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層狀二維材料的晶體和缺陷結(jié)構(gòu)精準(zhǔn)調(diào)控研究提供了新思路
通過(guò)溶劑熱方法，成功制備出一種層間距寬化并富有缺陷的1T-VS 2 納米片，展現(xiàn)出優(yōu)異的電催化析氫性能。由于有機(jī)溶劑分子以及在反應(yīng)過(guò)程中產(chǎn)生的銨離子等的插層作用，該溶劑熱法制備出的VS 2 納米片層間距寬化至1.0 nm，比塊體VS 2 材料的層間距（0.575 nm）增加了74%。層間距的寬化引起晶格的畸變而引入眾多的缺陷，豐富的缺陷賦予VS 2 納米片更多的活性位點(diǎn)，層間距的寬化還進(jìn)一步改變了VS 2 材料的電子結(jié)構(gòu)，從而使得該VS 2 納米片具有更加優(yōu)化的氫吸附自由能（? G H ）。HER測(cè)試結(jié)果表明，該VS 2 納米片呈現(xiàn)出優(yōu)異的電催化性能，具有較小的塔菲爾斜率（36 mV dec ?1 ）、具有較低的過(guò)電位（-43 mV@10 mA cm ?2 ）和良好的穩(wěn)定性（60 h）。此外，通過(guò)第一性原理計(jì)算的結(jié)果表明，層間距寬化的VS 2 具有更優(yōu)化的? G H （-0.044 eV），媲美貴金屬Pt(如圖3 ). 。并且，層間距的寬化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。這里，理論計(jì)算結(jié)果和實(shí)驗(yàn)相一致，較好地證明了通過(guò)層間距和缺陷的精細(xì)調(diào)控，可以有效提升二維材料的電催化析氫反應(yīng)活性, 揭示了層間距和缺陷結(jié)構(gòu)調(diào)控對(duì)提升電催化析氫的基本原理。此項(xiàng)研究工作為層狀二維材料的晶體和缺陷結(jié)構(gòu)精準(zhǔn)調(diào)控研究提供了新思路，為開(kāi)發(fā)高性能電催化析氫材料研究打開(kāi)了一扇新窗戶。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
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一種高熵合金顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料及其制備方法
一種高熵合金顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料及其制備方法，屬于復(fù)合 材料制備領(lǐng)域，解決現(xiàn)有金屬基增強(qiáng)相所存在的自身脆性以及燒結(jié)溫 度受限，影響材料致密化，難以實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料強(qiáng)度和塑性同時(shí)提高的 問(wèn)題。本發(fā)明的鋁基復(fù)合材料，由基體相與增強(qiáng)相通過(guò)球磨混合及燒 結(jié)成型構(gòu)成，基體相鋁和增強(qiáng)相高熵合金顆粒 AlCoCrFeNiTi0.5 的體 積比為 1∶4～1∶9。所述高熵合金顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的制備方法， 包括制備高熵合金鑄錠步驟、制備高熵合金粉末步驟、制備復(fù)合粉末 步驟和燒結(jié)成型步驟。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、能耗和成本均比較低、易于 在生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)，所制備的高熵合金顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度 提高了 32.4～90.1％，延伸率提高了 29.6～52.0％，提高了鋁基復(fù)合材 料的綜合性能。
華中科技大學(xué)
2021-04-13
錫納米晶為模板合成具有帶隙可調(diào)的錫鍺合金納米材料
通過(guò)精細(xì)調(diào)控Ge2+離子前驅(qū)體溶液與已制備的錫納米顆粒反應(yīng)，合成帶隙可調(diào)的半導(dǎo)體錫鍺合金納米晶（0.51 eV至0.71 eV）。使用的錫納米晶模板可以大大降低反應(yīng)的成核、結(jié)晶和生長(zhǎng)的反應(yīng)能壘。與以前報(bào)道的反應(yīng)溫度（約300 ℃）相比，課題組的方法可以在較低的溫度下（60-180 ℃）得到錫鍺合金納米晶。課題組深入闡明了從錫到錫鍺合金納米晶的相變機(jī)理，清晰揭示了從不均勻核殼結(jié)構(gòu)到均勻合金結(jié)構(gòu)的演變過(guò)程。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
一種基于陶瓷材料的增材制造成形裝置及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于陶瓷材料的增材制造成形裝置，其特征 在于，該裝置包括：光固化機(jī)構(gòu)、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)以及擠出回抽機(jī)構(gòu)，所述 光固化機(jī)構(gòu)設(shè)于所述擠出回抽機(jī)構(gòu)的一端，所述傳動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)于所述擠 出回抽機(jī)構(gòu)的另一端；其中，所述光固化機(jī)構(gòu)包括調(diào)光器(15)、紫外線 燈固定盤(pán)(16)和紫外固化燈(17)；所述擠出回抽機(jī)構(gòu)包括噴嘴(1)、噴嘴 連接件(2)、螺桿(3)、料筒(4)及料斗(6)；所述傳動(dòng)機(jī)構(gòu)包括電機(jī)(12)和 聯(lián)軸器(11)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種提高噴膜主液穩(wěn)定性的噴膜防水材料
本發(fā)明公開(kāi)了一種提高噴膜主液穩(wěn)定性的噴膜防水材料，按重量份包括以下組分：由主液和丙烯酸鹽組成,其重量組分為:主液+丙烯酸鈣液體+丙烯酸鋅固體,各組分的配比為:100份主液+5-20份30%丙烯酸鈣液體+0.8-2.0份丙烯酸鋅水溶液。本發(fā)明能夠有效解決噴膜主液自聚及團(tuán)聚，以提高噴膜主液穩(wěn)定性，確保噴膜施工的順利進(jìn)行，穩(wěn)定噴膜防水材料力學(xué)性能。
西南交通大學(xué)
2018-09-18
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調(diào)諧型電磁超材料關(guān)鍵技術(shù)及在射頻識(shí)別系統(tǒng)中的應(yīng)用
本項(xiàng)目突破了電磁超材料存在的不可調(diào)諧、帶寬窄、設(shè)計(jì)可靠性低等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)發(fā)出可調(diào)諧型射頻微波電磁材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、電磁特性仿真與控制、材料制造與性能測(cè)試等工藝與方法，研制出系列射頻/微波頻段調(diào)諧型電磁超材料、基于超材料的射頻濾波器/雙工器/三工器/天線、超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽/讀寫(xiě)器等產(chǎn)品，進(jìn)行了規(guī)模化示范應(yīng)用與驗(yàn)證，其性能指標(biāo)達(dá)到市場(chǎng)同類產(chǎn)品國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平；獲得授權(quán)發(fā)明專利32項(xiàng)、實(shí)用新型專利27項(xiàng)，發(fā)表論文150余篇（其中SCI論文60余篇）。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
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一種低溫煅燒插層高嶺土制備堿激發(fā)膠凝材料的方法
煅燒高嶺土基堿激發(fā)膠凝材料是指利用活性低鈣Si-Al質(zhì)材料與高堿性溶液反應(yīng)制備出的一種結(jié)構(gòu)上具有空間三維網(wǎng)絡(luò)狀結(jié)構(gòu)的新型無(wú)機(jī)Si-Al質(zhì)膠凝材料，該材料制備工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)能耗低且制備過(guò)程中二氧化碳排放量少，是一種綠色環(huán)保型膠凝材料，具有耐腐蝕、耐高溫、耐久性好、干燥收縮低、早期強(qiáng)度高和優(yōu)異的力學(xué)性能等特點(diǎn)，在汽車及航空工業(yè)、土木工程、交通及快速搶修、封堵核廢料及重金屬固化等方面，具有廣闊的應(yīng)用前景，已成為堿激發(fā)膠凝材料研究的焦點(diǎn)。
重慶大學(xué)
2021-04-14
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一種碳納米結(jié)構(gòu)修飾片狀有序介孔碳材料及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種碳納米結(jié)構(gòu)修飾片狀有序介孔碳材料及其制備方法。本發(fā)明的方法包括步驟：（１）制作前驅(qū)體溶液：以無(wú)水乙醇為溶劑，可溶性酚醛樹(shù)脂為第一組分，三嵌段共聚物為第二組分，按比例混合形成均勻的前驅(qū)體溶液。（２）選用草酸鉀作為基質(zhì)，將其固體粉末堆積到反應(yīng)器中，按比例加入前驅(qū)體溶液，利用乙醇的蒸發(fā)獲得復(fù)合材料，將獲得的復(fù)合材料經(jīng)歷低溫?zé)峤宦?lián)、高溫分段焙
東南大學(xué)
2021-04-14
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金屬催化亞胺與一氧化碳共聚法合成多肽類材料
成果與項(xiàng)目的背景及主要用途 一種在金屬催化下亞胺與一氧化碳共聚合成多肽類聚合物材料的新的、簡(jiǎn)捷的方法，不用氨基酸為原料，以廉價(jià)的亞胺和一氧化碳為單體，在金屬催化下發(fā)生交替共聚，直接生成多肽，從而使合成多肽的成本大大降低。這一途徑將可以避免繁雜的合成和活化氨基酸的步驟，使得多肽的合成和傳統(tǒng)的方法(如開(kāi)環(huán)聚合反應(yīng)法)相比，被大大地簡(jiǎn)化。所得到的多肽類材料，在生物醫(yī)學(xué)材料和制藥等領(lǐng)域具有重要用途。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介
南開(kāi)大學(xué)
2021-04-14
基于超材料的肖特基型遠(yuǎn)紅外多譜信號(hào)探測(cè)器和制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超材料的肖特基型遠(yuǎn)紅外多譜信號(hào)探測(cè)器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列，金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個(gè)圖形對(duì)于特定電磁波具有完全吸收特性，通過(guò)改變金屬開(kāi)環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對(duì)應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過(guò)改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料層中
華中科技大學(xué)
2021-04-14