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硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器
本發明的硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導傳輸線、非對稱共面帶線和一個隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波
東南大學
2021-04-14
高結晶性銀粉及晶硅太陽能電池正面銀漿
本項目是通過控制液相還原條件下銀納米晶的成核和生長速度，可以得到 單分散的、高結晶性的單晶銀納米粉；通過引入銀納米晶核，控制溶液相中均 79 相成核和晶體的各向異性生長，可以制備單分散的、高結晶性的銀微米粉，進 而制得太陽能電池正面銀漿。
山東大學
2021-04-13
一種耐高溫納米硅薄膜二極管及其制備技術
該成果是一種用熱絲化學氣相沉積(HWCVD)方法進行低成本的耐高溫二極管制備的技術，它采用高熔點的鎢或鉭絲作為催化分解熱絲，對通入生長腔體中的氣體進行快速分解，通過控制熱絲溫度、H2稀釋比、襯底溫度和生長氣壓等參數，可以實現不同導電類型的納米硅薄膜的沉積和相關二極管的制備，制備的納米硅薄膜大面積均勻，載流子濃度和遷移率可控性好。 該成果主要面向微電子器件制造行業，如集成電路、大功率器件、特種環境探測器和傳感器、光伏產業、發光器件等相關領域。 該成果
南京航空航天大學
2021-04-14
高結晶性銀粉及晶硅太陽能電池正面銀漿
本項目是通過控制液相還原條件下銀納米晶的成核和生長速度，可以得到單分散的、高結晶性的單晶銀納米粉；通過引入銀納米晶核，控制溶液相中均相成核和晶體的各向異性生長，可以制備單分散的、高結晶性的銀微米粉，進而制得太陽能電池正面銀漿。
山東大學
2021-04-14
中國科大實現硅基量子芯片中自旋軌道耦合強度的高效調控
郭國平教授、李海歐教授等人與中科院物理所張建軍研究員、紐約州立大學布法羅分校胡學東教授以及本源量子計算有限公司合作，在硅基鍺空穴量子點中實現了自旋軌道耦合強度的高效調控，為該體系實現自旋軌道開關以及提升自旋量子比特的品質提供了重要的指導意義。
中國科學技術大學
2022-06-02
金屬元素分析儀, 錳磷硅分析儀,分析儀器
產品詳細介紹 南京金牛高速分析儀器有限公司專業制造各類鋼鐵成分分析儀器,鑄造生鐵化驗儀,有色金屬分析儀，多元素分析儀，高頻紅外碳硫分析儀，電腦碳硫分析儀，五大元素分析儀等高速分析儀器，產品高、中、低檔齊全。一、碳硫主要技術指標：1、測量范圍：碳0.02％～6.00％ 硫0.002％～2.00％;2、測量時間：C、 S約45秒;3、測量精度：符合GB/T223.69-97 GB/T223.68-97標準;二、元素分析主要技術指標：1、分析方法：光電比色分析法;2、量程范圍：吸光度值0～1.999A、濃度值0～99.99％;3、測量精度：符合GB223.3－5.88標準;4、可測元素：錳、磷、硅、鎳、鉬、鉻、鈦、銅、鉛、鋅、鐵、鋁、鎂、稀土、鈮、釩等元素的分析;5、電源電壓：220v±10% 50Hz ;三、碳硫主要特點：1、氣體容量法差壓式定碳、碘量法定硫；2、單片機控制電路，工作過程全自動操作、徹底消除人為誤差、性能穩定可靠；3、進口精密傳感器檢測數據，測量準確，自動打印測量結果。4、啟動一次完成碳硫全部測定。操作簡單、維修方便。四、元素分析主要特點：1、零點、滿度均可自動調整，無需準確調整，直讀吸光度或百分比含量，自動打印結果，包括爐號、日期、濃度百分含量；2、采用單片機控制電路，可儲存15條曲線；3、采用精密觸摸式鍵盤，32鍵音響提示，操作簡單、適用、穩定性好；4、更換不同的冷光源或濾光片，可擴大測量元素的種類和含量范圍；5、采用先進的光電轉換技術，適用于各種金屬材料化驗。
南京金牛高速分析儀器有限公司
2021-08-23
硅二極管溫度傳感器錦正茂非標定制
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-07-28
酸性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法
本發明公開了一種酸性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法。采用酸性烤藍工藝在軟磁合金粉末表面包覆由尺寸均勻的納米Fe3O4形成的包覆層，經粘結、壓制成型、熱處理工藝，制備新型的軟磁復合材料。本發明的優點是：采用酸性烤藍工藝制備Fe3O4方法簡單，并且容易控制Fe3O4層的厚度, 由于該反應是原位反應，因此制備的絕緣層致密，與磁粉的結合度高。與傳統的軟磁復合材料相比，由于絕緣層為亞鐵磁性的Fe3O4，有效減少了磁稀釋現象，從而可以得到具有高飽和磁通密度、高磁導率的軟磁復合材料。
浙江大學
2021-04-11
堿性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法
本發明公開了一種堿性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法。采用堿性烤藍工藝使磁粉表面氧化生成一層均勻的Fe3O4的絕緣層，然后經粘結、壓制成型、熱處理工藝，制備新型軟磁復合材料。本發明的優點是：采用堿性烤藍工藝制備的Fe3O4是在軟磁粉末的表面原位生長，因此絕緣包覆層與磁粉之間結合度高，并且包覆均勻致密；由于Fe3O4具有較高的電阻率，因此具有較好的絕緣效果；另一方面，用亞鐵磁性的Fe3O4作為絕緣包覆劑，克服了傳統非磁性物質作為包覆劑的磁稀釋現象，可以獲得更高的磁導率及磁通密度；堿性烤藍工藝操作簡單，成本較低，有利于實現工業化生產。
浙江大學
2021-04-11
密封真空光纖饋通法蘭真空室導光半導體和薄膜處理應用
北京錦正茂科技有限公司
2022-01-25