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本發(fā)明公開了一種非接觸式煤種自動識別及示蹤系統(tǒng)及方法， 該系統(tǒng)包括煤質(zhì)檢測裝置、標簽、讀寫器、煤種數(shù)據(jù)庫、燃燒控制策 略數(shù)據(jù)庫和系統(tǒng)控制器，煤質(zhì)檢測裝置用于檢測原煤的煤質(zhì)信息并編 號，煤質(zhì)信息及編號錄入煤種數(shù)據(jù)庫；標簽用于記載原煤的編號信息； 讀寫器用于讀取編號信息，并將編號信息傳輸至系統(tǒng)控制器；系統(tǒng)控 制器獲得燃燒控制策略，并將其發(fā)送給 DCS 燃燒器控制器。所述方法 利用所述非接觸式煤種自動識別及示蹤系統(tǒng)進行煤種的自動識別及示 蹤。本發(fā)明可提前預知入爐煤的煤質(zhì)，協(xié)助調(diào)節(jié)鍋爐燃燒及溫度，實 現(xiàn)自動優(yōu)化控制燃燒，適用于火力發(fā)電廠用煤的煤種識別和示蹤。

一、成果簡介 1、本項目屬網(wǎng)絡(luò)化制造領(lǐng)域，是先進制造技術(shù)、計算機網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和現(xiàn)代管理技術(shù)等學科的交叉領(lǐng)域。獲得了2006年度國家教育部科技進步一等獎。 2 項目主要科技成果如下： （1）在國內(nèi)首次建立了網(wǎng)絡(luò)化制造系統(tǒng)模式庫。該模式庫包括面向獨立企業(yè)、面向企業(yè)集團、面向區(qū)域、面向行業(yè)、面向企業(yè)動態(tài)聯(lián)盟等五大類網(wǎng)絡(luò)化制造系統(tǒng)模式，每類模式包括體系結(jié)構(gòu)、實施方案、軟件集成接口、運行模式和實施案例。其中創(chuàng)新性和效益比較突出的兩類模式是： ● 在國內(nèi)

主要研究了食源性致病菌（以腸炎沙門氏菌和單增李斯特菌為主，此外還有大腸桿菌 O157:H7 和空腸彎曲桿菌）生長和致死預測微生物模型研究。研究涉及：預測微生物模型，致病菌檢測與控制，微生物脅迫抗性等內(nèi)容。系統(tǒng)研究了在模擬的儲藏溫度和熱處理方式下兩種致病菌在模擬食品基質(zhì)系統(tǒng)和真實食品中的生長，熱致死、損傷和修復動態(tài)變化情況。研究結(jié)果表明兩種致病菌在液體、固體的模擬系統(tǒng)中以及真實的食品中呈現(xiàn)不同的熱殺死動態(tài)學曲線。基于模擬系統(tǒng)建立的生長和熱致死模型并不能很好的應(yīng)用于預測肉及肉制品中致病菌的真實狀態(tài)。此外

近年來，全球范圍內(nèi)對環(huán)境保護高度重視，對于經(jīng)過物理、生化之后的廢水深度處理，可以實現(xiàn)回用或者零排放，推動經(jīng)濟社會可持續(xù)發(fā)展。難點在于，殘留的污染物濃度很低、成分復雜，且不能引入二次污染。催化臭氧化可以實現(xiàn)高氧化性物種羥基自由基的產(chǎn)生，將污染物成分高效去除，是經(jīng)濟實用的可行方法之一。在多年從事廢水處理的基礎(chǔ)上，建立了基于催化臭氧化的廢水深度處理和回用工藝、裝備，榮獲中國商業(yè)聯(lián)合會科技進步一等獎。 

本實用新型公開了一種折疊履帶式底盤及車輛，底盤的主履帶總成的前端鉸接有副履帶總成，之間連接有折疊油缸。在越野行駛中，在一般地面采用主履帶驅(qū)動行駛；在攀越陡峭階梯障礙時，采用主、副履帶聯(lián)合驅(qū)動并通過雙履帶伸展運動通過障礙。可適用于各種履帶式車輛，如農(nóng)用履帶拖拉機、履帶式挖掘機、履帶式軍車、履帶式采伐機、履帶式推土機、履帶式鏟車等。

本發(fā)明提供了谷子SiASR4基因及其應(yīng)用，屬于植物基因工程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明首次克隆得到與植物逆境脅迫相關(guān)的SiASR4基因，其核苷酸序列如SEQ ID No.1所示，將所述基因轉(zhuǎn)化到植物中可提高植物抗逆性。本發(fā)明還提供了用于PCR擴增及檢測SiASR4基因的特異引物對，其核苷酸序列如SEQ ID No.2?3所示；用于實時熒光定量PCR檢測SiASR4基因的特異性引物對，其核苷酸序列如SEQ ID No.4?5所示。本發(fā)明的SiASR4基因可用于植物抗逆新品種的培育，具有廣闊的應(yīng)用前景。

①基本工藝： 真空密封造型鑄造是一種不用粘結(jié)劑、水和其它添加劑，而是應(yīng)用塑料薄膜和抽真空進行造型的鑄造技術(shù)。其工藝：烤塑料薄膜→模型覆膜→噴涂料→套砂箱→加干砂子→震動→砂箱覆膜→抽真空→起模→合箱→澆注→冷卻→撤真空落砂→取出鑄件。 ②工藝特點： 所生產(chǎn)的鑄件表面光潔、輪廓清晰、尺寸精確、鑄件內(nèi)在質(zhì)量好；金屬利用率高；設(shè)備簡單，一次性投資少；原料和動力消耗少；模型和砂箱使用壽命長；工作環(huán)境較好。 ③成熟程度：達到生產(chǎn)中成功應(yīng)用程度。 ④獲獎情況： “特種耐熱鋼鑄件技術(shù)在窯尾預熱分解系統(tǒng)的應(yīng)用開發(fā)”，1998獲國家建筑材料工業(yè)局，部級科技進步3等獎。⑤授權(quán)專利： 一種抽氣和箱帶一體的真空密封造型砂箱，專利號：ZL94211906.1 可調(diào)面積、功率和位置的模型薄模加熱器，專利號：ZL96207246.X 一種軋輥真空密封造型工藝，專利號：ZL97100233.9⑥項目來源： 國家八五重大技術(shù)引進消化吸收一條龍項目：“日產(chǎn)4000噸水泥裝置”的子項“新型耐熱特種鑄鋼內(nèi)筒開發(fā)”。 適合于鑄造合金、各種鑄件批量的生產(chǎn)。尤其適用于大、中型比較精密鑄件和表面不需要或難于機加工鑄件的生產(chǎn)。

H型鋼作為一種經(jīng)濟斷面型鋼，具有重量輕、承載能力大、外形美觀、易于鉚接、節(jié)約工時、降低造價等優(yōu)點，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在工業(yè)與民用鋼結(jié)構(gòu)中，具有非常廣闊的應(yīng)用前景。 由于H型鋼的斷面結(jié)構(gòu)相對其它形式型鋼存在著腰高腿薄等特點，加之在國內(nèi)的生產(chǎn)剛剛起步，對其生產(chǎn)過程技術(shù)的基礎(chǔ)研究還缺乏深入的工作。萊鋼H型鋼矯直在投產(chǎn)初期沿用日本提供的工藝規(guī)范，但因?qū)碚摍C理缺乏系統(tǒng)了解，致使工藝和規(guī)格調(diào)整困難，矯后產(chǎn)品存在較大的幾何缺陷。后改用起大變形的矯正工藝，使工藝調(diào)整方便，但軋件矯后的在腿腹交界處出現(xiàn)氧化皮脫落和微觀裂紋等缺陷，嚴重影響了產(chǎn)品質(zhì)量和外觀形象，成為當前亟待解決的實際問題。本項目通過理論計算分析、計算機模擬仿真和測試、試驗研究等手段，首次對H型鋼的結(jié)構(gòu)特點和矯直過程進行了深入的研究，全面掌握了H型鋼的矯直性能及合理矯正工藝確定原則。本項目工作主要內(nèi)容及取得的成果主要有： 通過現(xiàn)場實測，掌握了典型H型鋼矯直前后幾何狀態(tài)，為理論研究和合理工藝確定提供了基礎(chǔ)數(shù)據(jù)；典型H型鋼矯直前的彎曲數(shù)學模型基本可確定為正弦曲線與多項式的疊加，而且局部彎曲最大出現(xiàn)在兩端。經(jīng)過分析計算，原始撓度值在輥距范圍內(nèi)變化不大，即確定反彎撓度時可根據(jù)彎矩分布而不必考慮原始撓度的影響。 通過對典型H型鋼矯直前后組織、性能的研究，確定了原有矯正缺陷的特征和形成原因；確定了以改變大變形矯正工藝的問題所在。矯直對工件的機械性能和金相組織影響不大，但個別輥過大的反彎及不同規(guī)格間近似的壓下量明顯造成產(chǎn)品表面缺陷，甚至斷面上的過分超出屈服極限直至整個斷面的全塑性變形。 H型鋼矯正過程的彈塑性理論及合理矯直工藝的研究。從理論上全面掌握了H型鋼的結(jié)構(gòu)特點和矯直性能，結(jié)合彈塑性理論和傳統(tǒng)矯直理論分析了H型鋼矯正過程。建立了合理的H型鋼矯正工藝的確定原則，并給出了典型規(guī)格H型鋼的矯正工藝參數(shù)及計算程序。 通過典型H型鋼矯直過程的數(shù)值模擬，進一步驗證了原有矯正缺陷的形成原因及本工藝理論的正確性。 分析了當前及歷史壓下量的利弊，破譯了日本設(shè)備引進時的隨機調(diào)整參數(shù)的理論基礎(chǔ)。結(jié)合理論分析給出了更為科學的壓下調(diào)整方案，試驗證明了其科學實用性。為小變形矯直工藝的完善打下基礎(chǔ)。 本項成果在H型鋼矯正的性能研究，H型鋼矯正過程的彈塑性理論、H型鋼矯正過程的三維有限元仿真及H型鋼小變形矯正工藝設(shè)計原則等方面均取得不同程度的創(chuàng)造性成果，充實了矯正基礎(chǔ)理論和矯正工藝設(shè)計思想，在國內(nèi)外未見同類成果。

采用離子輔助沉積電弧離子鍍設(shè)備復合強流脈沖電子束和離子束進行刀具的預處理，得到表面硬質(zhì)膜和內(nèi)表面的強化層，從而顯著提高刀具在高速切削條件下的使用壽命。

本成果開發(fā)了一套超結(jié)MOSFET器件的設(shè)計方法，并與上海華虹NEC(現(xiàn)上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級8英寸超結(jié)MOSFET工藝代工平臺，這是國內(nèi)第一個量產(chǎn)的超結(jié)工藝平臺。所制備的超結(jié)MOSFET擊穿電壓最高可達900V，比導通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進步一等獎（“功率高壓MOS器件關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”張波、喬明、任敏 等）。