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本發(fā)明公開了一種減少RAID-6解碼I/O數(shù)據(jù)量的方程選擇方法：一次只選擇一個(gè)校驗(yàn)方程，而且遵循每次都選擇具有最多可重用塊的校驗(yàn)方程的原則，直到選定的校驗(yàn)方程數(shù)量與條帶中丟失的數(shù)據(jù)塊數(shù)量一致為止；為了快速選出可重用塊數(shù)量最多的校驗(yàn)方程，維持一個(gè)按可重用塊數(shù)量排序的校驗(yàn)方程序列，每次從序列順序選擇校驗(yàn)方程。使用本發(fā)明方法選擇校驗(yàn)方程子集用于解碼時(shí)，解碼 I/O 的數(shù)據(jù)量要少于傳統(tǒng)解碼方法使用的數(shù)據(jù)量，這有助于減少解碼時(shí)

本發(fā)明公開了一種基于進(jìn)程親和性的減少進(jìn)程間通信從而提升 并行 I/O 效率的方法，包括：首先對(duì)以 Collective-I/O 為主流的并行 I/O 程序進(jìn)行分析，收集和統(tǒng)計(jì)集群機(jī)器節(jié)點(diǎn)信息及 MPI 程序配置信息； 然后，該系統(tǒng)通過(guò)預(yù)處理操作計(jì)算各種可能的機(jī)器節(jié)點(diǎn)與代理進(jìn)程的 匹配結(jié)果，然后再通過(guò)性能預(yù)測(cè)模塊，確定最佳的匹配策略；最后將 預(yù)處理得到的匹配策略寫入配置文件中。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該系統(tǒng)配置 簡(jiǎn)單，能在不用修

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 可定制外形結(jié)構(gòu)氧氣傳感器O2S-FR-T2-18X 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介： 氧氣傳感器采用兩個(gè)氧化鋯盤，在其中間是一個(gè)密封空間。其中一個(gè)盤起的功能是可逆氧氣泵，依次充滿樣品氣和抽空此小空間。另一個(gè)盤用于測(cè)量氧分壓差比率，得到相對(duì)應(yīng)的傳感電壓。氧化鋯盤作為氧氣泵運(yùn)行時(shí)，需要的700 °C 的溫度由加熱元件產(chǎn)生。氧氣泵使小空間范圍內(nèi)達(dá)到額定的最小和最大壓力所花的時(shí)間和環(huán)境中氧分壓值具有對(duì)應(yīng)關(guān)系。 二、產(chǎn)品特性：  1) 非消耗性的氧化鋯傳感元件  2) 氧壓范圍 2 mbar...3 bar  3) 高穩(wěn)定性和精度，可測(cè)量0…100% 氧 4) 對(duì)于其他氣體無(wú)交叉干擾  5) 無(wú)需溫度穩(wěn)定  6) 內(nèi)置加熱元件 7) 加熱器電壓： 4.35 ±0.1 VDC (1.85 A)  8) 允許氣體溫度： -100...250 °C ；  9) 線性輸出信號(hào) 三、產(chǎn)品參數(shù)

本發(fā)明公開了一種D2D通信中能效最大化的功率分配方法，在有蜂窩網(wǎng)絡(luò)覆蓋的上行場(chǎng)景中，通過(guò)分布式優(yōu)化蜂窩用戶的發(fā)射功率、D2D用戶對(duì)的發(fā)射功率，在保證宏用戶最低服務(wù)質(zhì)量要求和D2D用戶與蜂窩用戶的功率限制的情況下最大化D2D用戶的全局能源效率。本方法給出了在任何D2D用戶都可以使用所有信道，并且任意信道可以同時(shí)被所有D2D用戶占用的情況下，最優(yōu)的蜂窩用戶發(fā)射功率和D2D鏈路發(fā)射功率。主要用MM方法將非凸問(wèn)題近似為可求解的子優(yōu)化問(wèn)題，并利用給出的閉式解快速收斂到子問(wèn)題的優(yōu)化解。本發(fā)明適用范圍廣，頻譜資源共享模式具有通用性，計(jì)算量小，速度快。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹A&D密度測(cè)定天平采用高精度稱重系統(tǒng)和嚴(yán)密的測(cè)定程序，使得密度直接顯示在顯示屏上。從而大大減少了人工換算的繁瑣性和人為誤差。操作簡(jiǎn)單，直接，清晰，明了。滿足各工業(yè)應(yīng)用及科研部門密度測(cè)定的要求 可測(cè)物體：    固體、液體、浮體、顆粒、粉末、粘稠體、海棉體。 適用行業(yè)：    研究院，  化工研究機(jī)構(gòu)，  電子產(chǎn)業(yè)，  橡膠行業(yè)，  塑膠行業(yè)， 電線電欖制造業(yè)，制鞋業(yè)，  體育用品業(yè)，  食品業(yè)，  化妝品行業(yè)，  造紙業(yè)， 機(jī)械加工業(yè)，粉末冶金業(yè)，  輪胎制造業(yè), 汽車工業(yè)等等。 適用材料：    塑料顆粒， 尼龍顆粒， 橡膠顆粒， PVC材料， EVA材料， 塑膠復(fù)合材料，樹脂， 金屬制品， 金屬粉末， PC材料， 矽膠， 石材， 石墨材料， 玻璃制品，  各種合金， 各種化學(xué)溶液等。 特點(diǎn):  ●帶背光源的高清晰顯示屏 顯示字符高達(dá)16mm液晶顯示屏(EK-iD系列)，高清晰螢光顯示（GF-D系列），易于觀察和適用于陰暗的環(huán)境。 ●快速靈敏的稱重系統(tǒng) GF-D采用快速靈敏的SHS稱量感應(yīng)器，穩(wěn)定時(shí)間僅需1秒。分辨率高達(dá)1/60000，內(nèi)部分辨率達(dá)1/10,000,000。 ●環(huán)境偵測(cè)調(diào)節(jié) 調(diào)整三段FAST MID SLOW 反應(yīng)速度。適應(yīng)空氣流動(dòng)大和輕微振動(dòng)的環(huán)境。將在周圍環(huán)境中的振動(dòng)和氣流對(duì)天平在稱量中的影響降到最低。 ●固體密度直讀測(cè)量 減少繁瑣操作及人工換算產(chǎn)生的誤差。 ●液體密度直讀測(cè)量 無(wú)需按鍵即可實(shí)現(xiàn)直讀。 ●滿數(shù)字量程校準(zhǔn)，可修改砝碼重量 適用于零點(diǎn)校準(zhǔn)和量程校準(zhǔn)。 ●直接輸入純水溫度或參考液密度值 使測(cè)量媒介由溫度產(chǎn)生的誤差減到最小。 ●比較目標(biāo)密度值，可實(shí)現(xiàn)有報(bào)警功能 通過(guò)設(shè)定上限，下限值實(shí)現(xiàn)高低限位（Hi、OK、Lo）比較?？蛇x配比較輸出及報(bào)警裝置實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的工業(yè)控制功能。 ●自動(dòng)關(guān)機(jī)功能 可設(shè)定停止使用超過(guò)10分鐘自動(dòng)關(guān)機(jī)。 ●標(biāo)準(zhǔn)串行接口及通訊軟件 配置標(biāo)準(zhǔn)RS-232C通訊接口，可選配RS-232電纜線連接電腦或打印機(jī)。附送原廠開發(fā)的WinCT軟件，方便數(shù)據(jù)的傳輸及外部設(shè)備的雙向控制?？蓪?shù)據(jù)自動(dòng)輸入Windows /Office /Excel等系統(tǒng)內(nèi)。 保存測(cè)量結(jié)果，對(duì)多個(gè)結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析； 連續(xù)記錄，作吸水率、膨脹率、孔隙率的計(jì)算； 連續(xù)記錄，以圖表顯示測(cè)量過(guò)程。 ●內(nèi)建GLP/GMP/ISO軟件 配合原廠打印機(jī)AD-8121B可實(shí)現(xiàn)日期，時(shí)間，識(shí)別號(hào)碼，天平序號(hào)，校正數(shù)據(jù)，單重，總重，次數(shù)，最大值，最小值，平均值，標(biāo)準(zhǔn)差的打印輸出。   型號(hào) EK-300iD EK-3000iD GF-300D GF-3000D 測(cè)定原理 阿基米德原理 稱重范圍 300g 3000g 310g 3100g 稱重精度 0.01g 0.1g 0.001g 0.01g 密度值精度 0.001g/cm3 0.01g/cm3 0.001g/cm3 0.001g/cm3 重復(fù)精度 0.002g/cm3 0.02g/cm3 0.002g/cm3 0.002g/cm3 稱盤尺寸 108×80mm

3D虛擬校博物館是應(yīng)用虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)及3D建模技術(shù)構(gòu)建，針對(duì)學(xué)校教育教學(xué)成果展示、校園文化成果展示、對(duì)外宣傳展示、校園品牌建設(shè)而創(chuàng)意研發(fā)的。通過(guò)展覽館漫游、三維互動(dòng)體驗(yàn)的方式，將展廳、展板、展臺(tái)、藏品等展示在3D虛擬校博物館中，結(jié)合圖片、文字、陳列品、視音頻等資料，以網(wǎng)站或光盤為載體，實(shí)現(xiàn)互聯(lián)網(wǎng)三維虛擬展覽，全面展示學(xué)校風(fēng)采！ 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)： 1、通過(guò)3D校園互聯(lián)網(wǎng)展示技術(shù)，能夠彰顯學(xué)?？萍?、文化創(chuàng)新意識(shí)，迅速吸引社會(huì)各界的廣泛關(guān)注提升影響力。 2、突破二維圖文平鋪直敘的展示方式，將所有信息通過(guò)3D校園展示平臺(tái)系統(tǒng)地整合在一起，并通過(guò)智能化、互動(dòng)式的呈現(xiàn)方式吸引參觀者不斷深入和全面地了解學(xué)校。 3、分散的校園數(shù)字資產(chǎn)通過(guò)3D校園系統(tǒng)，得到系統(tǒng)和永久保存。?

西安交通大學(xué)自 1993 年開始增材制造（3D 打?。┘夹g(shù)研究，是國(guó)內(nèi)最早開展增材制造技術(shù)研究的單位之一。經(jīng)過(guò)二十年的發(fā)展，西安交通大學(xué)形成了多種增材制造工藝和裝備，建立了以快速制造系統(tǒng)為特色工程應(yīng)用的研究隊(duì)伍，產(chǎn)生了以盧秉恒院士為學(xué)術(shù)帶頭人的“增材制造”教育部創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)。研究團(tuán)隊(duì)依托機(jī)械制造系統(tǒng)工程國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（西安交通大學(xué)）開展基礎(chǔ)研究，在高分子材料、金屬、陶瓷、復(fù)合材料、智能材料的增材制造等方面取得進(jìn)展，多項(xiàng)技術(shù)成果處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)平。為推動(dòng) 3D 打印技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化，在 2000 年成立“教育部快速成形制造工程研究中心”（市場(chǎng)經(jīng)營(yíng)主體為陜西恒通智能機(jī)器有限公司），2007 年成立“快速制造國(guó)家工程研究中心”（市場(chǎng)經(jīng)營(yíng)主體為西安瑞特快速制造工程研究有限公司）。建立了一套支撐產(chǎn)品快速開發(fā)的快速制造系統(tǒng)，研制、生產(chǎn)和銷售 16 個(gè)型號(hào)的激光快速成型設(shè)備、快速模具設(shè)備及三維檢測(cè)設(shè)備。同時(shí)開展快速原型制作、快速模具制造以及逆向工程服務(wù)。產(chǎn)品在全國(guó)各院校、汽車、電器等企業(yè)銷售應(yīng)用十多年，客戶近萬(wàn)家。近年協(xié)助政府和企業(yè)在多個(gè)地區(qū)成功建立產(chǎn)學(xué)研結(jié)合的推廣基地、快速成形制造服務(wù)制造中心。

D-塔格糖（tagatose）是一種罕見(jiàn)的天然己酮糖，是 D-半乳糖同分異構(gòu)體， 也是 D-果糖在 C-4 位置上的差向異構(gòu)體。它是一種潛在的保濕劑和低熱量甜味劑，并具有抑制血糖升高、改善腸道菌群、抗齲齒等多種生理功效。目前，以 D- 塔格糖為原料的產(chǎn)品已經(jīng)面世，D-塔格糖被作為新型甜味劑添加到飲料、谷物食 品、巧克力、糖果及糖尿病專用保健品等食品中。世界上許多大型企業(yè)，已將 D- 塔格糖作為功能性甜味劑添加到產(chǎn)品中，比如百事可樂(lè)公司在它們生產(chǎn)的雪碧飲料中使用了 D-塔格糖，新西蘭 Miada 運(yùn)動(dòng)營(yíng)養(yǎng)食品公司將 D-塔格糖應(yīng)用于巧克力產(chǎn)品的開發(fā)。D-塔格糖生產(chǎn)的原料是乳糖，而乳糖是奶酪生產(chǎn)過(guò)程中的副產(chǎn)品，價(jià)格低廉。乳糖水解產(chǎn)物 D-半乳糖經(jīng)過(guò)異構(gòu)化生成 D-塔格糖。本項(xiàng)目是在吸收國(guó)外先進(jìn)技 術(shù)的基礎(chǔ)上研究成功的，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，并建立了適合于規(guī)?；a(chǎn) D-塔格糖的生產(chǎn)、分離和精制等方法。產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國(guó)外同類產(chǎn)品的水平，可替代進(jìn)口，具有明顯的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。 

? 本項(xiàng)目是基于Android平臺(tái)的一款3D動(dòng)作類游戲，擁有華麗的3D視覺(jué)效果，精致的劇情設(shè)計(jì)與動(dòng)畫效果等，創(chuàng)意新穎，可玩性及擴(kuò)展性都極強(qiáng)。本項(xiàng)目由學(xué)生自主開發(fā)并且正在參加2011年全國(guó)第二屆“中科杯”軟件創(chuàng)新大賽。

已有樣品/n3D NAND 是革新性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)，通過(guò)增加存儲(chǔ)疊層而非縮小器件二維尺寸實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度增長(zhǎng)，從而拓寬了存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展空間，但其結(jié)構(gòu)的高度復(fù)雜性給工藝制造帶來(lái)全新的挑戰(zhàn)。經(jīng)過(guò)不懈努力，工藝團(tuán)隊(duì)攻克了高深寬比刻蝕、高選擇比刻蝕、疊層薄膜沉積、存儲(chǔ)層形成、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)，為實(shí)現(xiàn)多層堆疊結(jié)構(gòu)的3D NAND 陣列打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。