|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
大學(xué).jpg){kind=logo}
一種碳化硅納米線的制備方法
本發(fā)明涉及一種碳化硅納米線的制備方法領(lǐng)域。本發(fā)明所述的碳化硅納米線的制備 方法如下：將不含氧的碳硅烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內(nèi)，將剛玉坩堝或剛玉舟放在耐高 溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內(nèi)氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰 性氣體保護(hù)，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－3 小時(shí)后自然 降到室溫。由本發(fā)明所述的碳化硅納米線的制備方法所得產(chǎn)物均為碳化硅納米線，長度 比現(xiàn)有的方法制備的碳化硅納米線提高了 2 個(gè)量級，且制備方法簡單，原料便宜易得， 設(shè)備要求簡化，成本低。
同濟(jì)大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
碳化硅納米粉體分離分級方法與技術(shù)
項(xiàng)目成果/簡介:創(chuàng)新了一種納米顆粒的分離方法并實(shí)現(xiàn)了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗(yàn)證方法及其實(shí)現(xiàn)裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達(dá)到分離和分級的目的。技術(shù)方面涉及不同粒徑（質(zhì)量）納米顆粒的荷電狀態(tài)、在電場中的運(yùn)動速度（及其分布）、給料時(shí)間間隔、顆粒落點(diǎn)以及收集周期等多種因素的復(fù)雜作用及其之間的優(yōu)化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統(tǒng)分離方法相比，本方法和技術(shù)不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調(diào)節(jié)，分離效果好，可使分離效率大幅提高。應(yīng)用范圍:本項(xiàng)目采用的方法和技術(shù)不是用于納米顆粒的制備，而是將已有的不同粒徑納米顆粒的混料進(jìn)行分離和分級。效益分析:可用于具有納米顆粒分離、分級需求的廣泛場合，如電子器件、集成電路制膜的原料準(zhǔn)備和光學(xué)、電子、醫(yī)療等精密部件的磨料準(zhǔn)備，應(yīng)用潛力巨大。知識產(chǎn)權(quán)類型:發(fā)明專利知識產(chǎn)權(quán)編號:ZL201610401673.7技術(shù)先進(jìn)程度:達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平成果獲得方式:與企業(yè)合作獲得政府支持情況:無
蘭州大學(xué)
2021-04-10
碳化硅納米粉體分離分級方法與技術(shù)
創(chuàng)新了一種納米顆粒的分離方法并實(shí)現(xiàn)了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗(yàn)證方法及其實(shí)現(xiàn)裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達(dá)到分離和分級的目的。技術(shù)方面涉及不同粒徑（質(zhì)量）納米顆粒的荷電狀態(tài)、在電場中的運(yùn)動速度（及其分布）、給料時(shí)間間隔、顆粒落點(diǎn)以及收集周期等多種因素的復(fù)雜作用及其之間的優(yōu)化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統(tǒng)分離方法相比，本方法和技術(shù)不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調(diào)節(jié)，分離效果好，可使分離效率大幅提高。
蘭州大學(xué)
2021-05-11
.jpg){kind=logo}
高性能碳化硅熱電偶保護(hù)管開發(fā)
碳化硅工程陶瓷材料具有優(yōu)異的高溫性能，能夠滿足高溫和嚴(yán)酷環(huán)境使用環(huán)境。碳化硅工程陶瓷在工業(yè)領(lǐng)域具有最廣泛的應(yīng)用前景、并可能在較短時(shí)間內(nèi)形成產(chǎn)業(yè)化規(guī)模，有巨大的市場潛力。國家科委在“九五”科技攻關(guān)項(xiàng)目“結(jié)構(gòu)陶瓷產(chǎn)品開發(fā)”中安排了“高性能碳化硅熱電偶保護(hù)管開發(fā)”的專題。通過產(chǎn)品開發(fā)牽引形成若干具有特色的高性能碳化硅陶瓷材料制備技術(shù)。
西安交通大學(xué)
2021-01-12
院.jpg){kind=logo}
玉米秸稈水熱碳化制取水熱焦炭的研究
本項(xiàng)目組長期從事水熱制取炭基材料的研究，近三年在 Bioresource Technology、Applied thermal engineeringEnergy Conversion and Managements太陽能學(xué)報(bào)等期刊發(fā)表SCI、EI論文5 篇，授權(quán)發(fā)明專利《一種利用生物質(zhì)制備水熱焦的方法》（專利號 ZL201510070287. X）,提出的處理方法與工藝以典型農(nóng)業(yè)廢物玉米秸稈 為原料，在高溫高壓反應(yīng)釜中，進(jìn)行反應(yīng)溫度為180~290°C,停留時(shí)間 為480min的水熱碳化實(shí)驗(yàn)研究，
南京工程學(xué)院
2021-01-12
Nature刊發(fā)華理朱為宏教授團(tuán)隊(duì)最新研究成果
國際權(quán)威學(xué)術(shù)期刊《自然》（Nature）以“Reconstructedcovalentorganicframeworks”為題，在線報(bào)道了華東理工大學(xué)材料生物學(xué)與動態(tài)化學(xué)教育部前沿科學(xué)中心、化學(xué)與分子工程學(xué)院朱為宏教授、田禾院士和英國利物浦大學(xué)AndrewCooper教授基于動態(tài)化學(xué)構(gòu)筑共價(jià)有機(jī)框架材料研究取得的突破性進(jìn)展。
華東理工大學(xué)
2022-04-08
.jpg){kind=logo}
一種納米級碳化釩粉末的制備方法
本發(fā)明提供了一種納米級碳化釩粉末的制備方法。其特征是:以粉狀釩酸銨、碳質(zhì)還原劑和微量稀土等催化劑為原料,按一定配比將它們?nèi)苡谌ルx子水或蒸餾水中,并攪拌均勻,制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥,最后得到含有釩源和碳源的前驅(qū)體粉末。將前驅(qū)體粉末置于高溫反應(yīng)爐中,真空或氣氛保護(hù)條件下,于800～950℃、30～60min條件下碳化得到平均粒徑<100nm,粒度分布均勻的碳化釩粉末。本方法具有反應(yīng)溫度低、反應(yīng)時(shí)間短、生產(chǎn)成本低、工藝簡單等特點(diǎn),適合工業(yè)化生產(chǎn)納米級碳化釩粉末。
四川大學(xué)
2021-04-11
大學(xué).jpg){kind=logo}
新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開關(guān)及其制備方法
（專利號：ZL 201310038265.6） 簡介：本發(fā)明公開一種新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開關(guān)及其制備方法，屬于寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構(gòu)成，在所述襯底的硅面上有一層導(dǎo)電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導(dǎo)電類型的摻雜層，從內(nèi)到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側(cè)設(shè)置有開關(guān)的陽極
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
.jpg){kind=logo}
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點(diǎn)，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發(fā)電、列車牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機(jī)等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實(shí)用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽(yù)為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前基于國內(nèi)工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學(xué)
2021-04-10
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。
電子科技大學(xué)
2021-04-10