葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)傳輸線、兩個(gè)熱電偶和一個(gè)隔直電容所構(gòu)成，每個(gè)熱電偶

本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)間接式毫米波相位檢測器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)終端電阻以及熱電堆所構(gòu)成，熱電堆是由兩種不同的半導(dǎo)體

本發(fā)明的硅基微機(jī)械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測器，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率合成／分配器和間接加熱式微波功率傳感器。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)結(jié)構(gòu)相同的懸臂梁在ＣＰＷ中央信號(hào)線上方，用于耦合部分待測信號(hào)，通過錨區(qū)與功率合成器相連，耦合信號(hào)的功率相等，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號(hào)線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號(hào)通過功率分配器分成兩路信號(hào)，分別與兩路懸臂梁耦合的信號(hào)通過功率合成器合成，功率合成器的輸出端連接到間接加熱式微波功

  該項(xiàng)目在利用微生物細(xì)胞中的酶進(jìn)行生物催化生產(chǎn)手征性化合物時(shí)采用過程集成技術(shù)，通過分離與反應(yīng)耦合優(yōu)化生產(chǎn)過程，大大提高了生物催化轉(zhuǎn)化體系的效率，降低生產(chǎn)成本，簡化生產(chǎn)過程，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的L-蘋果酸與L-丙氨酸創(chuàng)新的生產(chǎn)工藝流程。采用反應(yīng)與分離耦合技術(shù)，對(duì)系統(tǒng)整體過程的集成優(yōu)化，可通過分離耦合解決反應(yīng)過程轉(zhuǎn)化率低的問題，通

本發(fā)明提供一種經(jīng) GPU 加速的浸沒邊界-格子玻爾茲曼流固耦合模擬方法，步驟如下：在專業(yè)前處 理軟件中建立待測結(jié)構(gòu)體及其內(nèi)部流體的浸沒邊界體型，并劃分邊界網(wǎng)格以供程序讀??；程序讀取邊界 體型數(shù)據(jù)，設(shè)置所需測量點(diǎn)的邊界條件和程序模型參數(shù)；根據(jù)邊界當(dāng)前時(shí)刻構(gòu)型和參考構(gòu)型利用有限元 法計(jì)算邊界施加在流體上的作用力；將邊界的作用力經(jīng)由狄拉克函數(shù)擴(kuò)散至周邊流體；利用格子玻爾茲 曼方法求解攜帶外力項(xiàng)的納維-斯托克斯方程；同樣經(jīng)由狄拉克函數(shù)將流體速度插值到邊界上得到邊界 的移動(dòng)速度，進(jìn)而更新邊界位置；重復(fù)步驟 3-6，直至達(dá)到計(jì)算終點(diǎn)。本發(fā)明能夠處理任意形狀的結(jié)構(gòu) 體，計(jì)算過程中不需要重構(gòu)底層流體網(wǎng)格，計(jì)算效率高。 

本發(fā)明公開了一種耦合運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于肩部康復(fù)訓(xùn)練裝置中，包括第一肩部組件及與該第一肩部組件可相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)的第二肩部組件，其中，第一肩部組件上設(shè)置有第一圓盤組件，第二肩部組件上設(shè)置有第二圓盤組件，且該第一圓盤組件與第二圓盤組件通過繩索連接，所述第一圓盤組件上的可在第一方向旋轉(zhuǎn)的可旋轉(zhuǎn)部件的旋轉(zhuǎn)可驅(qū)動(dòng)所述第二肩部組件相對(duì)該第一肩部組件轉(zhuǎn)動(dòng)，從而對(duì)所述繩索產(chǎn)生作用力，進(jìn)而可驅(qū)動(dòng)所述第二圓盤組件上的可旋轉(zhuǎn)部件在第二方向上的旋轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)多自由度的耦合運(yùn)動(dòng)。本發(fā)明還公開了一種應(yīng)用上述機(jī)構(gòu)的肩關(guān)節(jié)康復(fù)訓(xùn)練裝置。通過本

本實(shí)用新型公開了一種耦合運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于肩部康復(fù)訓(xùn)練裝置中，包括第一肩部組件及與該第一肩部組件可相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)的第二肩部組件，其中，第一肩部組件上設(shè)置有第一圓盤組件，第二肩部組件上設(shè)置有第二圓盤組件，且該第一圓盤組件與第二圓盤組件通過繩索連接，所述第一圓盤組件上的可在第一方向旋轉(zhuǎn)的可旋轉(zhuǎn)部件的旋轉(zhuǎn)可驅(qū)動(dòng)所述第二肩部組件相對(duì)該第一肩部組件轉(zhuǎn)動(dòng)，從而對(duì)所述繩索產(chǎn)生作用力，進(jìn)而可驅(qū)動(dòng)所述第二圓盤組件上的可旋轉(zhuǎn)部件在第二方向上的旋轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)多自由度的耦合運(yùn)動(dòng)。本實(shí)用新型還公開了一種應(yīng)用上述機(jī)構(gòu)的肩關(guān)節(jié)康復(fù)訓(xùn)練裝置

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)工程學(xué)院陳楊研究員、吳東教授、褚家如教授聯(lián)合團(tuán)隊(duì)與新加坡國立大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程系Cheng-Wei Qiu教授團(tuán)隊(duì)合作，首次實(shí)現(xiàn)弱手性物質(zhì)誘導(dǎo)下的兩個(gè)光學(xué)模式之間的強(qiáng)耦合，并理論驗(yàn)證了對(duì)手性物質(zhì)圓二色性（CD）信號(hào)增強(qiáng)三個(gè)數(shù)量級(jí)。

一種局部自適應(yīng)可控浸潤性耦合微結(jié)構(gòu)強(qiáng)化沸騰換熱方法具體為：在換熱基底微結(jié)構(gòu)頂部設(shè)置電極膜，電極膜與金屬電極連接至電源形成電場，換熱工質(zhì)中帶電金屬納米顆粒在電場作用下間歇吸附于換熱表面，實(shí)現(xiàn)換熱表面浸潤性的可控轉(zhuǎn)換；所述金屬電極固定在換熱基底外部；金屬電極優(yōu)選為銅電極、鋁電極，形狀優(yōu)選為板狀、網(wǎng)狀或棒狀。 所述換熱基底材料為金屬如紫銅或單晶硅、藍(lán)寶石、石墨烯等非金屬，可以理解的是，換熱領(lǐng)域常用的換熱材料均適用于本發(fā)明，優(yōu)選導(dǎo)熱性良好的基底材料。換熱基底形狀為平板、圓管或異形，其中異形為換熱領(lǐng)域常見換熱器形狀。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)為尺寸為納米級(jí)或微米級(jí)的微柱、微坑或微槽道；可以理解的是，現(xiàn)有技術(shù)中，所有用于提高換熱效率的微結(jié)構(gòu)均適用于本發(fā)明，優(yōu)選為納米級(jí)或微米級(jí)的方形微柱、矩形微柱、半球形微坑或圓柱形微坑。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)的排列方式為規(guī)則排列如陣列式、交錯(cuò)式排列，或?yàn)椴灰?guī)則排列。所述電極膜通過電極引線引出，以將電極膜連通并連接至電源；換熱基底、電極膜、電極引線的表面均絕緣。所述表面絕緣可以通過在表面設(shè)置絕緣層實(shí)現(xiàn)，所述絕緣層厚度為百納米級(jí)。其中，換熱基底材料為單晶硅等非導(dǎo)電材料時(shí)，則無需設(shè)置絕緣層。所述絕緣層材料為惰性金屬、金屬氧化物、陶瓷或硅膠；優(yōu)選導(dǎo)熱性優(yōu)良的絕緣材料，可以通過摻雜導(dǎo)熱性優(yōu)良材料的方式來提高絕緣材料導(dǎo)熱性。所述電極膜、電極引線材料為導(dǎo)電材料；優(yōu)選為金屬，進(jìn)一步優(yōu)選為金、銀、銅或鋁。 所述電極膜厚度為百納米級(jí)。所述帶電金屬納米顆粒具有均勻親水性表面、均勻疏水性表面或雙親浸潤性表面；親水、疏水或雙親浸潤性表面通過改性獲得；帶電金屬納米顆粒尺度為納米級(jí)、微米級(jí)，形狀規(guī)則或不規(guī)則，優(yōu)選為球形或柱形。所述帶電金屬納米顆粒浸潤性與換熱基底的浸潤性不同，用于改變換熱表面浸潤性。如換熱基底表面為親水（或疏水），帶電金屬納米顆粒表面為疏水（或親水），也可以具有雙親浸潤性。所述電源為直流電源或交流電源；其中直流電源通過通、斷電實(shí)現(xiàn)電場可控；交流電源通過控制交流頻率實(shí)現(xiàn)電場可控，交流頻率根據(jù)沸騰氣泡動(dòng)力學(xué)周期調(diào)節(jié)。