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面向大功率開關(guān)電源器件的鐵硅粉芯關(guān)鍵生產(chǎn)工藝開發(fā)
：鐵硅粉芯是一種新型復合軟磁材料，主要用于 替代傳統(tǒng)開了氣隙的硅鋼、鐵氧體及非晶等材料，作為電感器 和電抗器的磁芯，用于對直流疊加要求較高的大功率光伏逆變 器、風電變流器、電動汽車充電機、變頻空調(diào)、有源濾波器、 UPS 電源等新能源與節(jié)能電力電子系統(tǒng)。 鐵硅粉芯在器件中的作用是實現(xiàn)電磁能量轉(zhuǎn)換，其與繞制 線圈一起組成的各種磁性器件在電力電子系統(tǒng)中起到功率因數(shù) 校正和濾波
合肥工業(yè)大學
2021-04-14
一種多點接觸模式下的大面積納米壓印硅模具加工方法
一種多點接觸模式下的大面積納米壓印硅模具加工方法，它將硅(100)單晶片置于多微球的多點接觸板垂直下方位置，再使硅片與多點接觸板兩者垂直相對運動至發(fā)生接觸，并達到一定接觸載荷F；使多點接觸板和硅片按照既定軌跡相對運動，進行刻劃；刻劃后，將硅片放入質(zhì)量分數(shù)為15～25％的KOH溶液中腐蝕一段分鐘，即可得到具有預先設(shè)定結(jié)構(gòu)的納米壓印硅模具。該方法在多點接觸模式下進行，可以方便地控制所加工納米壓印硅模具的圖案、排列方式等；刻劃過程中硅片與多點接觸板始終保持平行狀態(tài)。該方法的設(shè)備和原材料成本低，操作簡便、步驟簡單，能一次性完成大面積的硅(100)單晶片納米壓印模具加工，具有明顯的低成本、高效率的特點。
西南交通大學
2016-10-20
一種摻雜硅量子點發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜，透明導電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點，同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強電子空穴的輻射復 合。此外，利用銀納
華中科技大學
2021-04-14
一種有機硅改性劑在改性熱固性酚醛樹脂中的應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種有機硅改性劑在改性熱固性酚醛樹脂中的應(yīng)用，該有機硅改性劑制備容易，經(jīng)過該有機硅改性劑改性的酚醛樹脂體系均一性好，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。以苯酚，甲醛溶液和該有機硅改性劑為原料，經(jīng)堿催化縮合可制得一類熱固性酚醛樹脂，其結(jié)構(gòu)特征在于酚醛樹脂分子中化學鍵合了聚二甲基硅氧烷鏈段。本發(fā)明制備的改性酚醛樹脂不易受潮，固化后的材料韌性和耐熱性能優(yōu)異，將其應(yīng)用于浸漬料制備的材料韌性要優(yōu)于一般的酚醛樹脂制品，亦可作為制備高性能摩擦材料等復合材料的粘合劑，能有效提高粘結(jié)處的剪切強度，不易脫膠。
浙江大學
2021-04-13
高效率、大面積碳納米管 - 硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池
碳納米管-硅太陽能電池將具有優(yōu)異透明導電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結(jié)合，工藝簡單，備受學術(shù)界關(guān)注。和目前光伏領(lǐng)域所研究的鈣鈦礦、半導體薄膜、量子點等材料相比，碳納米管-硅電池將傳統(tǒng)硅材料和新型碳納米材料兩者優(yōu)良的光電性能相結(jié)合，有望成為下一代光伏候選技術(shù)。和傳統(tǒng)晶體硅電池相比， 該電池省略了制備p-n結(jié)的熱擴散工藝，小面積時無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導電性和載流子遷移率遠遠高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優(yōu)點。目前， 該領(lǐng)域的典型結(jié)構(gòu)，無論是碳納米管-硅還是石墨烯-硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實際應(yīng)用還比較遙遠。
北京大學
2021-01-12
高效率、大面積碳納米管 - 硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池
碳納米管-硅太陽能電池將具有優(yōu)異透明導電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結(jié)合，工藝簡單，備受學術(shù)界關(guān)注。和目前光伏領(lǐng)域所研究的鈣鈦礦、半導體薄膜、量子點等材料相比，碳納米管 - 硅電池將傳統(tǒng)硅材料和新型碳納米材料兩者優(yōu)良的光電性能相結(jié)合，有望成為下一代光伏候選技術(shù)。和傳統(tǒng)晶體硅電池相比， 該電池省略了制備 p-n結(jié)的熱擴散工藝，小面積時無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導電性和載流子遷移率遠遠高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優(yōu)點。目前， 該領(lǐng)域的典型結(jié)構(gòu)，無論是碳納米管 - 硅還是石墨烯 - 硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實際應(yīng)用還比較遙遠。
北京大學
2021-04-13
BC型裸片硅二極管溫度計低溫溫度傳感器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-02-26
摻鋁氧化鋅薄膜的退火真空度和氬離子濺射清洗工藝控制
摻鋁氧化鋅薄膜（ AZO ）成本低廉、無毒環(huán)保，溶膠凝膠法制備 AZO 薄膜具有工藝簡單、成膜均勻性好、易于精確摻雜等優(yōu)點，而后續(xù)處理工藝則是提高溶膠凝膠法制備的透明導電薄膜性能的關(guān)鍵。為此我們研究 105 到 10-4 Pa 大真空度范圍退火條件下的電阻率變化規(guī)律，發(fā)現(xiàn)：電阻率的降低集中在相對狹窄的真空度范圍，其中在 100 Pa 到 10 Pa 之間，電阻率陡降了 2 個數(shù)量級。電阻率在 10 Pa 退火時達到最小值，繼續(xù)提高真空度（減低氣壓），電阻率不再繼續(xù)降低。這一研究結(jié)果不僅澄清了以往對溶膠 - 凝膠法制備透明薄膜后續(xù)工藝處理的模糊認識，而且對實際生產(chǎn)工藝具有重要的指導意義，例如以此為根據(jù)，選擇合適的真空度退火，達到既滿足產(chǎn)品的性能指標，又能節(jié)能減排的最佳效果。 XRD 與 XPS 的分析表明中真空下氧空位、鋅填隙、以及 Al3+ 對 Zn2+ 離子的取代是中真空度下電阻率陡降的主要原因。此外，利用 Ar+ 離子對退火后的樣品進行反濺射清洗，能進一步提高電導率。更重要的是能在薄膜表面形成具有一定的凹凸起伏的絨面結(jié)構(gòu)，能將入射太陽光分散到各個角度。用作太陽能電池電極時，能有效增強太陽能電池內(nèi)的光吸收材料對入射太陽光的捕獲，提高光能利用率。
遼寧大學
2021-04-11
一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構(gòu)成的一層圖案化陽極和一層平面金屬納膜陰極/陽極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學介質(zhì)層的兩個外表面上；在加電態(tài)下，圖案化陽極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽極間形成局域彎曲的銳化電場陣，陰極/陽極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的陣列化納電場驅(qū)控，向各納電場中電場強度最強部位聚集。本發(fā)明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學
2021-04-14
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構(gòu)成的一層圖案化陰極和一層平面陽極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態(tài)下，陰極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的電場驅(qū)控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發(fā)明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學
2021-04-14