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光峰科技，科創(chuàng)板上市企業(yè)（股票代碼：688007），是一家擁有原創(chuàng)技術(shù)、核心專利、核心器件研造能力的全球領(lǐng)先激光顯示科技企業(yè)。 光峰科技于2007年發(fā)明了ALPD®激光顯示技術(shù)， 解決了長期困擾 RGB 三色激光顯示技術(shù)的系列問題，并率先在全球范圍實現(xiàn)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。其被視為下一代激光顯示的發(fā)展方向，確立了我國在激光顯示領(lǐng)域的國際領(lǐng)先地位。ALPD®激光技術(shù)架構(gòu)作為一個底層關(guān)鍵架構(gòu)，可延伸應(yīng)用至多個領(lǐng)域，目前已歷經(jīng)四代技術(shù)升級，在全球范圍內(nèi)布局專利保護。 基于首創(chuàng)并不斷升級的ALPD®激光顯示技術(shù)架構(gòu)，光峰科技打造了激光顯示核心器件——激光光學(xué)引擎，并將該核心器件與電影、電視、教育、展示等顯示場景相結(jié)合，開發(fā)了眾多激光顯示產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案。 帶著科技改變?nèi)祟惿畹募で?，光峰科技致力激光顯示技術(shù)和產(chǎn)品的研究創(chuàng)新，不斷豐富人類對美好生活的選擇，滿足人們在高速通訊及人工智能時代對信息顯示新的要求，不斷靠近“新光源 新生活”的夢想和抱負(fù)。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹PID光離子氣體傳感器PID-A1（大量程 ）一、 PID-A1氣體傳感器產(chǎn)品簡介： 光電離子探測器（PHOTO IONIZATION DETECTORS）可以測量(100ppb-6000ppm)量程范圍的VOC（可揮發(fā)性有機物）和一些有毒氣體。許多有害物質(zhì)原料都含有VOC，PID由于其對VOC的高靈敏度，成為有害物質(zhì)早期危險報警、泄漏監(jiān)測等不可缺少的實用工具。 二、PID-A1氣體傳感器主要特性： 1、 A系列標(biāo)準(zhǔn)尺寸，帶有微型聚光光源。 2、 測量范圍：300ppm3、 工作環(huán)境，-40到55度，相對濕度0-95％ 4、 工作電壓，3-3.6V 5、 功耗，110mW 6、 過載：6000ppm（以異丁烯參考） 8、 在自由擴散情況下響應(yīng)時間小于3秒 9、 使用壽命大于5年（不含UV燈和柵極） 10、 A系列標(biāo)準(zhǔn)尺寸插針 11、 可以替代CITY產(chǎn)品 

簡介 在外加磁場的作用下，物質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)會發(fā)生改變，這就是磁光效應(yīng)。磁光效應(yīng)主要包含磁光克爾效應(yīng)、法拉第磁致旋光效應(yīng)、科頓 - 穆頓磁致雙折射效應(yīng)。本實驗系統(tǒng)利用一套可以進行自由組合的實驗裝置，通過搭建不同的測量光路來實現(xiàn)對這三種完全不同的磁光效應(yīng) 的測量。具體實驗內(nèi)容為：測量鎳薄膜的磁光克爾旋轉(zhuǎn)角、測量蒸餾水的法拉第旋光系數(shù)、測量磁流體的磁致雙折射（科頓 - 穆頓效應(yīng)） 的 o 光與 e 光的折射率差，其中前兩部分作為基礎(chǔ)性實驗內(nèi)容開展面上實驗，第三部分作為研究性實驗內(nèi)容可供在現(xiàn)有實驗基礎(chǔ)上開展研 究性實驗。

一、產(chǎn)品簡介      光無源器件是光纖通信設(shè)備的重要組成部分。它是一種光學(xué)元器件，也是其它光纖應(yīng)用領(lǐng)域不可缺少的元器件。該實驗儀重點介紹了常用的光無源器件的相關(guān)參數(shù)及測試方法，主要包括光纖轉(zhuǎn)換器、光纖變換器、光纖耦合器，光纖隔離器、光纖衰減器、WDM等器件的參數(shù)的測試原理及測試方法。幫助學(xué)生直觀的了解各種光無源器件的性能，從而更準(zhǔn)確的使用不同器件進行光纖通信方面實驗。 二、實驗內(nèi)容  1、光纖轉(zhuǎn)換器測試實驗  2、光纖變換器測試實驗  3、光纖耦合器測試實驗  4、光纖隔離器特性測試實驗  5、波分復(fù)用器和解復(fù)用器測試實驗  6、可調(diào)光纖衰減器測試實驗  7、光纖機械光開關(guān)特性測試實驗  8、光纖偏振控制器特性測試實驗  9、光纖偏振分束器（PBS）性能能參數(shù)測試實驗 三、實驗配置參數(shù) 1、光源：波長1310±20nm，1550±20nm；輸出功率：1-2.5mw，連續(xù)可調(diào)；輸出端口：FC/PC；穩(wěn)定性＜0.5db（5h）；光源類型：LD光源； 2、光功率計：波長范圍800-1700nm；輸入接口：FC 校準(zhǔn)波長：1550nm,1310nm； 3、偏振控制器：插入損耗＜0.05dB；消光比＞40dB；回波損耗＞65dB； 4、光纖機械光開關(guān)：插入損耗：1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ，P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波損耗＞50dB ；開關(guān)速度：≦8ms ； 5、高隔離度光纖隔離器：最大插入損耗：0.35dB ；回波損耗：≧50dB ；隔離度：≧30dB ； 6、光纖耦合器：分光比：50% : 50% ；最大插入損耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纖波分復(fù)用器：隔離度：1310nm ：31.8% ；1550nm ：34%；插入損耗：1310nm ：0.30%；1550nm ：0.34% ； 8、光纖可調(diào)衰減器：0-30db可調(diào)； 9、配置：光纖光源，光纖光功率計、光纖耦合器、光波分復(fù)用器、光纖偏振控制器、光纖偏振分束器，可調(diào)衰減器、光纖隔離器、光纖機械光開關(guān)、法蘭盤、實驗指導(dǎo)書及實驗錄像光盤等。 四、實驗?zāi)康?1、了解光連接器及其原理、種類，實驗操作進行連接器參數(shù)測量； 2、掌握光纖偏振控制器工作原理，實驗操作單模光纖偏振狀態(tài)控制； 3、了解光纖耦合器用途及其性能參數(shù)，實驗操作測量耦合器特性參數(shù)測量； 4、了解光纖隔離器用途及其性能參數(shù)，實驗操作光纖隔離器特性參數(shù)測量； 5、了解光纖光開關(guān)用途及其性能參數(shù)，實驗操作光纖光開關(guān)特性參數(shù)測量； 6、了解光波分復(fù)用器（WDM）的原理與意義，操作雙波長波分復(fù)用（WDM）的原理性實驗；

由上海復(fù)旦天欣科教儀器有限公司研制生產(chǎn)的磁光克爾與法拉第效應(yīng)綜合測試系統(tǒng)將兩種研究磁光效應(yīng)的實驗結(jié)合于同一套測試系統(tǒng)中。在表面磁光克爾效應(yīng)的研究中，應(yīng)用該系統(tǒng)可以自動改變電磁鐵電流大小及方向，并實時采集記錄偏振光信號與磁場強度信號的改變，從而獲得薄膜樣品矯頑力、磁各異性等方面的信息；在法拉第效應(yīng)的實驗中加入了控溫裝置，可在不同溫度下利用正交消光法檢測樣品的的費爾德常數(shù)。 應(yīng)用該實驗儀主要完成以下實驗： 1．磁光克爾效應(yīng)實驗：測量薄膜或者塊狀拋光鐵磁性樣品的克爾旋轉(zhuǎn)角，分析其磁學(xué)性質(zhì)； 2．常溫法拉第效應(yīng)實驗：測量不同材料的常溫費爾德常數(shù)； 3．變溫法拉第效應(yīng)實驗：測量不同溫度情況下材料的菲爾德常數(shù)，分析溫度對材料磁滯旋光的影響； 4．法拉第效應(yīng)譜線測量：測量不同光譜照射情況下材料的菲爾德常數(shù)（選用不同波長的激光器）。

本發(fā)明公開了一種中紅外非線性光學(xué)晶體材料，其化學(xué)式為 RbIO2F2，上述材料的晶體空間群為 Pca21，晶胞參數(shù)為 a?=?8.567(4)??、b?=?6.151(3)?、c?=?8.652(4)??、α?=?β?=?γ?=?90?、Z?=?4。本發(fā)明 還提供了上述晶體材料的水熱法制備方法，本發(fā)明制得的中紅外非線性光學(xué)晶體材料具有較強的能相位 匹配的倍頻效應(yīng)(SHG)，Kurtz 粉末倍頻測試結(jié)果表明其粉末倍頻效應(yīng)為磷酸二氫鉀(KDP)的 4&n

本發(fā)明公開了一種中紅外非線性光學(xué)晶體材料，其化學(xué)式為 KBi4F13，上述材料的晶體空間群為 I-4， 晶胞參數(shù)為 a=9.2027(19)b=9.2027(19)c=6.2589(13)α=β=γ=90°、Z=2。本發(fā)明還提供了上述晶體材 料的水熱法制備方法，本發(fā)明制得的中紅外非線性光學(xué)晶體材料具有能相位匹配的倍頻效應(yīng)(SHG)， Kurtz 粉末倍頻測試結(jié)果表明其粉末倍頻效應(yīng)與磷酸二氫鉀(KDP)相當(dāng);粉末的激光傷閾值為 120MW/c

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

研發(fā)階段/n本發(fā)明屬于生物技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種酰胺類化合物或其藥學(xué)上可接受的鹽、溶劑合物的應(yīng)用，所述酰胺類化合物為(S)?4,5?二氯?氮?{2?氧代?3?[4?(3?氧?4?嗎啉基)苯基]惡唑烷?5?基}甲基?2?噻吩?甲酰胺。本發(fā)明旨在提供一種成本低、藥效好的預(yù)防和/或治療高尿酸血癥藥物、以及由高尿酸血癥導(dǎo)致的痛風(fēng)藥物。

氧化銦錫（indium-tin-oxide）簡稱ITO，ITO靶材是一種功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明導(dǎo)電膜玻璃。以金屬銦、錫為原料采用共沉淀法制備出納米級ITO復(fù)合粉體。粉體造粒成型后分別采用加壓和常壓燒結(jié)法制備出相對理論密度大于99.5%、氧化銦單一相的ITO靶材。 粉體純度大于99.99%、顆粒分散性好，粒徑10nm—80nm之間可控，BET比表面積30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相對理論密度99.5%。 威海市藍狐特種材料有限公司已采用該技術(shù)建設(shè)年產(chǎn)20噸納米級氧化銦錫復(fù)合粉體生產(chǎn)線，采用該粉體燒制的ITO靶材相對理論密度達到99%以上。國內(nèi)相對理論密度大于99%的ITO靶材主采用進口產(chǎn)品。 金屬銦、錫是我國的優(yōu)勢資源，生產(chǎn)設(shè)備都是定型通用設(shè)備，年產(chǎn)20噸納米級氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的生產(chǎn)廠需要人員50名。納米級氧化銦錫粉體制備已建設(shè)年產(chǎn)20噸生產(chǎn)線。高密度ITO靶材的制備已完成實驗室小試。