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甘薯新品種渝紫香10號(hào)系2016年重慶市品種審定委員會(huì)鑒定紫薯品   種，具有產(chǎn)量高、大薯率較高、花色苜含量高、適口性好、抗病性好等特點(diǎn),是鮮食、花色昔加工專用品種。具體指標(biāo)如下: 1. 生長(zhǎng)勢(shì)及植株形態(tài)：紫薯型品系，萌芽性優(yōu)，中長(zhǎng)蔓，最長(zhǎng)蔓長(zhǎng)257.3cm ,莖粗0.51cm ,莖端茸毛中，平均分枝數(shù)5.4個(gè),葉片心形帶齒,頂葉和成年葉^色、葉脈綠色,莖色綠色。 2. 塊根形態(tài):結(jié)薯性較好，結(jié)薯集中；單株結(jié)薯數(shù)3.5個(gè);薯形中膨   紡形，深紅皮紫肉，薯干紫色。上薯率79.88%，大薯率較高。 3. 品質(zhì)：該品系薯塊烘干率27.71%、淀粉含量17.75%.薯塊花色昔含量26.85mg/100g鮮薯,適合作鮮食、花色苜加工專用品種。 4. 產(chǎn)量:TS畝產(chǎn)1400-2200kg ,高產(chǎn)可達(dá)2500kg。 5. 抗病性與貯藏性:抗黑斑病,藥劑浸種后宜貯藏。 6. 生育期:全生育期150天左右。 7. 種植區(qū)域:重慶市甘薯主產(chǎn)區(qū)。

研發(fā)階段/n用波利馬細(xì)胞質(zhì)雄性不育系"2063A"與恢復(fù)系"05-P71-2"配組育成的三系雜交油菜品種。屬半冬性甘藍(lán)型油菜。株型緊湊，株高中等，生長(zhǎng)勢(shì)強(qiáng)，抗倒性較強(qiáng)，分枝性中等。苗期生長(zhǎng)較慢，半直立，葉片缺刻較深，葉色濃綠；薹期生長(zhǎng)勢(shì)較強(qiáng)。莖綠色，花黃色，花瓣相互重疊。結(jié)莢性較好，籽粒中等大小。區(qū)域試驗(yàn)中株高176.4厘米，單株有效角果數(shù)323.3個(gè)，每角粒數(shù)20.3粒，千粒重3.63克。菌核病發(fā)病率12.91%，病指8.06；病毒病發(fā)病率0.75%，病指0.53。出苗至成熟216.7天，與中油雜

研發(fā)階段/n培兩優(yōu)1108是一個(gè)優(yōu)質(zhì)、抗白葉枯病、抗倒伏的兩系雜交稻組合，2007年通過(guò)湖北省審定。母本是培矮64S、父本是通過(guò)分子標(biāo)記輔助選擇育種技術(shù)轉(zhuǎn)入IRBB21的Xa21基因的華1108。區(qū)域試驗(yàn)產(chǎn)量8.23噸/公頃，與三系對(duì)照組合相當(dāng)。糙米率80.2％，精米率70.1%，整精米率57.0%，堊白率18%，直鏈淀粉含量21.4%，膠稠度60mm，長(zhǎng)寬比3.0。株高110cm，抗倒性強(qiáng)、適合機(jī)械收割。全生育期平均142天，在湖北主要作中稻種植。

XM-D018心臟傳導(dǎo)系電動(dòng)模型 ? XM-D018心臟傳導(dǎo)系電動(dòng)模型展示傳導(dǎo)系與心電圖，是按成人心臟放大，主要示心臟的外形與其連接的大血管，左、右心房，左、右心室中的結(jié)構(gòu)，心臟的血管，心臟傳導(dǎo)系是在此基礎(chǔ)上顯示出來(lái)的，傳導(dǎo)系統(tǒng)包括竇房結(jié)、 結(jié)間束、房室結(jié)、房室束，左、右束支和浦肯野纖維等。 ? 一、顯示內(nèi)容： ■ 燈光顯示心臟傳系各組成部分的位置分布（竇房結(jié)、結(jié)間束、房室結(jié)、房室束、右束支以及變異的副傳導(dǎo)束等）。 ■ 二十種心律的心電圖，并與相應(yīng)的心臟傳導(dǎo)系統(tǒng)同時(shí)顯示，以表示二者之間的關(guān)系。 ? 二、技術(shù)參數(shù)： ■ 尺寸：按1:2放大，40×40×9cm ■ 材質(zhì)：PVC材料+木框 ? 三、標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ XM-D018心臟傳導(dǎo)系電動(dòng)模型：1臺(tái) ■ 電源線：1根 ■ 說(shuō)明書：1冊(cè) ■ 保修卡合格證：1張

產(chǎn)品詳細(xì)介紹型號(hào)  波長(zhǎng)/ um 功率/ mW  光譜結(jié)構(gòu) 偏振度 DownloadsGN-0.5 0.63 0.5 TEMoo 1:1 GN-1 0.63 1.0 TEMoo 1:1 GN-2П 0.63 2.0 TEMoo 100:1 GN-3 0.63 3.0 TEMoo 1:1 GN-5 0.63 5.0 TEMoo 1:1 GN-5P 0.63 5.0 TEMoo 100:1 GN-5M 0.63 5.0 TEMmn 1:1 GN-10M 0.63 8.0 TEMmn 1:1 GN-15 0.63 15.0 TEMoo 1:1 GN-15-1 0.63 15.0 TEMoo 100:1 GN-25 0.63 25.0 TEMoo 1:1 GN-25-1 0.63 25.0 TEMoo 100:1 GN-40 0.63 40.0 TEMmn 1:1 GN-50 0.63 50.5 TEMmn 1:1 GN-60 0.63 60.0 TEMmn 1:1 GN-70 0.63 70.0 TEMmn 1:1 GN-80 0.63 80.0 TEMmn 1:1 LGN-225A 0.63 2.0 TEMoo 1:1 LGN-226A 0.63 1.5 TEMoo 100:1 LGN-223 0.63 10.0 TEMoo 1:1 LGN-223-1 0.63 10.0 TEMoo 100:1 LGN-115 0.63 15.0 TEMmn 1:1 LGN-118 0.63 25.0 TEMmn 1:1 LGN-220 0.63 70.0 TEMoo 100:1 LGN-220M 0.63 100.0 TEMmn 100:1 產(chǎn)品名稱： PLASMA 氦氖激光器管產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 氦氖激光器產(chǎn)品編號(hào)： 42514563816產(chǎn)品信息： 產(chǎn)品名稱： PLASMA 穩(wěn)定氦氖激光器產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 氦氖激光器產(chǎn)品編號(hào)： 42514471016產(chǎn)品信息： 產(chǎn)品名稱： PLASMA多波段 氦氖激光器產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 氦氖激光器產(chǎn)品編號(hào)： 42514452816產(chǎn)品信息： 產(chǎn)品名稱： PLASMA 紅外氦氖激光器產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 氦氖激光器產(chǎn)品編號(hào)： 42514433416產(chǎn)品信息： 產(chǎn)品名稱： PLASMA可見光氦氖激光器產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 氦氖激光器產(chǎn)品編號(hào)： 42514392016產(chǎn)品信息：

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問(wèn)題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問(wèn)題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。

安徽工業(yè)大學(xué)認(rèn)真學(xué)習(xí)貫徹習(xí)近平總書記關(guān)于加快建設(shè)科技強(qiáng)國(guó)、實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)等重要講話精神，面向國(guó)家重大戰(zhàn)略需求和戰(zhàn)略高技術(shù)研究，高度重視科技成果轉(zhuǎn)化工作，大力實(shí)施提升科技創(chuàng)新水平和支撐服務(wù)能力攻堅(jiān)項(xiàng)目，學(xué)校科研創(chuàng)新活力持續(xù)激發(fā)，科技 創(chuàng)新和服務(wù)能力顯著增強(qiáng)。