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一種高功率大帶寬鍺硅光電探測(cè)器
本發(fā)明公開(kāi)了一種高功率大帶寬鍺硅光電探測(cè)器。該探測(cè)器是 模擬光子通信系統(tǒng)和微波光子系統(tǒng)中的硅基關(guān)鍵集成光電子器件，其 特征在于包括多個(gè)并聯(lián)鍺層結(jié)構(gòu)和電感。多個(gè)并聯(lián)的鍺層結(jié)構(gòu)的多個(gè) 鍺層尺寸是可以不同的，以實(shí)現(xiàn)對(duì)寄生電阻的調(diào)控，在提高器件飽和 功率的同時(shí)保持了寄生參數(shù)不至顯著增加。同時(shí)，通過(guò)引入片上和片 外電感，實(shí)現(xiàn)對(duì)器件寄生電感的調(diào)控，抬升器件高頻處頻率響應(yīng)，提 升器件工作帶寬。本發(fā)明提出的光電探測(cè)器采用集總電極結(jié)構(gòu)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種加工硅通孔互連結(jié)構(gòu)的工藝方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種加工硅通孔互連結(jié)構(gòu)的工藝方法，步驟為：①在基板上刻蝕盲孔；②在基板上沉積一層圖案化介電質(zhì)層；③刻蝕圖案化介電質(zhì)層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側(cè)壁的介電材料，在基板上形成介電質(zhì)孔；④在介電質(zhì)孔上沉積一層導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電孔；⑤在導(dǎo)電層上再沉積一層圖案化介電質(zhì)層，填充導(dǎo)電孔；⑥刻蝕板背面，暴露出導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上形成焊料微凸點(diǎn)。圖案化介電質(zhì)層的材料優(yōu)選聚對(duì)二甲苯。本發(fā)明簡(jiǎn)化了工藝步驟，減少工藝時(shí)間并降低了費(fèi)用；使用二層圖案化介電質(zhì)層，降低了寄生電容，提升了互連電性能，適用于高速和
華中科技大學(xué)
2021-04-14
鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)的可控制備方法及產(chǎn)品
本發(fā)明公開(kāi)了一種鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)可控制備方法及產(chǎn)品，該 方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長(zhǎng)鍺硅合金形成外 延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過(guò)電子束光刻技術(shù)在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結(jié) 構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f) 高溫環(huán)境下進(jìn)行氧化和退火，使得氧氣優(yōu)先與硅反應(yīng)形成氧化硅而鍺 被析出；(g)在氮?dú)浠旌蠚夥障?
華中科技大學(xué)
2021-04-14
微型皮拉尼計(jì)與體硅器件集成加工的方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種微型皮拉尼計(jì)與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒(méi)有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對(duì)有光刻膠掩膜的一面進(jìn)行感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能有效提高皮拉尼計(jì)的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計(jì)與體
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于硅基液晶的偏振檢測(cè)系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于硅基液晶的偏振檢測(cè)系統(tǒng)及方法，所述 偏振檢測(cè)系統(tǒng)包括檢偏器、光探測(cè)器、硅基液晶驅(qū)動(dòng)模塊、控制單元 和用于相位調(diào)制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驅(qū)動(dòng)模塊的驅(qū)動(dòng)下 對(duì)待測(cè)光進(jìn)行相位調(diào)節(jié)，獲取一系列偏振光，通過(guò)對(duì)這一系列偏振光 的分析獲取待測(cè)光的偏振信息，包括豎直方向與水平方向的振幅及相 位差。本發(fā)明的系統(tǒng)在精確可編程控制下，進(jìn)行偏振態(tài)檢測(cè)與控制， 不受類(lèi)似于波片的波長(zhǎng)敏感性制約；且本發(fā)明采用硅基液晶進(jìn)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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耐超低溫有機(jī)硅密封膠生產(chǎn)技術(shù)
航空航天器、飛機(jī)、導(dǎo)彈、火箭、超低溫冷凍機(jī)、極寒冷地區(qū)工程機(jī)械和高速列車(chē)等設(shè)備，在極低溫度條件下運(yùn)行時(shí)，對(duì)密封材料要求很高，一旦出現(xiàn)密封效果不佳或不可靠情況，會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重后果，極端情況會(huì)造成機(jī)毀人亡等重特大事故，形成嚴(yán)重的財(cái)產(chǎn)和人員損失。密封材料大多采用有機(jī)高分子材料，在低溫條件下，密封材料中分子熱運(yùn)動(dòng)減少，分子鏈段會(huì)變得僵硬甚至凍住，使之失去彈性，導(dǎo)致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料應(yīng)用于上述設(shè)備和地域時(shí)，必須采用特殊制備的耐低溫硅橡膠才能保證安全及設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。這就要求密封材料必須具備
山東大學(xué)
2021-04-14
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新一代硅烷法電子級(jí)晶體硅生產(chǎn)技術(shù)
上海交通大學(xué)
2021-04-13
承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍(lán)、排、網(wǎng)、羽球場(chǎng)
產(chǎn)品詳細(xì)介紹承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍(lán)、排、網(wǎng)、羽球場(chǎng)
廣州市奧力生體育設(shè)施有限公司
2021-08-23
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黃銅礦類(lèi)正單軸晶體制備紅外非線性光學(xué)元件的定向切割方法
一種黃銅礦類(lèi)正單軸晶體制備紅外非線性光學(xué)元件的定向切割方法，步驟包括：(1) 根據(jù)黃銅礦類(lèi)正單軸晶體解理面{101}和{112}，利用帶有吳氏網(wǎng)標(biāo)尺的晶體標(biāo)準(zhǔn)極圖和 X射線衍射儀θ-2θ連續(xù)掃描確定晶體的C軸方向；(2)將已確定C軸方向的晶體置于切 割機(jī)上，根據(jù)光學(xué)元件所需的相位匹配角θm朝近C軸方向轉(zhuǎn)動(dòng)樣品臺(tái)Δθ后進(jìn)行切割， 獲得光學(xué)元件初樣，Δθ＝θ(101)-θm；(3)將光學(xué)元件初樣置于X射線衍射儀樣品臺(tái) 上，測(cè)定光學(xué)元件初樣切割面的回?cái)[譜，獲得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′- θ′(101)|；(4)光學(xué)元件的精加工，對(duì)光學(xué)元件初樣切割面進(jìn)行修正，直至Δθ′＝Δθ。
四川大學(xué)
2021-04-11
黃銅礦類(lèi)負(fù)單軸晶體制備紅外非線性光學(xué)元件的定向切割方法
一種黃銅礦類(lèi)負(fù)單軸晶體制備紅外非線性光學(xué)元件的定向切割方法，步驟包括：(1) 根據(jù)黃銅礦類(lèi)負(fù)單軸晶體解理面{112}和{101}，利用帶有吳氏網(wǎng)標(biāo)尺的晶體標(biāo)準(zhǔn)極圖和 X射線衍射儀θ-2θ連續(xù)掃描確定晶體的C軸方向；(2)將已確定C軸方向的晶體置于切 割機(jī)上，根據(jù)光學(xué)元件所需的相位匹配角θm朝遠(yuǎn)C軸方向轉(zhuǎn)動(dòng)樣品臺(tái)Δθ后進(jìn)行切割， 獲得光學(xué)元件初樣，Δθ＝θm-θ(112)；(3)將光學(xué)元件初樣置于X射線衍射儀樣品臺(tái)上， 測(cè)定光學(xué)元件初樣切割面的回?cái)[譜，獲得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′- θ′(112)|；(4)光學(xué)元件的精加工，對(duì)光學(xué)元件初樣切割面進(jìn)行修正，直至Δθ′＝Δθ。
四川大學(xué)
2021-04-11