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自然界中，貴金屬金（Au）的塊體只能以其熱力學(xué)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)面心立方(fcc)相存在。只有在納米尺度，利用濕法化學(xué)合成方法，人們才能獲得具有獨(dú)特光學(xué)性質(zhì)的，密排六方hcp-4H結(jié)構(gòu)的Au納米材料。雖然通過配體交換或外延生長(zhǎng)貴金屬的方式，可以在溶液中誘導(dǎo)4H相的Au變?yōu)閒cc結(jié)構(gòu)，獲得更多的結(jié)構(gòu)信息。但是，具體的結(jié)構(gòu)性質(zhì)和相轉(zhuǎn)變過程仍然無法確定。本工作利用金剛石對(duì)頂砧（DAC）技術(shù)對(duì)4H相的Au納米材料進(jìn)行研究，探索其結(jié)構(gòu)和相變過程，達(dá)到高壓貴金屬相工程的目的。? 高壓X射線衍射表明，壓力在1.2 – 26.1 GPa之間，Au的4H結(jié)構(gòu)逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)閒cc相。同時(shí)，該過程的不可逆性使得貴金屬高壓相工程成為了可能。即通過控制最高壓力，獲得不同4H/fcc相含量的Au納米材料。同時(shí)，相比純4H相的Au納米帶，具有4H與fcc相交替多相結(jié)構(gòu)的4H/fcc Au納米棒更容易發(fā)生高壓相變。這主要是由于4H/fcc多相Au納米棒中大量相邊界提供的相變成核位點(diǎn)，可以促進(jìn)4H-fcc的相變過程。此外，課題組通過高分辨透射電子顯微技術(shù)和密度泛函理論（DFT）計(jì)算的結(jié)合，首次觀測(cè)到了原子尺度的Au相變路徑。發(fā)現(xiàn)Au由4H-fcc的相變機(jī)理為（-112）4H晶面的整平，并伴隨著密堆積方向的改變。這與以往觀測(cè)到的金屬高壓hcp-fcc相的相變機(jī)制完全不同。該工作不僅對(duì)Au納米結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和相變提出了新的見解，而且提供了一種利用壓力來調(diào)控貴金屬納米材料晶相含量的新策略，該策略可用于研究基于晶相的催化、表面增強(qiáng)拉曼散射、波導(dǎo)、光熱療法、傳感、清潔能源等領(lǐng)域中。

藍(lán)晶微生物致力于打造基于微生物的分子和材料創(chuàng)新平臺(tái)。團(tuán)隊(duì)由清華、北大青年科學(xué)家組成，顧問團(tuán)隊(duì)包括中科院院士，中科院微生物所工業(yè)微生物研究室主任等。致力于利用合成生物學(xué)技術(shù)，提供生物活性分子。業(yè)務(wù)包括合同付費(fèi)業(yè)務(wù)（iGEM科學(xué)教育，Holog平臺(tái)），大客戶定制開發(fā)（PHA業(yè)務(wù)線等）及自產(chǎn)經(jīng)營(yíng)（CBD開發(fā)）。點(diǎn)擊上方按鈕聯(lián)系科轉(zhuǎn)云平臺(tái)進(jìn)行溝通對(duì)接！

（專利號(hào)：ZL 201410057393.X） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種銳鈦礦型二氧化鈦納米晶溶膠的制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明制備過程包括酯化、前軀體的水解以及產(chǎn)物的洗滌，具體是：控制乙醇與乙酸酯化速度，以控制釋放出水的量，從而控制前軀體水解的速度，在85-120℃酸性條件下，生成的二氧化鈦納米晶轉(zhuǎn)化為銳鈦礦晶型。本發(fā)明制備二氧化鈦的方法簡(jiǎn)單、成本低廉，得到的二氧化鈦納米晶分散性良好，適合于制備太陽能電池的光陽極。

Al-Si 合金具有低膨脹系數(shù)，良好的耐磨性及鑄造性能，在內(nèi)燃機(jī)活塞、缸 體壓等發(fā)動(dòng)機(jī)動(dòng)力傳動(dòng)件制造領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。過共晶 Al-Si 合金的微觀組織中 通常存在五瓣星狀、板片狀、八面體和其他復(fù)雜相貌的初晶 Si，這些分布在該 合金基體中的較粗大初晶 Si，嚴(yán)重割裂了合金基體，在外力作用下，合金中的 Si 相尖端和棱角部位易引起局部應(yīng)力集中，從而明顯降低了合金的力學(xué)性能， 尤其是影響其塑性、強(qiáng)度、耐熱性和熱疲勞性能的提高。與此同時(shí)，在過共晶 Al-Si 合金中，初晶 Si 易出現(xiàn)集聚現(xiàn)象，嚴(yán)重降低了合金的各項(xiàng)性能。要改善 過共晶 Al-Si 合金的性能,必須同時(shí)對(duì)共晶 Si、初晶 Si 進(jìn)行良好的細(xì)化處理，細(xì) 化、球化初晶 Si，才能使其得以廣泛應(yīng)用。目前國內(nèi)外實(shí)際生產(chǎn)中通常采取加 磷（P）的方法，亦稱磷變質(zhì)（細(xì)化）處理。含磷變質(zhì)劑主要包括磷鹽或赤磷復(fù) 合變質(zhì)劑及含磷中間合金。其主要存在問題如下： (1)磷鹽或赤磷復(fù)合變質(zhì)劑：處理過程中產(chǎn)生大量有害氣體，環(huán)境污染嚴(yán)重， 效果不穩(wěn)定，廢品率高。 (2) Cu-P 中間合金：熔點(diǎn)高，加入后難熔化；密度大，易沉淀偏析。 基于上述行業(yè)背景，本課題組研制開發(fā)了一種應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)活塞、壓鑄合 金熔體變質(zhì)處理的新型 Al-P 晶種合金

本發(fā)明之非晶鐵磷合金/V8C7復(fù)合鍍層，所述復(fù)合鍍層的基體材質(zhì)為非晶態(tài)Fe-P合金，F(xiàn)e 含量為復(fù)合鍍層的60-89wt%（優(yōu)選70-85wt%），P 含量為復(fù)合鍍層的10-30wt%（優(yōu)選12-22wt%），所述復(fù)合鍍層中含有固體微粒V8C7，含量為復(fù)合鍍層的1-10wt%（優(yōu)選3-7wt%）。復(fù)合鍍層可以含有各種不同的金屬或合金以及各種不同類型的微粒，其技術(shù)適用性和實(shí)用性寬廣，具有較強(qiáng)的可變性和可操作性，應(yīng)用將日益廣泛。

目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜，工藝和設(shè)備復(fù)雜，成本高，且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們?cè)趪鴥?nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長(zhǎng)的微晶硅薄膜，并實(shí)現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。利用磁控濺射技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項(xiàng)重大突破，從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，具有綠色、高效、簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。目前需要合作伙伴，把該實(shí)驗(yàn)室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。

一種提高四針狀氧化鋅晶須抗菌性能的方法，其步驟是：A、將外觀為白色粉狀的四針狀氧化鋅晶須加入到酒石酸鉀鈉的水溶液中形成糊狀或懸濁液，攪拌10～30分鐘，所述的酒石酸鉀鈉和四針狀氧化鋅晶須的摩爾比為0.1～1∶100，；再在攪拌狀態(tài)下緩慢加入與酒石酸鉀鈉等摩爾量氯化銅的水溶液；之后，繼續(xù)攪拌30～60分鐘；最后，經(jīng)過濾、洗滌、烘干，得表面原位沉積有納米酒石酸銅的四針狀氧化鋅晶須復(fù)合物粉末；B、將復(fù)合物粉末在氫氣氣氛中升溫至270～300℃保溫15～60分鐘，冷卻至室溫，即得。該方法得到的粉末抗菌力強(qiáng)，4小時(shí)殺菌率為98.5％～99.9％；且成本低廉，使用中不變色、易于推廣。

本發(fā)明公開了一種通過施加低電平脈沖實(shí)現(xiàn)微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續(xù)變化的控制方法，包括控制非晶化率連續(xù)單調(diào)增大 和連續(xù)單調(diào)減小的操作，通過利用兩個(gè)或兩個(gè)以上的連續(xù)脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個(gè)參量綜合自適應(yīng)變化精確控制焦耳熱產(chǎn)生，繼而實(shí) 現(xiàn) GST 相變材料晶化率的連續(xù)變化，具體包括步驟：對(duì)相變存儲(chǔ)單元 施加具有一定參量的兩個(gè)或兩個(gè)以上的連續(xù)脈沖；在連續(xù)脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材

簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種顯示中高牌號(hào)無取向硅鋼凝固枝晶組織的侵蝕劑及侵蝕方法，屬于金相檢驗(yàn)分析技術(shù)領(lǐng)域。該侵蝕劑的成分及配比為：苦味酸1.5～2.0g，蒸餾水35～50ml，鹽酸0.4～0.6ml，無水氯化銅0.3～0.5g，十二烷基苯磺酸鈉0.5～1g。該侵蝕劑的侵蝕方法：先將已配好的侵蝕劑加熱至沸騰狀態(tài)，然后把已加工好的試樣拋光面朝下，懸置于侵蝕劑中，侵蝕時(shí)間8～15s；侵蝕結(jié)束后先對(duì)侵蝕表面進(jìn)行清水沖刷和棉球擦拭處理；然后將試樣在拋光機(jī)1/2半徑處拋光5～10s。本發(fā)明侵蝕時(shí)間短，操作程序簡(jiǎn)單；可快速觀察到中高牌號(hào)無取向硅鋼清晰的一次、二次凝固枝晶組織，從而能為優(yōu)化其連鑄工藝，增加鑄坯等軸晶比例提供技術(shù)依據(jù)。