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大型沉管隧道水下基槽浚邊坡穩定性、承載力和變形分析
1.依據海河實際土質條件，提出了基槽水下開挖下部和上部坡率建議值；2.提出了適合濱海軟土地層特性的水下開挖法及合理的超挖值；3.提出了適合海河沉管隧道的水下邊坡檢測要求和減少基底回淤的施工措施；4.通過應力路徑試驗方法，進行模擬基坑開挖時主動區側向卸荷試驗（DEP）和固結試驗，得到主動區卸荷狀態下土的強度參數；5.編制了天津市地方標準《內河沉管法隧道設計、施工及驗收規范》DB/T29-219-2013。 在海河下游軟土地層環境下，針對內河沉管沉放過程中存在的技術難題，形成了對沉
天津城建大學
2021-01-12
一種通過原位沉積磷酸鈣對碳納米管進行功能改進的方法
一種通過原位沉積磷酸鈣對碳納米管進行功能改性的方法，其步驟為：a、接枝反應將聚乙二醇、淀粉、聚乙烯醇或馬來酸酐溶于二氯甲烷中，并加入偶聯劑構成接枝反應液；再將經酸化預處理后的碳納米管粉末和催化量的酯化催化劑加入到接枝反應液中，進行酯化反應；然后過濾、洗滌、干燥得已接枝小分子化合物或聚合物后的碳納米管；b、礦化反應 再將a步接枝后的碳納米管置入成分與模擬體液相同，但離子濃度為模擬體液2-10倍的快速礦化液中，超聲分散后置于溫度為37℃的環境中，靜置1-7天。該種方法改性后的碳納米管的親水性以及生物相容性好，可用作醫用高分子復合材料的增強體或者藥物載體材料。
西南交通大學
2016-10-20
一種環氧樹脂－二氧化硅空心管復合材料及制備方法
本發明公開了一種環氧樹脂－二氧化硅空心管復合材料及其制 備方法。所述環氧樹脂-二氧化硅空心管復合材料，包括二氧化硅空心 納米管和環氧樹脂，所述二氧化硅空心納米管分散于環氧樹脂中，其 添加量為環氧樹脂的 0.1～10wt.％。其制備方法包括以下步驟：(1)采 用溶膠-凝膠法制備二氧化硅空心納米管；(2)將步驟(1)制備的二氧化硅 空心納米管分散于環氧樹脂中，形成環氧樹脂-二氧化硅空心管均勻分 散體系；(3
華中科技大學
2021-04-14
制造有機場效應晶體管的方法、實現該方法的噴嘴及裝置
本發明公開了應用混合型噴嘴噴印制造有機場效應晶體管的方 法，包括以下步驟：1)噴印 Gate 極；2)噴印介電層；3)成形導電單元： 混合型噴嘴噴出的液體在接收基板上沉積形成導電單元及覆在導電單 元上的油層；4)轉印；5)制造連接電極層；6)組合封裝。本發明工藝簡 單，在混合型噴嘴制備完成的情況下，靜電紡絲工藝實現簡單，對環 境要求也較低；成本低，設備成本低，同時制造過程中均只需要一定 濃度的溶液，損耗少；精度、分辨率高，不需重復定位，而且靜電紡 絲所得纖維器件均在微納尺度，集成度完全滿足電路要求；
華中科技大學
2021-04-14
一種內置鋼管高強混凝土芯柱的FRP管混凝土異形柱的制作方法
（專利號：ZL 201310543403.6） 簡介：本發明提供一種內置鋼管高強混凝土芯柱的FRP管混凝土異形柱，屬于土木工程技術領域。本發明制作方法為：（1）在鋼管內部焊接加勁肋，然后在鋼管內部澆筑高強混凝土，形成鋼管高強混凝土芯柱；（2）在鋼管高強混凝土芯柱外綁扎縱筋和箍筋；（3）在異形FRP管內截面拐角處，設置橫向和斜向的FRP連接件；（4）在鋼管高強混凝土芯柱和異形FRP管內澆筑混凝土，制成內置鋼管高強混凝土芯柱的FRP管混凝土異
安徽工業大學
2021-01-12
提升結晶小分子半導體在n型有機薄膜晶體管柔性方面的研究
該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導體的晶界，提升其機械性能，實現了柔性有機晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進一步實現了晶粒間的粘合作用。
南方科技大學
2021-04-14
實驗室溫度計 硅二極管溫度傳感器 DT640
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-06-27
進展 | 電子系崔開宇在超光譜成像芯片方面取得重要進展，研制出國際首款實時超光譜成像芯片
清華大學電子工程系黃翊東教授團隊崔開宇副教授帶領學生在超光譜成像芯片方面取得重要進展，研制出國際首款實時超光譜成像芯片，相比已有光譜檢測技術實現了從單點光譜儀到超光譜成像芯片的跨越。
清華大學
2022-05-30
喜迎二十大 | 管培俊：高質量的高等教育是億萬人民的期待
我們熱切地期望二十大之后，我國高等教育的發展實現新的歷史性跨越。
人民政協報
2022-10-12
可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法
本發明公開了一種可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質結，構成完整的器件。本發明在藍寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結晶度，提高電學性能，有效消除晶體質量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結區的剩余電子，增加ＺｎＯ區載流子復合效率，實現純ＺｎＯ紫外發光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質結發光二極管，發光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學
2021-04-11