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本發(fā)明公開了一種光電化學(xué)太陽能電池光電極微納結(jié)構(gòu)制造工藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長一層 SiO₂薄膜、2)在有 SiO₂層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的 SiO₂，將光刻的圖形轉(zhuǎn)移到 SiO₂層、4)鍍Cu 膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的 Cu、6)生長 Si 微米線陣列、7)在 Si 微

晶硅光伏組件生產(chǎn)完成之后，必須經(jīng)過外觀檢測，以確定是否有虛焊、碎片、異物等外觀缺陷。一般而言，外觀檢測都是人工完成，具有工作煩累、容易出錯(cuò)等問題。晶硅光伏組件還要經(jīng)歷電致發(fā)光（ EL）測試，以確定是否有裂紋、黑芯片、硅片雜質(zhì)缺陷、電極缺陷、片源不一致等問題。一般而言，這部分的檢測都在設(shè)備中進(jìn)行，目前的設(shè)備只能得到整個(gè)組件的 EL 測試圖像，需要人工針對該圖像進(jìn)行缺陷分析，強(qiáng)烈依賴于檢測人員的技術(shù)能力和責(zé)任心。本產(chǎn)品是晶硅光伏領(lǐng)域?qū)＜遗c機(jī)器視覺公司合作開發(fā)，將晶硅光伏組件的

本發(fā)明公開了一種小水電機(jī)群組成分布式儲(chǔ)能系統(tǒng)的方法。該 方法包括：獲得一個(gè)儲(chǔ)能周期 T 中，第 t 個(gè)時(shí)段所有小水電站的總凈 負(fù)荷值 PLj(t)；根據(jù)優(yōu)化目標(biāo)、總凈負(fù)荷值 PLj(t)以及第 i 個(gè)小水電站 的計(jì)劃負(fù)荷 pi(t)，獲得第 i 個(gè)小水電站的實(shí)際負(fù)荷 pfci(t)；根據(jù)第 i 個(gè) 小水電站的實(shí)際負(fù)荷 pfci(t)，對第 i 個(gè)小水電站的抽水蓄水裝置進(jìn)行最 優(yōu)效率控制，令所述第 i 個(gè)小水電站按照實(shí)際負(fù)荷 pfci(t)在最優(yōu)效率下 運(yùn)行，所述抽水蓄水裝置為水輪機(jī)及水泵或者可逆式水

本發(fā)明公開了一種光電化學(xué)太陽能電池光電極微納結(jié)構(gòu)制造工 藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長一層 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的 SiO2，將光刻的圖 形轉(zhuǎn)移到 SiO2 層、4)鍍 Cu 膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的 Cu、6)生長 Si 微米線陣列、7)在 Si 微米線表面鍍一層 ZnO 膜、8)在 Si 微米線表面生長 ZnO 納米線、9)在 ZnO 納米線表面制備一層 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 結(jié) 構(gòu) 表 面

大容量電池儲(chǔ)能系統(tǒng)能夠提高可再生能源發(fā)電的穿透率，提高電網(wǎng)穩(wěn)定性，是未來智能電網(wǎng)運(yùn)行中的重要組成部分，然而功率轉(zhuǎn)換技術(shù)一直限制著電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的大容量化發(fā)展。本項(xiàng)目使用級聯(lián)式變換器作為大容量電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，從而可以大大提高大容量電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的效率、可靠性等。 在本項(xiàng)目的研究過程中，先后對高壓直掛功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的關(guān)鍵技術(shù)如二次脈動(dòng)抑制、接地電流抑制以及可靠的控制策略等進(jìn)行了深入研究，在20鏈節(jié)的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)中全面驗(yàn)證，并在國內(nèi)外期刊發(fā)表了多篇論文。最后，南方電網(wǎng)公司在深圳寶清儲(chǔ)能電站建設(shè)了2MW/2MVA/10kV高壓直掛儲(chǔ)能系統(tǒng)，本項(xiàng)目研究的關(guān)鍵技術(shù)實(shí)際指導(dǎo)了該系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，所研究的控制策略實(shí)際應(yīng)用于該儲(chǔ)能系統(tǒng)。 該儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)是世界上首次直掛 10kV電網(wǎng)的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，目前已經(jīng)順利運(yùn)行一年，在效率、可靠性等方面明顯優(yōu)于傳統(tǒng)儲(chǔ)能系統(tǒng)，為大容量電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

本實(shí)用新型涉及一種變頻控制的振動(dòng)磨，特別是一種能產(chǎn)生高振強(qiáng)的多波變正弦曲線變頻控制振動(dòng)磨， 屬于振動(dòng)利用工程技術(shù)領(lǐng)域。由電源、變頻器、振動(dòng)磨、傳感器、記錄分析儀組成，變頻器接線一端與電 源相連接，變頻器接線另一端與振動(dòng)磨的驅(qū)動(dòng)電機(jī)相連接；變頻器上可以進(jìn)行多點(diǎn)頻率的變化輸入，以使 電機(jī)的輸入頻率按照設(shè)定的規(guī)律變化，從而驅(qū)動(dòng)振動(dòng)磨系統(tǒng)工作；傳感器依靠磁力置于振動(dòng)磨磨筒上，傳 感器搭配積分電荷放大器使用，可將檢測的加速度信號(hào)及二次積分即振幅信號(hào)，傳輸給記錄分析儀，進(jìn)而可以確定振動(dòng)磨的振強(qiáng)、振幅變化曲線，便于調(diào)整變頻器的變化規(guī)律，進(jìn)行控制程序編制，對振動(dòng)磨機(jī)實(shí) 施變頻控制。

本發(fā)明公開了一種帶有多孔泡沫金屬換熱結(jié)構(gòu)的太陽能光伏光熱集熱器，該集熱器采用上下雙冷卻通道結(jié)構(gòu)，并結(jié)合多孔泡沫金屬層(6)進(jìn)行換熱強(qiáng)化，降低了太陽能光伏元件的溫度，提高光伏元件發(fā)電效率，同時(shí)將太陽能光伏元件所產(chǎn)生的大量熱量及時(shí)傳遞給冷卻氣體，冷卻氣體從集熱器出氣口(11)排出后可以用于預(yù)熱、干燥或者室內(nèi)供暖等用途。本發(fā)明所使用的泡沫金屬具有高熱導(dǎo)率及高比表面積，可以有效地改善傳統(tǒng)太陽能光伏光熱集熱器的冷卻效率，并且采用下進(jìn)上出的流式，使得換熱過程接近逆流換熱，換熱效率達(dá)到最高。

通過超高真空分子束外延技術(shù)，在SrTiO3襯底上成功制備出宏觀尺度的單原胞層（厚度小于1納米）高溫超導(dǎo)體FeSe與FeTe0.5Se0.5單晶薄膜，其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度大約在60 K左右，并通過原位掃描隧道顯微鏡和隧道譜技術(shù)對其中的超導(dǎo)配對機(jī)制進(jìn)行了深入研究。?? 原位掃描隧道顯微鏡觀測表明沉積的Fe原子處于薄膜上層的Te/Se原子間隙處。由于沉積密度極低，F(xiàn)e原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近無近鄰Fe原子團(tuán)簇。系統(tǒng)的原位超高真空（~10-10 mbar）掃描隧道譜實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對特定的吸附原子/單層FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合強(qiáng)度[數(shù)量占比約13% (15%)]，F(xiàn)e吸附原子上可觀測到尖銳的零能電導(dǎo)峰（圖1）。該電導(dǎo)峰緊密分布在吸附原子附近，衰減長度~3 A，且遠(yuǎn)離吸附原子時(shí)不劈裂。變溫實(shí)驗(yàn)表明，零能電導(dǎo)峰在遠(yuǎn)低于超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度時(shí)即消失，可初步排除Kondo效應(yīng)、常規(guī)雜質(zhì)散射態(tài)等解釋（圖2A和圖2B）。進(jìn)一步的控制實(shí)驗(yàn)和分析顯示，零能電導(dǎo)峰半高寬嚴(yán)格由溫度和儀器展寬限制、在近鄰雙Fe原子情形不劈裂、服從馬約拉納標(biāo)度方程，這些結(jié)果均與馬約拉納零能模的唯象學(xué)特征吻合（圖2C-圖2G）。對沉積于單層FeSe薄膜與FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，結(jié)果基本相同。相比于單層FeSe，統(tǒng)計(jì)結(jié)果表明單層FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中觀測到零能束縛態(tài)的幾率更高且信號(hào)更強(qiáng)。波士頓學(xué)院汪自強(qiáng)教授和合作者曾在理論上提出，無外加磁場時(shí)，強(qiáng)自旋-軌道耦合s波超導(dǎo)體間隙磁雜質(zhì)可產(chǎn)生量子反常磁通渦旋。理論上如果單層FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空間反演對稱破缺而具有較強(qiáng)的Rashba自旋-軌道耦合, Fe原子的磁矩局域破壞時(shí)間反演對稱，可以使量子反常渦旋“承載”馬約拉納零能模。對單層FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理論也預(yù)測存在拓?fù)浞瞧接瓜唷Ｔ诙S拓?fù)涑瑢?dǎo)體中，馬約拉納零能模也會(huì)產(chǎn)生于Fe原子誘導(dǎo)的量子反常渦旋中的束縛態(tài)。因此，實(shí)驗(yàn)中觀測到的零能電導(dǎo)峰可歸因于Fe吸附原子引起的局域量子反常渦旋。更深入、具體的理解還有待于進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)和理論探索。這一工作將探索馬約拉納零能模的超導(dǎo)材料從三維拓展到二維、從低溫超導(dǎo)拓展到超過40 K超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度的高溫超導(dǎo)體系，同時(shí)無需外加磁場，觀測到的零能束縛態(tài)原則上可操縱、“存活”溫度明顯提升。這些優(yōu)勢為未來實(shí)現(xiàn)可應(yīng)用的拓?fù)淞孔颖忍靥峁┝丝赡艿姆桨浮?