加至溶液B中攪拌，并加熱反應得沉淀物，沉淀物經過濾、干燥；置于馬弗爐中，以升溫速率為2～3°C/min升溫至500～600°C，并保持2～4h，得到CuO為內核、γ?Al2O3為殼層的核殼結構CuO@γ?Al2O3復合粒子。本發明采用水熱法一步合成技術，未采用有機溶劑、不產生工業廢水，綠色環保；且制備

本發明公開了一種三角波激勵磁場下磁性納米粒子粒徑分布測量系統及方法，屬于納米測試技術領域。本發明在準確測量三角波激勵磁場和磁性納米粒子磁化強度信號的基礎上，得到磁性納米粒子的磁化曲線。再將磁化曲線在 Matlab 最優化工具箱中進行擬合，最終得到磁性納米粒子的粒徑分布。磁性納米粒子的磁化曲線可以在實驗裝·747·置上獲取，不需要借助其他外部磁場測量設備,測量成本低。利用全局搜索等優化算法可以從磁化曲線中

發明了一種無機/有機雜化納米粒子, 與有機物和高聚物的相容性好，將其添加到環氧樹脂或各種涂料中，能夠提高材料的玻璃化溫度，增強材料的耐高溫性能，同時還可以提高材料的耐沖擊性能和阻燃性能。 經濟技術指標與應用效果：按 10% 重量比添加該雜化物到環氧樹脂中，可提高環氧樹脂的玻璃化溫度 15o C,提高維卡軟化溫度 13o C,提高抗沖擊強度 3 倍。提高抗氧指數提高 52%。實驗室應用效果顯著。 創新要點：納米雜化物合成方法簡單，成本低廉，對環氧樹脂的改性效果顯著。 效益分析：根據投資規模確定。