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2002年以來(lái)，西南石油大學(xué)稠油注空氣采油科研組在國(guó)內(nèi)外率先提出并從理論、室內(nèi)實(shí)驗(yàn)和現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)角度對(duì)稠油注空氣-蒸汽低溫氧化高效采油技術(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。先后承擔(dān)了稠油注空氣采油方向的國(guó)家863計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)（2006.12-2009.12：海上稠油注空氣緩和催化氧化采油技術(shù)研究）、CNPC創(chuàng)新基金項(xiàng)目1項(xiàng)（2006.9-2009.3）、遼河油田公司項(xiàng)目3項(xiàng)。發(fā)現(xiàn)注空氣低溫催化氧化采油技術(shù)用于稠油開(kāi)采和稠油注蒸氣開(kāi)采效果明顯。該課題關(guān)鍵技術(shù)研究成果在遼河油田選定10口試驗(yàn)井(其中垂直井3口，水平井7口)進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)施工試驗(yàn)，增油效果明顯。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹  氧化鋁陶瓷坩堝,剛玉陶瓷坩堝有：弧形氧化鋁剛玉坩堝，方形氧化鋁剛玉坩堝，長(zhǎng)方形氧化鋁陶瓷剛玉坩堝，圓柱形陶瓷剛玉坩堝，氧化鋁剛玉管，等等各種異形氧化鋁陶瓷坩堝，承接非標(biāo)訂做各種異形氧化鋁剛玉陶瓷坩堝．歡迎聯(lián)系！剛玉陶瓷坩堝系列：適用于各種實(shí)驗(yàn)室金屬、非金屬樣品分析及熔料用。 坩鍋系列——用于化驗(yàn)室及各種工業(yè)分析。     氧化鋁坩堝剛玉瓷坩堝特點(diǎn)： 1、純度高：Al2O3＞99%，耐化學(xué)腐蝕性好 2、耐溫性好，長(zhǎng)期使用在1600℃，短期1800℃ 3、耐急冷急熱性好，不易炸裂 4、注漿成型密度高 高純氧化鋁坩堝 剛玉坩堝理化指標(biāo) 名          稱(chēng) 氧 化 鋁 坩 堝     化   學(xué)   成   分 Al2O3 ≥99 R2O ≤0.2 Fe2O3 ≤0.1 SiO2 ≤0.2 體 積 密 度（g/cm2） ≥3.80 顯 氣 孔 率（%） ＜1 抗 彎 強(qiáng) 度（Mpa） ＞350 抗 壓 強(qiáng) 度（Mpa） ＞12000 介 電 常 數(shù) ∑（1MHz） 2 最 高 使 用 溫 度（℃） 1800 規(guī)格有： 弧形坩堝：10毫升，15毫升，20毫升，30毫升，50毫升，100毫升，150毫升，200毫升，300毫升，500毫升，750毫升，1000毫升。 直形坩堝：直徑30*30------160*160毫米 方形坩堝：65*65-------240*240毫米 備：可根據(jù)用戶(hù)需求定制各種非標(biāo)異型氧化鋁坩堝！

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

成果創(chuàng)新點(diǎn) 質(zhì)子交換膜燃料電池，氫氣純化。 主要技術(shù)創(chuàng)新路徑：通過(guò)全新的一種催化劑制備方法實(shí)現(xiàn)寬 溫催化劑的精準(zhǔn)設(shè)計(jì)：在 SiO2負(fù)載的 Pt 金屬納米顆粒表面上精 準(zhǔn)構(gòu)筑出原子級(jí)分散 Fe1(OH)x物種，促成新型 Pt-Fe1(OH)x單位點(diǎn) 界面催化活性中心形成，獲得性能最佳的 PtFe/SiO2寬溫催化劑。 關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)：獲得的 PtFe/SiO2寬溫催化劑，可以在 198-380 K）溫度區(qū)

質(zhì)子交換膜燃料電池，氫氣純化。 主要技術(shù)創(chuàng)新路徑：通過(guò)全新的一種催化劑制備方法實(shí)現(xiàn)寬 溫催化劑的精準(zhǔn)設(shè)計(jì)：在 SiO2負(fù)載的 Pt 金屬納米顆粒表面上精 準(zhǔn)構(gòu)筑出原子級(jí)分散Fe1(OH)x物種，促成新型Pt-Fe1(OH)x單位點(diǎn)界面催化活性中心形成，獲得性能最佳的PtFe/SiO2寬溫催化劑。 關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)：獲得的 PtFe/SiO2寬溫催化劑，可以在 198-380 K）溫度區(qū)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)富氫氣氛中微量 CO 的完全消除，且同時(shí)保持 CO 選擇性 100%。而且，該催化劑在水汽、二氧化碳同時(shí)存在的真實(shí)環(huán)境下，仍然保持極高的穩(wěn)定性，160 小時(shí)測(cè)試不失活。該催化劑的比質(zhì)量催化活性（5.21 molCO×h-1×gPt-1 ），是傳統(tǒng) Pt/Fe2O3催化劑的 30 倍。 核心解決問(wèn)題、核心優(yōu)勢(shì)等：通過(guò)上述方法獲得的 PtFe/SiO2 寬溫催化劑，徹底解決了氫燃料電池汽車(chē)的推廣應(yīng)用解決了一個(gè)關(guān)鍵難題：燃料電池的 CO 中毒休克問(wèn)題。核心優(yōu)勢(shì)是首次可以為氫燃料電池汽車(chē)在寒冷條件下，頻繁冷啟動(dòng)和連續(xù)運(yùn)行期間避 免 CO 中毒，為其“心臟”提供了一種全方位的有效保護(hù)手段， 使得汽車(chē)敢于吃“粗糧”。 這也是目前全世界唯一能夠做到上述全方位保護(hù)的催化劑。 

本發(fā)明公開(kāi)了通式I所示的川貝母生物堿類(lèi)化合物在制備鎮(zhèn)咳、祛痰和/或抗炎藥物中的用途,其中,R1為:=O或R2為:H;R3為:H;R4為H或OH;R5為:O或無(wú)。其中,西貝堿、川貝酮、西貝堿氮氧化物、異浙貝甲素、異浙貝甲素氮氧化物和10倍量的磷酸可待因具有相近的鎮(zhèn)咳效果,并且該5種單體的鎮(zhèn)咳、抗炎作用也優(yōu)于貝母甲素、貝母乙素;其中,貝母甲素、貝母乙素、西貝堿、西貝堿氮氧化物、異浙貝甲素氮氧化物具有良好的祛痰作用。本發(fā)明還公開(kāi)了瓦布貝母總生物堿提取物及其制備方法和用途。

世界上有數(shù)以百萬(wàn)的語(yǔ)言障礙患者，其中有的是由于先天缺陷導(dǎo)致其存在語(yǔ)言功能障礙，也有的是后天的一些疾病致使其喪失語(yǔ)言功能，語(yǔ)言功能障礙給他們的生活帶來(lái)了極大的困難和不便。電子人工喉是一種簡(jiǎn)易的語(yǔ)言康復(fù)方法，其通常需要安裝在口內(nèi)喉部，由肺部發(fā)出的氣流經(jīng)過(guò)舌、唇的調(diào)制，引起人工喉膜片振動(dòng)，使其發(fā)出語(yǔ)音信號(hào)。然而，現(xiàn)有電子喉助音器無(wú)法清晰還原患者聲音，發(fā)音模糊，訓(xùn)練周期長(zhǎng)，并且需要患者自己手持助音器于喉部，造成極大不便，所以亟需便于失語(yǔ)者攜帶、操作簡(jiǎn)單、性能優(yōu)異的新型人工喉的器件及系統(tǒng)研究。 本成果團(tuán)隊(duì)研究的第二代石墨烯智能人工喉（WAGT）在器件柔性可貼附、聲音收發(fā)系統(tǒng)集成、動(dòng)作監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、輕型可穿戴等方面有了重大突破。首先，第二代石墨烯人工喉采用了更貼合人體皮膚的紋身式薄膜作為襯底，無(wú)需膠帶粘貼，可直接貼敷在人體喉嚨，極大地提高了佩戴舒適感；其次，第二代石墨烯智能人工喉在收發(fā)聲系統(tǒng)方面有了雙重突破，實(shí)現(xiàn)了石墨烯的器件級(jí)應(yīng)用至系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用的跨越。通過(guò)專(zhuān)用電路對(duì)聲音信號(hào)的放大和轉(zhuǎn)換，第二代石墨烯智能人工喉首次將收聲系統(tǒng)和發(fā)聲系統(tǒng)連接起來(lái)，實(shí)現(xiàn)了聲音輸入到輸出的閉環(huán)，并可以通過(guò)示波器實(shí)時(shí)觀測(cè)喉部運(yùn)動(dòng)情況。接著，通過(guò)與單片機(jī)的結(jié)合，該器件可以將人體喉部的不同動(dòng)作“翻譯”成不同的聲音，實(shí)現(xiàn)了動(dòng)作發(fā)聲系統(tǒng)。通過(guò)連接解碼器，該器件還可以播放任意音樂(lè)。最后，第二代石墨烯智能人工喉系統(tǒng)可通過(guò)臂包穿戴在胳膊上，首次實(shí)現(xiàn)了石墨烯人工喉的可穿戴功能。未來(lái)將進(jìn)行體積更小及功能更多的集成，有望實(shí)現(xiàn)像“創(chuàng)可貼”一樣貼附在人體喉部并幫助失語(yǔ)者“開(kāi)口說(shuō)話(huà)”。

北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開(kāi)輝課題組合作，成功實(shí)現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高功率等性能的要求，對(duì)國(guó)家的高技術(shù)發(fā)展和國(guó)防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長(zhǎng)。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點(diǎn)，Si襯底上外延GaN成為近年來(lái)學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點(diǎn)領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長(zhǎng)的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對(duì)稱(chēng)表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對(duì)于實(shí)現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對(duì)稱(chēng)，外延生長(zhǎng)時(shí)無(wú)法有效匹配；同時(shí)Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時(shí)存在兩種不同取向的晶疇。迄今國(guó)際上還未能實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng) 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實(shí)現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機(jī)理和外延機(jī)制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對(duì)當(dāng)前國(guó)際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價(jià)值。