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一種基于氯化鋼水溶性薄膜的OLED器件（未授權）
本實用新型提供了一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件，由下至上依次 包括透明陽極IT。基底、氯化摑水溶性薄膜、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸 層、電子注入層和陰極,所述的氯化綱水溶性薄膜的制備方法包括以下步驟：步 驟一、將粉末狀的氯化錮溶解于去離子水中得到混合溶液；步驟二、將上述混合 溶液旋涂在ITO基底表面上，退火得到氯化綱水溶性薄膜。該結構優點在于:不 僅制備方法簡單,成本彳氐廉,環境友好,而且能夠有效的提高陽極界面載流子的 注入效率，提高OLED器件的光電性能。本實用新型屬于有機電致發光器件領 域，特別涉及一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件。
西南大學
2021-04-13
基于IP庫的通用MEMS器件可視化仿真與驗證工具
“虛擬工藝”軟件可由標準工藝流程文件和掩膜版圖文件，模擬出所要加工的MEMS器件的真實三維結構，具有良好的通用性和精度。下圖為自主開發的“虛擬工藝”軟件生成的微夾鉗三維結構。 “虛擬運行”軟件對器件的運動情況進行仿真，并與最初設計方案比較來指導和修正實際加工。下圖顯示了微夾鉗的虛擬運行結果，圖中的器件顏色表示了器件運動時的劇烈程度，紅色表示變形最劇烈的部分，淡藍色表示變形較小的部分。
南開大學
2021-04-14
安徽大學在氮化鎵功率器件研究領域取得新進展
本工作中，基于安徽大學微納加工平臺以及香港科技大學納米系統實驗制造中心聯合制造出了兩款氮化鎵功率器件，分別實現了電壓驅動/電流驅動的柵極結構，為后續的驅動設計和研發提供了器件技術支持；工作中也同時提出了兩種結構在高溫下的穩定性模型，為進一步提升氮化鎵器件的性能以及可靠性打下了基礎。
安徽大學
2022-06-13
基于IP庫的通用MEMS器件可視化仿真與驗證工具
項目的背景及目的 迄今為止，集成電路的模擬、仿真直至評測已有了非常完善的工具軟件；并已成為設計過程的重要組成部分；對設計的成功、可靠、高效都已起到決定性作用。而對MEMS而言，還相差甚遠，這和MEMS發展的成熟程度有著直接關系。當然，這并不意味著MEMS不需要這樣的工具和系統。相反，由于MEMS的功能多樣、加工復雜、分析困難、設計周期長、成本高等。特別需要一個能包括運動仿真、評測在內的設計工具和系統。這是當前推動MEMS發展的當務之急。
南開大學
2021-04-14
一種面向芯片級器件的焊點制備方法及裝置
本發明公開了一種面向芯片級器件的焊點制備裝置，包括：溶液容器，用于提供焊料溶液；流量分配器，其上設置有陣列布置的多個噴嘴，其與溶液容器連通，焊料溶液通過噴嘴噴出；器件固定板，其通過一底板固定在噴嘴下方，其上平鋪有待制備焊點的器件，且該器件固定板與噴嘴通過高壓發生器相連，兩者之間形成高壓電場；還包括管芯模，其包括呈陣列布置的多個管芯，且各管芯一一對應配合插裝在噴嘴中，在各噴嘴和管芯之間的空隙內形成容納焊料溶液的空間，在電場的作用下，焊料溶液通過該噴嘴中的空間進行流量分配后噴出形成噴點或噴絲，滴落于器件
華中科技大學
2021-04-14
安徽大學在氮化鎵功率器件研究領域取得新進展
近日，我校物質科學與信息技術研究院唐曦教授課題組與電氣工程與自動化學院胡存剛教授、曹文平教授課題組在氮化鎵功率器件領域取得最新研究進展，在氮化鎵GaNHEMT方向取得突破。
安徽大學
2022-06-01
高性能系列鈮酸鋰、鉭酸鋰晶體和光電器件
光電晶體及其器件作為激光技術的關鍵材料和器件，被諸多國家 列為優先發展的技術領域。本項目在國家 863 計劃、天津市重大科技 攻關、國防科工局民口配套等項目支持下，瞄準國家需求，圍繞產品 化關鍵技術攻關，取得了以下主要科技創新： （1）自主設計基于經驗數據庫的智能計算機晶體生長自動控制 系統，并開發了晶體生長成套裝備，應用于多種晶體生長，得到批量 推廣應用。 （2）發展了兩種非固液同成分共熔配比晶體的制備方法，實現 了 SLN 晶體和 SLT 晶體的批量、廉價制備。 （3）開發了寬溫度范圍工作鈮酸鋰電光調 Q 晶體及電光調 Q 開 關，在-55℃～70℃溫度區間穩定工作，大幅提高了軍用激光系統的溫 度穩定性。（4）以高溫度穩定性電光調 Q 開關為核心技術自主研發的系列 高溫度穩定性鈮酸鋰電光調 Q 激光系統，實現了批量生產和應用。 （5）開發了滿足激光雷達等長期在線工作的低內電場鈮酸鋰電 光調 Q 晶體和電光調 Q 開關。 （6）開發了高抗光損傷閾值的鉭酸鋰電光調 Q 晶體和電光調 Q 開關，典型 1064nm 波段的激光損傷閾值比鈮酸鋰晶體提高兩個數量 級以上，且能夠滿足軍工寬溫度范圍要求。
南開大學
2021-04-13
面向物聯網的砷化鎵基具有熱電轉換功能的MESFET器件
本發明提供的一種面向物聯網的砷化鎵基具有熱電轉換功能的MESFET器件，主要包括MESFET和熱電偶。MESFET選擇半絕緣的GaAs作為襯底，通過GaAs工藝和MEMS表面微機械加工實現具有能量轉換功能的MESFET。在源漏柵的金層四周制作一層二氧化硅，化學機械拋光后，制作熱電偶的金屬Au型熱電臂和砷化鎵型熱電臂，蒸金連接兩種熱電偶臂，將源漏柵的熱電偶電極進行金屬連線，留下兩個熱電偶電極作為塞貝克電壓的輸出極。該砷化鎵基具有熱電轉換功能的MESFET器件根據塞貝克效應，可以將器件工作產生的熱能轉換為電能，實現能量收集的同時緩解了散熱問題。通過檢測輸出塞貝克電壓的大小來實現對熱耗散功率大小的檢測。
東南大學
2021-04-11
一種基于有源和無源器件的小型力觸覺再現方法
本發明公開了一種基于有源和無源器件的小型力觸覺再現方法，步驟如下：首先進行磁流變阻尼器和直流電機的標定，獲得輸入電流和輸出力矩的關系；將預期力/力矩數值轉換成磁流變阻尼器的電流輸入，由磁流變阻尼器輸出相應力矩，再經力觸覺傳遞裝置作用于操作人員身體；其次，安裝在力/力矩作用點的傳感器測量實際作用的力/力矩，比較實際輸出與預期力/力矩數值，計算力/力矩誤差；最后，將力/力矩誤差轉換成直流電機的輸入信號，驅動直流電機產生誤差所對應的力矩；本發明可實現小型器件輸出大范圍、高精度力/力矩，使得力觸覺再現設備更加輕便、小巧，提升了力觸覺交互的逼真度；可廣泛應用于虛擬現實、遙操作機器人控制、醫療等領域。
東南大學
2021-04-11
一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法
本發明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經步驟（3）處理后的器件上沉積有機介電層單元；（5）在所述有機介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進行熱處理，以消除界面應力和器件的壓應力；（7）沉積有機半導體層單元。本方法通過一種機械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨
華中科技大學
2021-01-12