|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
.jpg){kind=logo}
一種硅太陽(yáng)電池表面等離子體增益的方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種硅太陽(yáng)電池表面等離子體增益的方法，采用將金屬納米顆粒分散在醇溶劑中形成金屬納米顆粒膠體溶液，在硅太陽(yáng)電池片迎光面上，絲網(wǎng)印刷或噴淋或旋涂金屬納米顆粒膠體溶液，烘烤使醇溶劑從電池片表面揮發(fā)完全，在保護(hù)氣體氛圍下進(jìn)行快速熱處理退火溫度，再進(jìn)行二次常規(guī)熱處理退火，實(shí)現(xiàn)硅太陽(yáng)電池表面等離子體增益。本發(fā)明方法具有成本低、易操作、效率提升效果好的特點(diǎn)，具有較大的應(yīng)用前景。
浙江大學(xué)
2021-04-11
大學(xué).jpg){kind=logo}
表面包硅的近紅外熒光磁性納米粒子及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開(kāi)了表面包硅的近紅外熒光磁性納米復(fù)合粒子及其制備方法和應(yīng)用，屬于 納米技術(shù)與生物醫(yī)學(xué)的交叉領(lǐng)域。本發(fā)明是在微乳體系中，將磁性納米粒子與近紅外熒 光量子點(diǎn)納米粒子或近紅外熒光有機(jī)染料分子一起包埋到二氧化硅粒子中，形成表面包 硅的近紅外熒光磁性納米復(fù)合粒子，這種納米復(fù)合粒子中還可以結(jié)合抗癌藥物以及具有 靶向識(shí)別功能的抗體、配體、多肽、細(xì)胞因子等多種生物分子。本發(fā)明通過(guò)納米粒子的 磁學(xué)性質(zhì)、量子尺寸效應(yīng)、光的熱效應(yīng)以及抗癌藥物的藥效作用和生物分子的識(shí)別功能， 將制備的納米復(fù)合粒子用于腫瘤的治療中，在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
同濟(jì)大學(xué)
2021-04-13
.jpg){kind=logo}
硅基懸臂梁耦合直接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合直接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、直接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過(guò)輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線(xiàn)終端的直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過(guò)利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用直接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一段移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱(chēng)共面帶線(xiàn)和一個(gè)隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱(chēng)共面帶線(xiàn)和一個(gè)電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱(chēng)共面帶線(xiàn)和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過(guò)輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線(xiàn)終端的間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過(guò)利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線(xiàn)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線(xiàn)、非對(duì)稱(chēng)共面帶線(xiàn)和一個(gè)隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波
東南大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
高結(jié)晶性銀粉及晶硅太陽(yáng)能電池正面銀漿
本項(xiàng)目是通過(guò)控制液相還原條件下銀納米晶的成核和生長(zhǎng)速度，可以得到 單分散的、高結(jié)晶性的單晶銀納米粉；通過(guò)引入銀納米晶核，控制溶液相中均 79 相成核和晶體的各向異性生長(zhǎng)，可以制備單分散的、高結(jié)晶性的銀微米粉，進(jìn) 而制得太陽(yáng)能電池正面銀漿。
山東大學(xué)
2021-04-13
.jpg){kind=logo}
一種耐高溫納米硅薄膜二極管及其制備技術(shù)
該成果是一種用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)方法進(jìn)行低成本的耐高溫二極管制備的技術(shù)，它采用高熔點(diǎn)的鎢或鉭絲作為催化分解熱絲，對(duì)通入生長(zhǎng)腔體中的氣體進(jìn)行快速分解，通過(guò)控制熱絲溫度、H2稀釋比、襯底溫度和生長(zhǎng)氣壓等參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)不同導(dǎo)電類(lèi)型的納米硅薄膜的沉積和相關(guān)二極管的制備，制備的納米硅薄膜大面積均勻，載流子濃度和遷移率可控性好。 該成果主要面向微電子器件制造行業(yè)，如集成電路、大功率器件、特種環(huán)境探測(cè)器和傳感器、光伏產(chǎn)業(yè)、發(fā)光器件等相關(guān)領(lǐng)域。 該成果
南京航空航天大學(xué)
2021-04-14