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本發(fā)明公開了一種可測(cè)量金屬化膜電容器元件在實(shí)際運(yùn)行工況 下產(chǎn)氣體積的方法和裝置。該方法可模擬電容器短路擊穿故障時(shí)的產(chǎn) 氣情況，同時(shí)可將電容器運(yùn)行過程中產(chǎn)生的氣體全部收集到量筒內(nèi)， 通過量筒上的刻度對(duì)產(chǎn)氣量進(jìn)行測(cè)量。通過該方法，可實(shí)現(xiàn)金屬化膜 電容器元件擊穿短路故障過程中的產(chǎn)氣體積測(cè)量，同時(shí)還能用于氣體 收集進(jìn)行產(chǎn)氣成分分析。本發(fā)明還提供實(shí)現(xiàn)上述方法的裝置和材料， 主要包括絕緣容器、橡膠軟管、玻璃量筒、絕緣油。本發(fā)明使用的材 料和器件均具有良好的絕緣性能，可保證實(shí)驗(yàn)過程中的安全。 

本發(fā)明公開了一種旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器型橢偏儀系統(tǒng)誤差評(píng)估及消除方法該方法，包括首先建立待優(yōu)化橢偏儀的系統(tǒng)模型，并求的待測(cè)樣品穆勒矩陣解析表達(dá)式；然后通過對(duì)泰勒展開，獲得 n 階旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器型橢偏儀橢儀系統(tǒng)誤差與元件誤差之間的關(guān)系。最后改變旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器型橢偏儀起檢器與檢偏器方位角，經(jīng)過四次測(cè)量，并求得四次測(cè)量結(jié)果的均值，這個(gè)均值就是已消除了橢偏儀系統(tǒng)誤差的待測(cè)樣品的穆勒矩陣。本發(fā)明方法可以獲得旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器型橢偏儀由元件誤差導(dǎo)致的系統(tǒng)誤差的解析表達(dá)式，計(jì)算過程明確，系統(tǒng)誤差的消除方法操作簡(jiǎn)單可行，可以適用于現(xiàn)有不同結(jié)構(gòu)

本發(fā)明公開了一種金屬化膜電容器保護(hù)裝置和方法，干式金屬 化膜電容器內(nèi)部不灌封或采用灌封的干式結(jié)構(gòu)，電容器頂部存在一定 高度的空隙。熱傳導(dǎo)型氫氣傳感器及其檢測(cè)電路構(gòu)成的氣敏保護(hù)裝置 安裝于電容器頂部。當(dāng)電容器內(nèi)部元件出現(xiàn)擊穿故障時(shí)，元件內(nèi)部會(huì) 產(chǎn)生大量氣體并逸出，該氣體會(huì)最終匯聚到電容器頂部的空隙中。元 件產(chǎn)氣中，經(jīng)檢測(cè)氫氣體積約占 85％，因此，該產(chǎn)氣會(huì)導(dǎo)致電容器頂 部空隙中氫氣濃度的變化，從而導(dǎo)致檢測(cè)電路輸出信號(hào)的變化，實(shí)現(xiàn) 金屬化膜電容器內(nèi)部故障的檢測(cè)。檢測(cè)到故障信號(hào)后，可從外部切斷 電容器電源

該動(dòng)物模型穩(wěn)定可重復(fù)，可作為體內(nèi)活性氧水平失調(diào)動(dòng)物模型用 于體內(nèi)活性氧水平失調(diào)發(fā)病機(jī)制研究和開發(fā)相關(guān)疾病的藥物。本發(fā)明 采用 RNAi 的方法建立了秀麗隱桿線蟲體內(nèi)活性氧水平失調(diào)動(dòng)物模 型，通過秀麗隱桿線蟲體內(nèi)產(chǎn)生 isp-1 基因的干擾效應(yīng)，可使秀麗隱 桿線蟲體內(nèi)總活性氧含量降低，可以降低動(dòng)物模型體內(nèi)總活性氧含 量，可用于模擬動(dòng)物體內(nèi)總活性氧含量降低的狀態(tài)，可用于研究體內(nèi) 活性氧水平失調(diào)對(duì)機(jī)體各種生理生化代謝過程的影響。

本發(fā)明選擇結(jié)核桿菌生長(zhǎng)期和休眠期主要的保護(hù)性抗原 Mtb10.4 和 Hsp16.3，構(gòu)建融合蛋白 Mtb10.4-Hsp16.3(MH)。在大腸桿菌中表 達(dá)純化該蛋白，將該蛋白和佐劑混合構(gòu)建亞單位疫苗，分別于 BCG 初免后 12、14 周加強(qiáng)免疫 C57BL/6 小鼠兩次，最后一次免疫 6 周后 檢測(cè)細(xì)胞免疫反應(yīng)，最后一次免疫后 10 周進(jìn)行結(jié)核菌毒株&nb

我國(guó)草地業(yè)發(fā)展緩慢，最直接的影響就是造成畜牧業(yè)發(fā)展也減 速，因而致使每年我國(guó)從國(guó)外進(jìn)口牧草以及購(gòu)買嬰兒奶制品的數(shù)量逐 年上升。究其原因主要是因?yàn)槲覈?guó)缺少具有抗性的優(yōu)異牧草品種，如 有殺蟲活性的牧草。每年我國(guó)牧草由于各種昆蟲的危害，造成大面積 減產(chǎn)和生長(zhǎng)緩慢，并且還影響奶制品的安全。雖然現(xiàn)階段化學(xué)合成的 殺蟲藥物在植物病害防治中起著不可代替的作用，但是大家對(duì)農(nóng)藥毒 性和農(nóng)藥對(duì)環(huán)境的污染問題越來(lái)越重視，從微生物中尋找新的

排異反應(yīng)是異體組織進(jìn)入有免疫活性宿主的不可避免的難題。一般在人體器官移植手術(shù)后，病人的免疫系統(tǒng)會(huì)很快識(shí)別出外來(lái)的新器官，并對(duì)新器官有強(qiáng)烈的排斥作用，這種排異現(xiàn)象是導(dǎo)致器官移植手術(shù)徹底失敗的主要原因之一，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使病人不喪失生命。為解決器官移植的排異問題，出現(xiàn)了免疫抑制劑的概念。目前臨床常用的免疫抑制劑有環(huán)孢素 A（CsA）、他克莫司（tacrolimus, FK506）、雷帕霉素（Rapamycin，簡(jiǎn)稱 RAPA）等，但這幾種都有較大的副作用，所以尋求在臨床上高活性、低毒的新型免疫抑制劑很有必要。

本發(fā)明選擇結(jié)核桿菌生長(zhǎng)期和休眠期主要的保護(hù)性抗原 Mtb10.4 和 Hsp16.3，構(gòu)建融合蛋白 Mtb10.4-Hsp16.3(MH)。在大腸桿菌中表 達(dá)純化該蛋白，將該蛋白和佐劑混合構(gòu)建亞單位疫苗，分別于 BCG 初免后 12、14 周加強(qiáng)免疫 C57BL/6 小鼠兩次，最后一次免疫 6 周后 檢測(cè)細(xì)胞免疫反應(yīng)，最后一次免疫后 10 周進(jìn)行結(jié)核菌毒株&nb

雄激素受體(androgen receptor，AR)被認(rèn)為在前列腺癌的發(fā)生、發(fā)展和轉(zhuǎn)移中起到關(guān)鍵作用。因此，雄激素撤除療法(androgendeprivation therapy)成為治療晚期前列腺癌的最常用和有效的方法。但是在治療的兩到三年內(nèi)，大部分晚期前列腺癌就會(huì)發(fā)展成去勢(shì)抵抗性前列腺癌(CRPC)。對(duì)于 CRPC 目前缺乏有效治療手段，成為前列腺癌治療中最為棘手的問題。在雄激素撤除環(huán)境下，AR 的再激活存在多種途徑，主要包括病灶部位雄激素的合成、AR 的基因突變、倍增和可變剪切以及 AR 共

一種局部自適應(yīng)可控浸潤(rùn)性耦合微結(jié)構(gòu)強(qiáng)化沸騰換熱方法具體為：在換熱基底微結(jié)構(gòu)頂部設(shè)置電極膜，電極膜與金屬電極連接至電源形成電場(chǎng)，換熱工質(zhì)中帶電金屬納米顆粒在電場(chǎng)作用下間歇吸附于換熱表面，實(shí)現(xiàn)換熱表面浸潤(rùn)性的可控轉(zhuǎn)換；所述金屬電極固定在換熱基底外部；金屬電極優(yōu)選為銅電極、鋁電極，形狀優(yōu)選為板狀、網(wǎng)狀或棒狀。 所述換熱基底材料為金屬如紫銅或單晶硅、藍(lán)寶石、石墨烯等非金屬，可以理解的是，換熱領(lǐng)域常用的換熱材料均適用于本發(fā)明，優(yōu)選導(dǎo)熱性良好的基底材料。換熱基底形狀為平板、圓管或異形，其中異形為換熱領(lǐng)域常見換熱器形狀。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)為尺寸為納米級(jí)或微米級(jí)的微柱、微坑或微槽道；可以理解的是，現(xiàn)有技術(shù)中，所有用于提高換熱效率的微結(jié)構(gòu)均適用于本發(fā)明，優(yōu)選為納米級(jí)或微米級(jí)的方形微柱、矩形微柱、半球形微坑或圓柱形微坑。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)的排列方式為規(guī)則排列如陣列式、交錯(cuò)式排列，或?yàn)椴灰?guī)則排列。所述電極膜通過電極引線引出，以將電極膜連通并連接至電源；換熱基底、電極膜、電極引線的表面均絕緣。所述表面絕緣可以通過在表面設(shè)置絕緣層實(shí)現(xiàn)，所述絕緣層厚度為百納米級(jí)。其中，換熱基底材料為單晶硅等非導(dǎo)電材料時(shí)，則無(wú)需設(shè)置絕緣層。所述絕緣層材料為惰性金屬、金屬氧化物、陶瓷或硅膠；優(yōu)選導(dǎo)熱性優(yōu)良的絕緣材料，可以通過摻雜導(dǎo)熱性優(yōu)良材料的方式來(lái)提高絕緣材料導(dǎo)熱性。所述電極膜、電極引線材料為導(dǎo)電材料；優(yōu)選為金屬，進(jìn)一步優(yōu)選為金、銀、銅或鋁。 所述電極膜厚度為百納米級(jí)。所述帶電金屬納米顆粒具有均勻親水性表面、均勻疏水性表面或雙親浸潤(rùn)性表面；親水、疏水或雙親浸潤(rùn)性表面通過改性獲得；帶電金屬納米顆粒尺度為納米級(jí)、微米級(jí)，形狀規(guī)則或不規(guī)則，優(yōu)選為球形或柱形。所述帶電金屬納米顆粒浸潤(rùn)性與換熱基底的浸潤(rùn)性不同，用于改變換熱表面浸潤(rùn)性。如換熱基底表面為親水（或疏水），帶電金屬納米顆粒表面為疏水（或親水），也可以具有雙親浸潤(rùn)性。所述電源為直流電源或交流電源；其中直流電源通過通、斷電實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)可控；交流電源通過控制交流頻率實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)可控，交流頻率根據(jù)沸騰氣泡動(dòng)力學(xué)周期調(diào)節(jié)。