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實(shí)驗(yàn)室溫度計(jì) 硅二極管溫度傳感器 DT640
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢。
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特點(diǎn)：
※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-06-27
喜迎二十大 | 管培俊：高質(zhì)量的高等教育是億萬人民的期待
我們熱切地期望二十大之后，我國高等教育的發(fā)展實(shí)現(xiàn)新的歷史性跨越。
人民政協(xié)報(bào)
2022-10-12
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可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法
本發(fā)明公開了一種可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質(zhì)結(jié)，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明在藍(lán)寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結(jié)晶度，提高電學(xué)性能，有效消除晶體質(zhì)量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結(jié)區(qū)的剩余電子，增加ＺｎＯ區(qū)載流子復(fù)合效率，實(shí)現(xiàn)純ＺｎＯ紫外發(fā)光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管，發(fā)光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種石墨烯-碳納米管復(fù)合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法
本發(fā)明公開了一種石墨烯-碳納米管復(fù)合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法。它包括以下步驟：（1）將1重量份的氧化石墨烯分散于10~4000重量份的水中形成氧化石墨烯分散液；（2）將1重量份碳納米管分散于5~4000重量份的氧化石墨烯分散液中，得到氧化石墨烯-碳納米管分散液；（3）將氧化石墨烯-碳納米管分散液進(jìn)行冷凍干燥或超臨界干燥，得到氧化石墨烯-碳納米管復(fù)合氣凝膠；（4）將氧化石墨烯-碳納米管復(fù)合氣凝膠采用化學(xué)還原法還原或高溫?zé)徇€原法還原，得到石墨烯-碳納米管復(fù)合全碳超輕彈性氣凝膠。本發(fā)明的工藝簡單，過程綠色環(huán)保，所得到的全碳超輕氣凝膠具有低密度、高導(dǎo)電率、高比表面積、彈性溫度范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。
浙江大學(xué)
2021-04-11
一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發(fā)明公開了一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構(gòu)成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構(gòu)成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種去除甲醛用天然沸石負(fù)載CuO納米管復(fù)合材料的制備方法
本發(fā)明屬于材料制備領(lǐng)域，具體為一種去除甲醛用天然沸石負(fù)載CuO納米管復(fù)合材料的制備方法。首先，用鹽酸對天然沸石進(jìn)行處理，并水浴加熱，攪拌、過濾、洗滌、干燥，熱處理后制備出性能穩(wěn)定的天然沸石，然后，結(jié)合浸漬工藝將天然沸石浸漬在氯化銅溶液中，以四甲基乙二胺為絡(luò)合劑，CTAB為軟模板，葡萄糖為還原劑，采用水熱法制備天然沸石負(fù)載Cu納米線，最后，采用熱處理法制備天然沸石負(fù)載CuO納米管復(fù)合光催化材料。該工藝過程簡單，成本低，便于實(shí)現(xiàn)，制備的天然沸石負(fù)載CuO納米管復(fù)合材料比表面積大，易于回收，吸附降解性能好。
天津城建大學(xué)
2021-04-11
一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管，包括：由下而上依次設(shè)置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設(shè)置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設(shè)置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設(shè)置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應(yīng)增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯(lián)合
東南大學(xué)
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設(shè)置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導(dǎo)電層，在n型AlGaN層和透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置的n型歐姆電極和p型
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種基于分形維數(shù)的碳納米管分散狀態(tài)的數(shù)值化表征方法
本發(fā)明屬于納米復(fù)合材料制備及應(yīng)用領(lǐng)域，具體公開了一種基 于分形維數(shù)的碳納米管分散狀態(tài)的數(shù)值化表征方法。該方法首先通過 獲取分散體系中碳納米管分散狀態(tài)的掃描電鏡圖片，然后采用圖像處 理軟件(ImageJ)將所得掃描電鏡圖片進(jìn)行二值化處理，再提取出圖片中 單根碳納米管或者碳納米管團(tuán)聚體的邊界輪廓，最后利用盒子算法計(jì) 算處理后圖片的分形維數(shù)，所得的分形維數(shù)值即是對碳納米管分散狀 態(tài)中豐富信息的定量化描述，從而實(shí)現(xiàn)分散體系中
華中科技大學(xué)
2021-04-14
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
喹噁啉類三種獸藥的食品安全性評價(jià)與風(fēng)險(xiǎn)管控技術(shù)
中試階段/n該項(xiàng)目2016年獲得湖北省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。由于乙酰甲喹和喹烯酮尚未確定每日允許攝入量(ADI)、殘留標(biāo)識物(MR)和靶組織(TT)，未能制訂最高殘留限量(MRLs)和休藥期(WP)，喹乙醇僅有豬肌肉暫定MR及MRL，這三種藥物一直沒有科學(xué)的食品安全標(biāo)準(zhǔn)和風(fēng)險(xiǎn)管控技術(shù)，消費(fèi)者健康受到威脅。
華中農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-01-12