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一種用于復合波片光軸對準的裝夾裝置
本發明公開了提供的一種用于復合波片光軸對準的裝夾裝置，該裝置包括電控旋轉臺、固定波片卡盤和旋轉波片卡盤；波片支架安裝在電控旋轉臺，固定波片卡盤與電控旋轉臺基座連在一起，旋轉波片卡盤與電控旋轉臺轉盤連在一起，使用時，將安裝有晶片的波片支架安裝在固定波片卡盤和旋轉波片卡盤上。本發明提供的裝夾裝置可以實現在對復合波片光軸進行高精度對準時，對組成復合波片的各晶片進行夾持，并保證不同晶片間能產生高精度高分辨率的相對轉動。與現有波片夾具相比，本發明所提供的裝夾裝置不僅能夠實現對兩片晶片的夾持和精確定位，而且能夠使兩片晶片間產生高精度高分辨率地相對轉動，更適合用于復合波片光軸的對準過程。
華中科技大學
2021-04-11
超薄石墨片作襯底的碲化鎘太陽電池
超薄石墨片作襯底的碲化鎘太陽電池，屬于新能源材料與器件領域。本發明 采用柔性超薄石墨片作為襯底材料，在石墨片上濺射一層銅，進行熱處理。銅 擴散進入石墨形成摻銅石墨片。在摻銅石墨片上沉積一層碲，再沉積碲化鎘并 進行退火處理。在碲化鎘的沉積及退火處理過程中，在石墨片和碲化鎘之間形 成重摻雜的CuxTe層而實現柔性石墨襯底與碲化鎘之間的歐姆接觸。然后依次 沉積硫化鎘、透明導電薄膜和柵狀鋁電極獲得柔性碲化鎘薄膜太陽電池。本發 明解決了制備高效柔性碲化鎘電池所需的較高工藝溫度與常規柔性襯底耐受溫 度低的矛盾。
四川大學
2021-04-11
在片上微納激光器精確集成領域的研究
北京大學“極端光學創新研究團隊”發展了一種高精度的暗場光學成像定位技術(位置不確定度僅21 nm)，并結合電子束套刻工藝，實現了片上量子點微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導的精確、并行、無損集成。這種微盤-銀納米線復合結構同時具有介質激光器與表面等離激元波導的優勢，因此不僅具有介質激光器的低閾值與窄線寬特性，而且具有表面等離激元波導的深亞波長場束縛特性。基于這種靈活、可控的制備方法，他們實現了片上微盤激光器與表面等離激元波導間多種形式的精確可控集成，包括切向集成、徑向集成以及復雜集成，并且對量子點無任何加工損傷；進一步，通過同時集成多個片上微盤激光器與多個銀納米線表面等離激元波導，他們獲得了多模、單色單模以及雙色單模的深亞波長(0.008λ2)相干輸出光源。這些高性能的深亞波長相干輸出光源可以容易地耦合并分配至其它深亞波長表面等離激元光子器件和回路中。因此，這種靈活、可控的精確集成方法在高集成密度的光子-表面等離激元復合光子回路中具有重要應用，并且這種方法可以拓展到其它材料和其它功能的微納光子器件集成中，為未來光子芯片的實現提供了一種可行的解決方案。 該工作于2018年5月發表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插畫(Frontispiece)的形式予以重點報道。文章的第一作者為北京大學物理學院博士研究生容科秀，陳建軍研究員為通訊作者。該研究工作得到了國家自然科學基金委、科技部、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、量子物質科學協同創新中心和極端光學協同創新中心等的支持。 圖1. 片上膠體量子點微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導的精確、并行、無損集成。
北京大學
2021-04-11
一種微機電系統的圓片級真空封裝方法
一種微機電系統的圓片級真空封裝方法，屬于微機電系統的封裝方法，解決現有封裝方法存在的問題，使得微型真空腔長時間保持真空，滿足十年以上使用壽命的要求。本發明包括：刻蝕步驟：在蓋板圓片上對應硅基片 MEMS 器件的位置刻蝕相應空間尺寸的凹坑，再環繞凹坑刻蝕環形凹槽；吸氣劑淀積步驟：在所述凹坑和凹槽內淀積吸氣劑薄膜；鍵合步驟：在真空環境下將蓋板圓片和硅基片緊密鍵合。本發明解決了現有封裝方法存在的真空保持時間短、密封質量低、可靠性差、成本高的問題，可以長時間保持微型腔體內的真空度，極大的推動圓片級 MEMS
華中科技大學
2021-04-14
系列染料中間體產品之一----均三甲苯胺
上海交通大學
2021-04-11
4-取代苯胺基表鬼臼毒素衍生物及用途
本發明提供一類4-取代苯胺基表鬼臼毒素衍生物，是指4’-O-去甲基-4-脫氧-4-取代苯胺基表鬼臼毒素衍生物，是利用現有的藥物依托泊苷作為先導化合物，通過結構改造，合成一系列具有抗腫瘤活性的化合物，初步的體外篩選和體內抑瘤實驗表明，這些化合物具有較好的抗腫瘤活性，其中化合物GL3在提高對腫瘤抑制作用的同時，其毒性也明顯降低，可制備具有抗腫瘤活性較高、毒性較低、對多藥耐藥腫瘤有效的抗腫瘤藥物；本發明的結構通式：。
浙江大學
2021-04-13
以三苯胺酞菁為空穴傳輸層的高性能鈣鈦礦太陽能電池
傳統的空穴傳輸材料——以Spiro-OMeTAD為代表的芳胺類化合物由于其結構多樣性、易于調節的前線軌道能級、較好的成膜能力和高的熱穩定性與形態穩定性，在多個技術領域也受到了極大的關注。 氮原子的易氧化和有效傳輸正電荷的能力，使芳胺基團成為強電子給體。然而，由于芳胺的非平面構象及核心氮與芳基之間的扭曲，芳胺化合物大部分是無定形的。這降低了芳胺化合物的電荷載流子遷移率，并導致芳胺化合物需
南方科技大學
2021-04-14
一種入射角度不敏感的顏色濾光片的制備方法
本發明公開了一種入射角不敏感的顏色濾光片，包括基底，所述的基底上布置有若干圓柱形的光柵，所述光柵以正六邊形排列，光柵材料為硅，基底材料為熔融石英。本發明還公開了上述濾光片的制備方法。本發明的入射角不敏感顏色濾光片，與傳統的化學濾光片和傳統的干涉濾光片不同，它采用二維光柵的結構，利用光柵層中產生的巨大的折射率差別，通過高低折射率差區域之間的耦合產生諧振，從而達到入射角不敏感的濾光效果。本發明入射角不敏感的顏色濾光片的制備方法，制備簡單，成本低，便于大規模、批量化生產。因此該發明有望在液晶顯示、彩色印刷、傳感探測和防偽等領域廣泛應用。
浙江大學
2021-04-11
燒結釹鐵硼鑄片產業化技術
中國燒結釹鐵硼磁體生產廠家大部分仍采用傳統工藝(普通鑄錠、中粗細破碎、氣流磨制粉、垂直磁場成型、冷等靜壓、燒結)生產，燒結釹鐵硼用合金大部分是采用模鑄(Mold Casting)工藝，嚴重影響磁體的檔次。 日本燒結釹鐵硼的生產工藝是合金鑄片、氫破碎技術、氣流磨、一次磁場成型和燒結。釹鐵硼合金鑄片生產企業主要有日本三德金屬、昭和電工和住金鉬，合金品質高，為高檔燒結釹鐵硼磁體提供優質合金。 鑒于日本生產技術和分工的優越性，中國釹鐵硼行業正在逐步采用日本模式。為此，本項目在國家科技攻關重大項目支持下，開發出具有自主知識產權的燒結釹鐵硼用合金鑄片產業化技術。該技術的優點有：（1）“快冷片”凝固速率比鑄錠快，阻止了a-Fe枝晶生成。實驗表明：傳統工藝稀土總量低于33wt%時鑄錠中開始出現枝狀a-Fe相，稀土總量越低，鑄錠中的a-Fe相越多；快冷厚帶工藝只要稀土總量不低于28.5wt%，“快冷片”中就沒有a-Fe出現；（2）Nd2Fe14B主相晶粒中有許多富Nd相小片，在氫破碎后形成很多微裂紋，又無大的a-Fe枝晶，因此鑄片的粉碎性能很好，確保了在氫破碎和氣流磨后可以形成單晶粉末，使粉末定向排列最佳，從而提高磁體的剩磁；（3）“快冷片”中富Nd相分散得很好，使燒結時液相分布最佳，有利于在較低的燒結溫度下得到高密度、高矯頑力的磁體；（4）稀土總量可以大大降低，又不會形成缺稀土區域(它會使退磁曲線方形度下降)，這對生產高矯頑力、高磁能積至關重要，同時可以降低Dy、Tb的用量；（5）磁體的氧含量低。
北京科技大學
2021-04-11
智能應用片上系統（SOC）系列芯片
項目簡介：
針對設備如何正確理解人類的邏輯和時序知識，并將獲得的知識便捷的轉換為當前計算機體系的執行代碼的問題，設計了用于智能應用的SOC芯片。此芯片由當前通用微處理器和相應的固件構成，固件由操作系統、類似人腦樹突學習和推理的新型思維模型和通用通信模塊構成，SOC系列芯片可以解決認知人類邏輯、時序思維的問題，具備了一定的認知智能。系列芯片可分無帶代碼編程的控制芯片，無代碼編程的總線與網絡通信芯片，低代碼編程的運動控制芯片，制造業核心控制設備本質安全芯片等幾個系列的芯片。
技術的創造性與先進性、創新要點：
01）、提出了類人思維計算理論方法
02）、有別于馮諾曼和哈弗結構的計算機運行架構
a、傳統的計算機程序由程序員完成，新的框架和機制要求計算機
程序由使用者經過簡單培訓便可完成，改變了目前程開發模
式。
b、應用開發過程可直接認知和理解以人類思維描述的開發目標
幾乎無需編寫代碼，與現有單片機、PLC等開發模式完全不同，
具備了認知人類知識和經驗的高等級人工智能功。
c、與現有的開發模式和開發工具相比，對開發人員專業技能要求大大降低，應用開發效率極大提高。
03）、以人類思維的視角而非二進制運算的模式進行計算機數據的處理。
獲獎情況：
獲2016年山東省科技進步一等獎
山東大學
2021-05-11