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硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和一個(gè)電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線終端的間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、非對(duì)稱共面帶線和一個(gè)隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波
東南大學(xué)
2021-04-14
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高結(jié)晶性銀粉及晶硅太陽能電池正面銀漿
本項(xiàng)目是通過控制液相還原條件下銀納米晶的成核和生長(zhǎng)速度，可以得到 單分散的、高結(jié)晶性的單晶銀納米粉；通過引入銀納米晶核，控制溶液相中均 79 相成核和晶體的各向異性生長(zhǎng)，可以制備單分散的、高結(jié)晶性的銀微米粉，進(jìn) 而制得太陽能電池正面銀漿。
山東大學(xué)
2021-04-13
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一種耐高溫納米硅薄膜二極管及其制備技術(shù)
該成果是一種用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)方法進(jìn)行低成本的耐高溫二極管制備的技術(shù)，它采用高熔點(diǎn)的鎢或鉭絲作為催化分解熱絲，對(duì)通入生長(zhǎng)腔體中的氣體進(jìn)行快速分解，通過控制熱絲溫度、H2稀釋比、襯底溫度和生長(zhǎng)氣壓等參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)不同導(dǎo)電類型的納米硅薄膜的沉積和相關(guān)二極管的制備，制備的納米硅薄膜大面積均勻，載流子濃度和遷移率可控性好。 該成果主要面向微電子器件制造行業(yè)，如集成電路、大功率器件、特種環(huán)境探測(cè)器和傳感器、光伏產(chǎn)業(yè)、發(fā)光器件等相關(guān)領(lǐng)域。 該成果
南京航空航天大學(xué)
2021-04-14
高結(jié)晶性銀粉及晶硅太陽能電池正面銀漿
本項(xiàng)目是通過控制液相還原條件下銀納米晶的成核和生長(zhǎng)速度，可以得到單分散的、高結(jié)晶性的單晶銀納米粉；通過引入銀納米晶核，控制溶液相中均相成核和晶體的各向異性生長(zhǎng)，可以制備單分散的、高結(jié)晶性的銀微米粉，進(jìn)而制得太陽能電池正面銀漿。
山東大學(xué)
2021-04-14
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
中國(guó)科大實(shí)現(xiàn)硅基量子芯片中自旋軌道耦合強(qiáng)度的高效調(diào)控
郭國(guó)平教授、李海歐教授等人與中科院物理所張建軍研究員、紐約州立大學(xué)布法羅分校胡學(xué)東教授以及本源量子計(jì)算有限公司合作，在硅基鍺空穴量子點(diǎn)中實(shí)現(xiàn)了自旋軌道耦合強(qiáng)度的高效調(diào)控，為該體系實(shí)現(xiàn)自旋軌道開關(guān)以及提升自旋量子比特的品質(zhì)提供了重要的指導(dǎo)意義。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-06-02
金屬元素分析儀, 錳磷硅分析儀,分析儀器
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 南京金牛高速分析儀器有限公司專業(yè)制造各類鋼鐵成分分析儀器,鑄造生鐵化驗(yàn)儀,有色金屬分析儀，多元素分析儀，高頻紅外碳硫分析儀，電腦碳硫分析儀，五大元素分析儀等高速分析儀器，產(chǎn)品高、中、低檔齊全。一、碳硫主要技術(shù)指標(biāo)：1、測(cè)量范圍：碳0.02％～6.00％ 硫0.002％～2.00％;2、測(cè)量時(shí)間：C、 S約45秒;3、測(cè)量精度：符合GB/T223.69-97 GB/T223.68-97標(biāo)準(zhǔn);二、元素分析主要技術(shù)指標(biāo)：1、分析方法：光電比色分析法;2、量程范圍：吸光度值0～1.999A、濃度值0～99.99％;3、測(cè)量精度：符合GB223.3－5.88標(biāo)準(zhǔn);4、可測(cè)元素：錳、磷、硅、鎳、鉬、鉻、鈦、銅、鉛、鋅、鐵、鋁、鎂、稀土、鈮、釩等元素的分析;5、電源電壓：220v±10% 50Hz ;三、碳硫主要特點(diǎn)：1、氣體容量法差壓式定碳、碘量法定硫；2、單片機(jī)控制電路，工作過程全自動(dòng)操作、徹底消除人為誤差、性能穩(wěn)定可靠；3、進(jìn)口精密傳感器檢測(cè)數(shù)據(jù)，測(cè)量準(zhǔn)確，自動(dòng)打印測(cè)量結(jié)果。4、啟動(dòng)一次完成碳硫全部測(cè)定。操作簡(jiǎn)單、維修方便。四、元素分析主要特點(diǎn)：1、零點(diǎn)、滿度均可自動(dòng)調(diào)整，無需準(zhǔn)確調(diào)整，直讀吸光度或百分比含量，自動(dòng)打印結(jié)果，包括爐號(hào)、日期、濃度百分含量；2、采用單片機(jī)控制電路，可儲(chǔ)存15條曲線；3、采用精密觸摸式鍵盤，32鍵音響提示，操作簡(jiǎn)單、適用、穩(wěn)定性好；4、更換不同的冷光源或?yàn)V光片，可擴(kuò)大測(cè)量元素的種類和含量范圍；5、采用先進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換技術(shù)，適用于各種金屬材料化驗(yàn)。
南京金牛高速分析儀器有限公司
2021-08-23
硅二極管溫度傳感器錦正茂非標(biāo)定制
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！
特點(diǎn)：
※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用；
※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-07-28