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懸賞金額：10萬元 發榜企業：深圳市豪龍新材料技術有限公司  需求領域：精細化工 產業集群：先進材料產業集群 技術關鍵詞：光刻樹脂; 光刻膠; 特種硅樹脂; 高性能硅橡膠; 紫外光固化技術

為了提高液壓油缸表面光潔度，在實際生產中，一般采用表面鍍硬絡的生產工藝。可移動海水養殖網箱固樁油缸在研發過程中，由于海水腐蝕性強，維修不便等特殊工況，對表面鍍層的要求很高，特別是附著力、耐腐蝕性等指標要求更高。二、為了提高油缸的美觀度以及耐腐蝕性，油缸表面一般采用噴漆工藝。在可移動海水養殖網箱固樁油缸實際研發過程中，由于海洋作業環境海風侵蝕、海水銹蝕以及陽光照射等特殊工況，油漆更易剝落，影響使用壽命。三、液壓油缸屬于執行原件，需要一整套系統（包括泵、閥）保證獨立完成作業任務。不同于陸地作業，在海洋作業中，為了保證正常作業，對于油路走向、系統設計要求更高。四、液壓油缸的密閉性是保證油缸正常作業的關鍵技術，直接關系到油缸的性能和使用壽命。傳統生產加工中，對于缸體的精加工一般使用磨床、以及拋光工藝增加缸體的光潔度。但是在海洋作業中，由于海水壓力，對油缸的密封性提出了更高的要求，這一方面要采用功能強大、密封性好、使用壽命更長的密封原件，另一方面就是要通過精加工提高缸體的光潔度。

大幅度提高奧氏體不銹鋼表面硬度（1000HV以上），抗磨損性能，抗疲勞性能，抗應力腐蝕開裂性能，抗點蝕性能。

氨基酸表面活性劑具有溫和及低刺激性，是一類綠色表面活性劑，本研究采用新的工藝技術，降低了產品成本。

本項目是以脂肪醇與葡萄糖為原料，生產新型綠色表面活性劑——烷基糖苷，本合成工藝先進，產品質量好。產品可應用于日用化工、農藥等行業中，具有較好的發展前景。 創新要點：采用一步法合成工藝，產品質量好，成本降低。 推廣情況：已與江蘇東泰精細化工公司合作，完成了小試工作。

成果描述：本發明公開了一種柴油機微粒捕集器DPF碳累積量估計方法，通過壓差傳感器測得DPF前后總壓力差，根據DPF前后總壓力差和廢氣體積流量得到DPF的總流阻，根據灰分質量和廢氣體積流量得到DPF殘余碳產生的流阻，總流阻減去白載體流阻及殘余碳產生的流阻即可得到積碳所產生的流阻，根據積碳產生的流阻與廢氣體積流量即可得到碳積累量；所述灰分質量通過廢氣質量流量和發動機轉速經過積分計算得到。本發明提出了碳積累量增量估計方法，可以基于當前總流阻、當前灰分質量和當前廢氣體積流量計算出碳積累量的增量，然后得到當前的碳積累量。本發明方法得到的DPF碳累積量估計精度更高，而且避免了使用現有估計方法中物理意義不明確的參數，估計過程更加快速精確，從而大大提高了判斷DPF再生時機的準確性。市場前景分析：內燃機技術領域。與同類成果相比的優勢分析：技術先進，性價比較高。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發明公開了一種計及區域量測能力的主動配電網保護方案，包括如下步驟：（1）建立恒功率控制方式下逆變型分布式電源故障特性分析模型；（2）分析故障條件下分布式電源的故障特性及其對配電網電流保護的影響；（3）搭建主動配電網保護系統架構，根據斷路器處故障電流方向，完成故障線路的定位；（4）利用分布式電源并網與配電網保護動作時間時序配合的主動配電網重合閘方案；該發明能夠消除DG接入對配電網保護產生的影響，同時利用電流故障分量作為特征電氣量，去除了負荷電流對于保護方案的影響，具有較高的可靠性。所提重合閘方案不改變配電網原有的保護配置，且不依靠通信網絡，具有很強的經濟優勢和工程實用性。