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本發(fā)明公開了一種雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡芯片，包括雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡和驅(qū)控信號輸入端口，雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡為 m×n 元，其中，m、n 均為大于 1的整數(shù)，雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第一基片、第一平板電極層、第一電隔離層、圖案化電極層、第二電隔離層、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⒌谌姼綦x層、第二平板電極層、第二基片，第一平板

本發(fā)明公開了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測量 裝置，包括光源、分光光路、測量對準(zhǔn)組件、探測組件和微流控芯片。 結(jié)合 Mie 散射理論計(jì)算的理論散射曲線參照，完成單粒子圓周范圍內(nèi) 大角度范圍散射場的測量；同時(shí)由于結(jié)合了微流控芯片技術(shù)，解決了 單粒子的捕獲和單粒子環(huán)境的構(gòu)建問題。 

本發(fā)明公開了一種微流控芯片及其在單分散納米顆粒制備中的 應(yīng)用。所述芯片包括內(nèi)管、外管和外管進(jìn)樣頭；所述內(nèi)管與外管共中 心軸套接；所述內(nèi)管一端為尖端出樣口，深入外管內(nèi)部，內(nèi)管另一端 為進(jìn)樣口，伸出外管外部；所述外管進(jìn)樣頭嵌合在外管管壁上。本發(fā) 明提供的微流控芯片結(jié)構(gòu)簡單，使用壽命較長，具備各向均一性，制 備的納米顆粒單分散性好，粒徑一致。 

在完成產(chǎn)品小試驗(yàn)證后，利用小試產(chǎn)品進(jìn)行了小面積的固沙試驗(yàn)和實(shí)驗(yàn)室沙模的抗壓和抗剪切試驗(yàn)。結(jié)果表明AA和AM的共聚物固沙效果要優(yōu)于PAA的均聚物。而且當(dāng)分子量大于1500萬時(shí)，分子量對沙模抗剪切和抗壓強(qiáng)度的影響不顯著，而固沙劑溶液的粘度隨聚合物分子量的增加而顯著增加。在滿足固沙性能要求的前提下，確定以單體聚合濃度為7%進(jìn)行產(chǎn)品工業(yè)生產(chǎn)試驗(yàn)，工業(yè)生產(chǎn)試驗(yàn)考核了連續(xù)三批次，共生產(chǎn)六噸產(chǎn)品。 技術(shù)指標(biāo)：聚合反應(yīng)的工藝流程為配料（按配方將單體、引發(fā)劑和溶劑混合）、充氮脫氣30分鐘、加料（將反應(yīng)液加入到各個(gè)反應(yīng)器中）和聚合。實(shí)際聚合中的液層厚度約為250mm,。工業(yè)試驗(yàn)生產(chǎn)線的轉(zhuǎn)化率大于98.5%，與小試設(shè)備的結(jié)果相似。應(yīng)用范圍：甘肅治沙研究所民勤治沙站實(shí)驗(yàn)林的梭梭面臨著退化的危險(xiǎn)，造成梭梭林退化的主要原因有兩個(gè)，一是梭梭根部的沙粒由于長期的移動(dòng)，使得梭梭較發(fā)達(dá)的根系逐漸裸露出來，失去支撐作用，在較大的風(fēng)沙作用下容易被吹得連根拔起，；二是大量裸露在外的根部失去了吸取水分的功能，所以保護(hù)梭梭的根部和盡可能地提供水分是挽救退化梭梭的有效途徑。鑒于這種情況，將多功能保水劑，固沙劑和疏水劑組合起來，在梭梭周圍做成一個(gè)雨水集流面，一方面保護(hù)梭梭根部，一方面集流沙漠里少量的雨水，減少地下水的蒸發(fā)，創(chuàng)造梭梭生長所需的條件。

本技術(shù)基于聲發(fā)射原理進(jìn)行原巖應(yīng)力測試的一種方法。聲發(fā)射發(fā)又稱凱塞效應(yīng)法，是巖石材料的凱塞效應(yīng)來測量巖體原巖應(yīng)力的一種方法。材料在受到外載荷作用時(shí)，期內(nèi)部儲存的應(yīng)變能快速釋放產(chǎn)生彈性波并發(fā)生聲響的現(xiàn)象。1950 年，德國學(xué)者凱塞發(fā)現(xiàn)，受單向拉伸作用的材料在應(yīng)力未達(dá)到材料的最大先期應(yīng)力時(shí)，不會出現(xiàn)明顯的聲發(fā)射現(xiàn)象，但應(yīng)力達(dá)到或者超過歷史上所受的最大值之后，聲發(fā)射率明顯增加，這種現(xiàn)象稱為凱塞效應(yīng)。從很少產(chǎn)生聲發(fā)射到大量產(chǎn)生聲發(fā)射的轉(zhuǎn)折點(diǎn)就是凱塞效應(yīng)點(diǎn)，凱塞效應(yīng)點(diǎn)的應(yīng)力即為材料在歷史上受到的最大應(yīng)力。后來，古德曼在 20 世紀(jì) 60 年代初通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了材料具有凱塞效應(yīng)，從而為應(yīng)用這一技術(shù)測定巖石應(yīng)力奠定了基礎(chǔ)，根據(jù)凱塞效應(yīng)，如果從原巖中取回定向巖芯制成巖石試件，通過對加工好的取自不同方向的巖石試件進(jìn)行加載聲發(fā)射實(shí)驗(yàn)，并測定凱塞效應(yīng)點(diǎn)，即可找出每個(gè)巖石試件先前受到的最大應(yīng)力值，進(jìn)而可以求出取樣點(diǎn)的三維應(yīng)力狀態(tài)。目前進(jìn)行原巖應(yīng)力的方法主要有直接測量法和間接測量法兩大類，直接測量方法包括扁千斤頂法、水壓致裂法等，間接測量方法主要有應(yīng)力解除法等，這些方法中一般需要進(jìn)行大量的鉆孔、裝配測試傳感器和測定等工程工序，工程量大，如果在地下空間進(jìn)行原巖應(yīng)力測試，空間相對狹小，施工不方便，也不易實(shí)現(xiàn)大規(guī)模、大區(qū)域內(nèi)的原巖應(yīng)力測量。本技術(shù)進(jìn)行原巖應(yīng)力測量和現(xiàn)在所有方法相比，地下空間進(jìn)行測量時(shí)，只需在測量地點(diǎn)進(jìn)行一次水平取芯便能完成現(xiàn)場工作，方法簡單，余下少量的測量和計(jì)算工作均在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)完成，加快了原巖應(yīng)力測量的工序進(jìn)行，減少了在地下空間的工作時(shí)間，大大減少了測量費(fèi)用，特別適合大面積多點(diǎn)區(qū)域內(nèi)的原理應(yīng)力測量，而且比較其它原巖應(yīng)力的測量方法，成功率明顯提高，使得測量工作更易控制和操作，因此本技術(shù)是原巖應(yīng)力測量中一種施工方便、工期縮短、成功率高的原巖應(yīng)力測量方法。

本發(fā)明涉及一種用于組織/器官芯片集成制造的三維打印方法及裝置，包括以下步驟：1)設(shè)計(jì)三維芯片的三維結(jié)構(gòu)圖，并轉(zhuǎn)化為片層圖形文件格式；2)開啟三維打印裝置，將打印墨水吸入各個(gè)噴頭中；導(dǎo)入片層圖形文件；3)三維打印裝置分別將主體材料打印墨水、犧牲材料打印墨水和不同的細(xì)胞打印墨水打印到底板系統(tǒng)預(yù)先設(shè)計(jì)的位置；4)重復(fù)步驟3)逐層累積完成三維芯片結(jié)構(gòu)打印，直至片層圖形文件打印完成；5)加熱或制冷整體打印完成的三維芯片，使通道犧牲材料變?yōu)槿苣z態(tài)；6)將變?yōu)槿苣z態(tài)的通道犧牲材料使用移液槍吸出，去除通道犧牲材料，形成完整的三維芯片結(jié)構(gòu)；7)對未被融化的細(xì)胞打印墨水材料進(jìn)行交聯(lián)，灌流培養(yǎng)基。

研發(fā)階段/n由于信息基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)環(huán)境復(fù)雜，以衛(wèi)星移動(dòng)通信為代表的空天地一體化網(wǎng)絡(luò) 建設(shè)成為首選。中科院計(jì)算所無線中心在已有成果的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)提升衛(wèi)星終端芯 片的產(chǎn)品化量產(chǎn)能力，實(shí)現(xiàn)終端芯片量產(chǎn)，并設(shè)計(jì)多類型衛(wèi)星移動(dòng)通信終端設(shè)備及 行業(yè)應(yīng)用解決方案，填補(bǔ)我國衛(wèi)星移動(dòng)通信“產(chǎn)業(yè)空洞”。截止2017年底，項(xiàng)目成 功實(shí)現(xiàn)衛(wèi)星移動(dòng)通信終端基帶芯片F(xiàn)ull Mask量產(chǎn)并推廣應(yīng)用，占領(lǐng)產(chǎn)業(yè)鏈高端核 心器件供給；推出面向行業(yè)應(yīng)用的手持、便攜、車載等多型終端解決方案，項(xiàng)目相 關(guān)成果目前依托產(chǎn)業(yè)化主體中科晶上實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)

本發(fā)明公開了一種基于雙路電壓信號驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微柱鏡芯片，包括：液晶散光微柱鏡陣列、第一驅(qū)控信號輸入端口、以及第二驅(qū)控信號輸入端口，液晶散光微柱鏡陣列為 m×n 元，其中 m、n 均為大于的整數(shù)，液晶散光微柱鏡陣列采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第一基片、頂層面電極板、電極間絕緣層、頂層圖案化電極板、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⒕W(wǎng)孔狀共地電極板、第二基片，頂層面電極板和網(wǎng)孔狀共地電極板分

本項(xiàng)目提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(發(fā)表于國際一流期刊PRB，2005)，相比于美國Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片而言，具有更強(qiáng)的糾錯(cuò)和避錯(cuò)品質(zhì)，更易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。 一、項(xiàng)目分類 重大科學(xué)前沿創(chuàng)新 二、成果簡介 提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(發(fā)表于國際一流期刊PRB，2005)，相比于美國Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片而言，具有更強(qiáng)的糾錯(cuò)和避錯(cuò)品質(zhì)，更易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。技術(shù)上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全國產(chǎn)設(shè)備工藝線上，芯片電路單元核心器件-約瑟夫森結(jié)和共面波導(dǎo)超導(dǎo)諧振器的自行設(shè)計(jì)制造，在極低溫環(huán)境下完成了單元器件性能的標(biāo)定和檢驗(yàn)。

本發(fā)明公開了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測量 方法，包括微流控芯片的設(shè)計(jì)制作、測量環(huán)境配置、對準(zhǔn)、單粒子的 捕獲和單粒子環(huán)境的構(gòu)建以及單粒子大角度的散射分布的測定等相關(guān) 方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于結(jié)合了微流控芯片粒子捕獲技術(shù)，克服 了單粒子的大角度散射、大動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的光散射特性測量方法的不足， 實(shí)現(xiàn)了單粒子大角度散射分布的測量