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大功率半導體激光器外延與芯片制備
成果簡介本項目在國家973計劃、863計劃等研究成果基礎上，跟蹤國際趨勢，形成9**nm 大功率單發光條半導體激光器，輸出功率大于12W，壽命1萬小時。主要優勢：（1 ）填補國內空白。（2 ）易于光纖耦合。（3 ）多種波長可選。應用簡介所處研發階段：中試階段適合應用領域：直接光加工、
北京工業大學
2021-04-14
一種雙波長可調諧半導體激光器
本發明公開了一種雙波長可調諧半導體激光器，該激光器包括 有源區、相位區和光柵區；從下往上依次附著有第一緩沖層、有源層 和第一覆蓋層，第一緩沖層、有源層和第一覆蓋層構成了有源區；從 下往上依次附著有第二緩沖層、波導層和第二覆蓋層，第二緩沖層、 波導層和第二覆蓋層構成了相位區；從下往上依次附著有第三緩沖層、 光柵層和第三覆蓋層，第三緩沖層、光柵層和第三覆蓋層構成了相位 區；在第一覆蓋層的上表面設有第一電極，在第二覆蓋層的
華中科技大學
2021-04-14
一種激光觸發真空開關及開關系統
本發明公開了一種激光觸發真空開關及其觸發系統裝置。激光 觸發真空開關包括密閉殼體、第一電極主件、第二電極主件。第一電 極主件包括燃弧電極、第一電極法蘭、第一電極平臺、聚焦鏡。第二 電極主件包括燃弧電極、第二電極法蘭、第二電極平臺、靶電極。觸 發系統裝置主要包括計算機、轉換器、開關電路板、激光器和激光觸 發真空開關。激光觸發真空開關的工作電壓高達 30kV，工作電流高達 500kA，不存在以往電脈沖觸發高壓隔離困難、觸發穩定性差、使用壽 命短等問題，能有效降低激光觸發能量，改善開關器件的延時與抖動。觸
華中科技大學
2021-04-14
一種激光-電弧-磁場復合焊接的勵磁移動平臺
本發明屬于焊接領域，并公開了一種激光-電弧-磁場復合焊接的 勵磁移動平臺，包括底座、伺服電機、水平導軌、支撐平臺、滾珠絲 杠機構、支架、勵磁線圈和夾具，伺服電機和水平導軌均安裝在所述 底座上，支撐平臺安裝在所述水平導軌上，伺服電機通過所述滾珠絲 杠機構驅動所述支撐平臺移動;夾具安裝在所述支撐平臺上;支架安 裝在所述底座上，并且支架上安裝勵磁線圈。本發明的夾具可以實現 工件的準確定位及裝夾，通過勵磁線圈可以實現焊縫區域的磁場調節; 伺服電機可以保證工件在焊接過程中的勻速移動，保證了焊接時熔池 所處區域
華中科技大學
2021-04-14
一種曲面打印激光實時燒結固化裝置和方法
本發明屬于柔性電子制造、激光加工領域，具體設計一種曲面 打印激光實時燒結固化裝置和方法，該裝置包括打印模塊，觀測模塊 和激光輸出模塊;所述打印模塊包括高精度微納圖案打印系統、噴印 頭和曲面基板，所述觀測模塊包括觀測相機和相機移動裝置，所述激 光輸出模塊包括一臺激光器和激光調節裝置。本發明還公開了一種曲 面打印激光實時燒結固化的方法。本發明利用激光實時燒結工藝可以 完成打印結構的瞬間燒結、固化，同時可以通過激光能量密度等工藝 參數調節固化程度，得到可控的截面形狀，從而在曲面上得到理想的 微納結構圖案，
華中科技大學
2021-04-14
基于激光誘導的 3D 生物打印系統及方法
本發明公開了一種基于激光誘導的 3D 生物打印系統及方法，包括激光陣列產生系統、固定件、三 維移動平臺、實時監控系統和控制中心，其中:激光陣列產生系統，用來產生單束或多束的激光陣列， 且產生的激光陣列照射至透明基板上表面;固定件，用來將透明基
武漢大學
2021-04-14
星載激光測高儀在軌檢校方法及系統
本發明提出一種星載激光測高系統在軌檢校方法及系統，在現有的在軌檢校方法的基礎上，根據已 知地表先驗模型，建立星載激光測高儀的測距模型；基于測距模型，建立系統誤差與測距殘差的關系； 利用實測距離值與測距模型計算距離值生成測距殘差，利用測距殘差實現了對測高系統系統誤差中的裝 配誤差及測距誤差的在軌檢校。本發明技術方案能夠很好地檢校系統誤差，避免了姿態機動。
武漢大學
2021-04-14
面向5G前傳的高速半導體激光器
5G新基建是國家的重要發展戰略，寬溫高可靠的25Gb/s DFB(分布反饋)激光器芯片是5G光傳輸核心光芯片，也是當前5G建設的卡脖子問題之一。自主可控的5G光模塊DFB激光器芯片對解決光通信“空芯化”問題，推進“中國芯”國家重大戰略實施，保障我國通信基礎設施安全具有重要的經濟和社會效益。因DFB激光器的微分增益隨溫度上升迅速下降，常規的DFB激光器面臨嚴重的高溫高帶寬瓶頸。面對5G應用要求的-40~85℃的寬溫應用場景，常規DFB激光器芯片往往是超頻運行，嚴重影響可靠性。因此，研制全國產寬溫25Gb/s DFB激光器芯片，同時兼顧低成本高可靠需求對推進“中國芯”國家重大戰略實施具有重要意義。
本成果創新性地提出一種溝中溝脊波導DFB激光器結構，相比較常規DFB激光器，在脊兩側對稱的刻蝕兩個溝槽。此結構可抑制注入載流子的橫向擴散，提高對光場的束縛，提高芯片帶寬，滿足芯片高速工作需要。芯片的高溫輸出光功率大于10mW，單模抑制比大于40dB，實測寬溫25Gb/s眼圖及誤碼率均達到商用需求。同時，相比較常規芯片，其制作過程只需多加一步簡單的刻蝕，無需二次外延，成本低，做了2000小時的老化試驗，其功率變化小于0.5%，具有高可靠性。
圖1（a）常規DFB激光器芯片截面圖（b）新型溝中溝脊波導DFB激光器芯片截面圖（c）新型溝中溝脊波導DFB激光器芯片概圖（d）（e）（f）分別為常規芯片、溝脊距為2μm、溝脊距為6μm SEM圖
圖2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規芯片響應曲線對比（d）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規芯片響應帶寬對比，帶寬可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼圖（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背傳輸及10km傳輸誤碼率曲線
圖3（a）（b）25℃和85℃下常規芯片與溝中溝脊芯片2000小時老化實驗結果，功率變化小于0.5%
華中科技大學
2022-10-11
采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的方法
本發明公開了一種采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步驟：按照預定質量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結 劑及固化劑倒入球磨罐內，并進行球磨以得到粘接劑-碳化硅混合粉 末；采用計算機對待制備的零件進行三維數字建模，并將三維數字模 型信息輸入到激光選區燒結成型機，以所述粘接劑-碳化硅混合粉末為 原料，采用激光選區燒結快速成形工藝進行粉末燒結成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；對所述碳化硅素坯進行加熱固化；將
華中科技大學
2021-04-14
一種用于可調槳葉片的激光測量裝置及系統
本實用新型公開了一種可調槳葉片激光測量裝置，包括底座、旋轉臺、激光位移傳感器、橫向移動機構和縱向移動機構；底座，用于支撐測量裝置其它部件；旋轉臺，安裝于底座上，用于放置和旋轉待測可調槳葉片；橫向移動機構，用于在水平方向上調節激光位移傳感器相對可調槳葉片上測點的位置；縱向移動機構，用于在豎直方向上調節激光位移傳感器相對可調槳葉片上測點的位置；激光位移傳感器，用于采集可調槳葉片上測點與激光位移傳感器之間的距離。本實用新型提供了一種可調槳葉片激光測量系統。本實用新型采用激光三角測量原理獲取測點的空間坐標，
華中科技大學
2021-04-14