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本項目自主研發了亞氨基二芐催化脫氫制亞氨茋工藝及催化脫氫鐵系催化劑，并在中試研究的基礎上，在國內企業實現了產業化。 亞氨茋是制備卡馬西平、奧卡西平等藥物的重要中間體，國內企業生 產產品除作為國內企業的生產原料外，部分銷往國際市場。 這一成果使亞氨茋產品實現了完全無溴，由于生產技術先進、產品不含溴，使生產企業的這一產品變成了我國在國際市場的強勢品種， 研究技術的產業化，大幅度的提高了生產企業該產品的國際市場占有份額，為生產企業帶來了較大的經濟效益。 2008年，由何鳴元院士主持的科技成果

液壓彈簧式直接拉伸試驗用三爪卡盤限位巖石試樣固定裝置，由下位夾具和上位夾具組成，下位夾具包括與試驗機底部加載座連接的下接頭、固定試樣的下端帽、連接下接頭與下端帽的下鏈條、第一螺旋彈簧、第一中心限位機構、第二中心限位機構和第一液壓機構，上位夾具包括與試驗機頂部加載座連接的上接頭、固定試樣的上端帽、連接上接頭與上端帽的上鏈條、第二螺旋彈簧、第三中心限位機構、第四中心限位機構和第二液壓機構；第一中心限位機構、第二中心限位機構、第三中心限位機構和第四中心限位機構均由三爪卡盤、支撐件和轉接板組成；第一液壓機構、第二液壓機構的結構相同，均包括圓環形活塞及與圓環形活塞組合的圓環形油缸。

本發明公開了一種固定化的洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶及其制備方法。所述固定化的洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶，包括碳納米管基質和洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶，所述洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶通過親和吸附和/或共價結合的方式結合在碳納米管基質的開放端口、表面和內壁。所述制備方法包括以下步驟：(1)硫酸超聲處理碳納米管；(2)制備碳納米管與洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶混合液；(3)將碳納米管與洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶混合液在 4℃至 60℃下，振蕩反應，獲得所述固定化的洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶。本發明提供的固定化的洋蔥伯克霍爾德菌脂肪酶增

本發明公開了一種兩性硅膠固定相及其制備方法和在及其在樣品分離中的應用。本發明以無水甲苯 作為溶劑，將硅膠與叔氨基硅烷偶聯劑和羧基硅烷偶聯劑混合，在三乙胺存在下回流或室溫反應，即得 到鍵合有叔氨基官能團和羧基官能團的兩性硅膠固定相。本發明液相色譜硅膠固定相的制備方法簡單， 

本發明提供了一種機床固定結合部動力學參數的識別方法，將結合部單元結構阻尼矩陣和結合部單元剛度矩陣作為參數變量，以位移阻抗矩陣和位移頻響函數之積與單位矩陣之差最小為優化設計目標，通過多次迭代得到的參數變量值即為識別出的結合部參數。本發明考慮了多個關鍵自由度方向的阻尼和剛度及其相互耦合關系，避免了矩陣求逆所帶入的二次誤差，精度高，更加準確表征結合部更豐富的動力學特性。

? 氨式法HCN固定床反應器是當前應用較多的由天然氣生成HCN的生成裝置，利用金屬鉑作催化劑，在1600℃高溫下反應合成HCN。該反應器對反應溫度、氣體純度、氣體配比和流速等都有很高的要求。國際上先進的氨式法反應器的收率一般都在78~82％，而國內該種反應器在2000年之前的收率基本都只有45％左右，操作穩定性差，存在一定的安全隱患。低收率造成該種反應器在當時使用普及度不高，也同時使HCN產品鏈主要依靠石化副產物的HCN，從而對產能有很大的約束。氨式法HCN固定床反應器計算機優化控制技術通

海洋微藻生物固定燃煤煙氣中 CO2 的性能與機理研究，該研究的 2 篇論 文入選 ESI 高被引論文，受到世界范圍內相關研究領域科研工作者的關注。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發明涉及一種半導體發光與顯示器件的制備方法，具體地說，是涉及一種基于紫外光激發的白光發射器件及其制備方法，屬光電集成技術領域。該制備方法包括如下步驟：清洗硅片、在清洗后的硅片上制備多孔硅、在多孔硅上沉積氮化鋁薄膜、用紫外光照射氮化鋁薄膜，得到在可見光區發光的白光發射器件。 技術推廣意向：半導體發光與顯示領域技術創新：本發明具有如下的有益效果：器件結構簡單，無污染，制備成本低；不需要熒光粉，發光效率高；發光性能穩定，光譜波長范圍寬。

本發明公開了一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無鉛釬料，屬于金屬材料類及冶金領域釬焊材料。該種無鉛釬料中的納米Al顆粒的含量為0.01~1%，納米CeO2的含量為0.01~1%，Ag的含量為0.5~4.5%，Cu的含量為0.2~1.5%，余量為Sn。使用市售的Sn錠、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按設計所需成分配比，預先熔化，然后加入納米顆粒，采用高能超聲攪拌的制造工藝冶煉無鉛釬料，為防止元素的燒損在惰性氣體保護氣氛中冶煉、澆鑄成棒材，然后通過擠壓、拉拔即得到所需要的釬料絲材，也可將新釬料制備成焊膏使用。本無鉛釬料對應無鉛焊點的抗疲勞特性和抗跌落特性得到顯著提高。