葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

博志金鉆技術團隊在磁控濺射領域深耕二十余年，目前已經實現氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產，三英寸陶瓷覆銅板月產能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺烘烤5分鐘不起泡。 一、項目進展 已注冊公司運營 二、企業信息 企業名稱 蘇州博志金鉆科技有限責任公司 企業法人 潘遠志 注冊時間 2022/3/31 注冊所在省市 江蘇省 蘇州市 組織機構代碼 91610131MA712U7Q06 經營范圍 一般項目：技術服務、技術開發、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣；金屬表面處理及熱處理加工；新材料技術研發；新材料技術推廣服務；電子元器件制造；集成電路制造；信息安全設備制造；通信設備制造；光通信設備制造；雷達及配套設備制造；光電子器件制造；真空鍍膜加工；表面功能材料銷售；金屬基復合材料和陶瓷基復合材料銷售；合成材料銷售；有色金屬合金銷售；半導體器件專用設備制造；新型陶瓷材料銷售；電子元器件零售；電子元器件批發；泵及真空設備制造；泵及真空設備銷售；通用設備制造（不含特種設備制造）；玻璃、陶瓷和搪瓷制品生產專用設備制造；電子專用材料研發；電子專用材料制造；特種陶瓷制品銷售；半導體器件專用設備銷售；集成電路設計；機械設備租賃；租賃服務（不含許可類租賃服務）（除依法須經批準的項目外，憑營業執照依法自主開展經營活動） 企業地址 江蘇省 蘇州高新區長亭路8號大新科技園3幢二樓 獲投資情況 2021/07/01蘇州匯伯壹號創業投資合伙企業（有限合伙）天使輪1000萬元 2022/03/22蘇州融享進取創業投資合伙企業（有限合伙）preA輪2500萬元 三、負責人及成員 姓名 學院/所學專業 入學/畢業時間 潘遠志 鄧敏航 楊添皓 電子與信息學部/自動化 2020/2024 陶佳怡 管理學院/大數據管理 2020/2024 林子涵 電氣工程學院/電氣工程及其自動化 2020/2024 袁子涵 電氣工程學院/電氣工程及其自動化 2020/2024 牟國瑜 電氣工程學院/電氣工程及其自動化 2020/2024 楊志鵬 能源與動力工程學院/強基（核工程與核技術） 2020/2024 田繼森 航天航空學院/工程力學 2020/2024 孫浩然 機械工程學院/機械工程 2020/2024 鄭力愷 電氣工程學院/電氣工程及其自動化 2019/2023 王羿淮 管理學院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科學與工程學院/材料科學與工程 2018/2023 四、指導教師 姓名 學院/所學專業 職務/職稱 研究方向 宋忠孝 材料學院/材料系 教授、博士生導師 核電領域；電化學、催化、電池領域；器件、封裝領域：高溫抗氧化燒蝕、高壓抗電弧燒蝕領域；輕量化領域硬質涂層領域 王小華 電氣學院/電機電器及其控制 教授/博導，國家級人才計劃入選者（特聘教授），國家級青年人才計劃入選者（青年學者），教育部新世紀優秀人才，陜西省青年科技標兵。西安交通大學未來技術學院/現代產業學院副院長、實踐教學中心（工程坊）副主任、教務處副處長、創新創業學院副院長，CIGRE開關設備狀態評估工作組成員，中國電工技術學會電器智能化系統及應用專委會委員 開關設備設計、狀態監測與壽命評估 田高良 管理學院/會計與財務 教授、博士生導師 財務預警；內部控制與風險管理；資產評估；信用管理等 五、項目簡介 蘇州博志金鉆科技有限責任公司是一家專門從事高功率半導體封裝材料研發生產的公司。以先進的陶瓷表面金屬化技術為核心形成了包括（1）粉體表面改性；（2）熱壓燒結；（3）研磨、拋光；（4）陶瓷金屬化；（5）增厚、刻蝕；（6）預制金錫焊料；（7）激光切割等環節的完整高端熱沉材料生產體系。公司擁有完整的熱沉材料生產體系，致力于成為“國產化功率半導體器件熱沉材料領跑者”，為我國半導體產業發展添磚加瓦。 博志金鉆技術團隊在磁控濺射領域深耕二十余年，目前已經實現氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產，三英寸陶瓷覆銅板月產能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺烘烤5分鐘不起泡。博志金鉆目前蘇州主體工廠面積超過5000平米，含萬級潔凈間。擁有20余臺研磨拋光設備、10余臺燒結爐、4條臥式連續鍍膜設備、5臺立式鍍膜設備，以及超聲清洗、噴淋甩干等完善的配套設備。博志金鉆的工藝流程包括粉體表面改性、熱壓燒結、研磨/拋光、陶瓷金屬化、增厚/刻蝕、預制金錫焊料、激光切割，博志金鉆已經建立了完善的產品生產管理及質量監控體系來進行管控，完成了包括ISO9001、14001等認證，并不斷完善產品檢測設備及手段，確保產品質量穩定。 公司積極進行產品迭代和技術儲備，在高功率半導體封裝材料研發生產領域有著二十余年研發經驗。中國科學院院士孫軍教授和國家萬人計劃領軍人才宋忠孝教授作為本公司首席科學家領銜公司技術研發，進行陶瓷金屬化和半導體封裝基板領域關鍵技術的探索。潘遠志帶領公司與西安交通大學表面工程國際研發中心、金屬材料強度國家重點實驗室合作進行前沿技術開發，團隊與蘇州市產業技術研究院、高新區共同設立蘇州思萃材料表面應用技術研究所，是公司的技術支持和組織依托。目前公司已完成天使輪、preA輪數千萬融資交割，公司投后估值逾2億元。

寬禁帶半導體硅基GaN器件以其高效率，高開關速度高工作溫度抗輻時等特點,成為當前國際功率半導體器件與技術學科的研究前沿及熱點，也是業界普遍認可的性能卓越的下代功率半導體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發展初期的成本牦頸且易與S集成電路產業鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優點在消費電子(如手機快沖與天線充電).數據中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團家戰略新興領城具有巨大的應用前景。電子科技大學功率集成技術實驗室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強型功率晶體管、功率整流器進行基礎研究與應用技術開發。解決了增強型功率晶體管閾值電壓大范圍調控功率二圾管導通電壓調控與耐壓可靠性加查等關鍵技術瓶頸,研究成果為硅基GaN的產業化奠定了重要基礎。

       芯片功率器件測試平臺，以工程教育專業認證為引領參與高校專業建設，以信息化引領構建學習者為中心的教育生態，培養集成電路硬件測試人才。為學生提供豐富的教學資源以及貼近現實的產業環境，支撐集成電路相關課程的教學與實訓，且能進行項目開發和師資培訓。

功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關頻率高、可靠性好等優點，因此廣泛應用于開關電源、汽車電子、DC/DC轉換等領域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領域占據了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術積累，開展了大量前沿性研究和產業化研究，目前本團隊在功率DMOS領域累計授權發明專利超過50項，能夠量產的產品型號近百種。

1. 痛點問題 功率半導體是支撐能源領域發展的核心部件。為實現3060雙碳目標，我國正在超常規推動新能源發電、大容量輸配電和電氣化交通等領域，對電壓等級4.5kV以上的功率器件需求急速增長。提高器件電壓和容量可以減少器件串并聯數量、縮減裝備體積和成本，是解決城市用地緊張、降低海上風電平臺建設成本的關鍵。然而，受工作機理和制備工藝限制，IGBT器件最大功率等級為4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶頸，無法滿足能源發展需求。因此，亟需更高電壓、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半導體器件解決方案。 2020年，中國功率半導體市場規模達2000億元，但90%以上依賴進口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部進口。亟需尋求自主可控的功率半導體器件國產替代方案。 2. 解決方案 本技術面向新能源發電和輸配電領域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成門極換流晶閘管）的設計、制備和驅動控制方案，可以提高阻斷電壓和關斷電流能力、降低器件運行損耗，且可以結合應用工況開展定制優化，如改善器件防爆特性、解決高壓裝置中的驅動供電問題等，從而實現大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率變換。 目前團隊已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等級全面覆蓋IGBT，且具有向更大容量發展的潛力。與IGBT、MOSFET等晶體管器件相比，本技術提出的IGCT具有通態損耗低、耐受電壓高、可靠性高、抗干擾能力強等突出優勢，符合能源發展趨勢，且制造工藝沿用基本沿用傳統的晶閘管路線，制造成本低，國內工藝基礎好。

火電汽輪機的末幾級和核電汽輪機的全部級均工作在濕蒸汽區。濕蒸汽給汽輪機帶來兩方面問題：一是蒸汽凝結產生的水分使機組效率降低；二是濕蒸汽中的水分會導致汽輪機低壓級動葉片的水蝕損壞，給機組運行帶來巨大的安全隱患和經濟損失。 而濕蒸汽處于飽和狀態，其壓力、溫度不是獨立參數，目前沒有測量濕蒸汽狀態的成熟技術。項目組基于微波諧振腔介質微擾技術開發了濕蒸汽兩相流測量系統。濕蒸汽的介電常數是蒸汽濕度、溫度和所處電磁場頻率的函數；若溫度已知，當濕蒸汽流過諧振腔，蒸汽濕度變化，引起腔體附近電磁場分布、損耗和相位變化，進而引起其諧振頻率改變，通過測量頻率變化可以間接實現對濕蒸汽狀態的測量。

本工藝可以對現有的各類高濃廢水進行減量化處理，解決蒸發工藝（MVR、多效蒸發）在處理高濃工業廢水碰到的技術難題，例如高鹽造成的換熱器腐蝕以及結垢、不能處理高有機物廢水以及高溫蒸發導致的冷凝水有機質含量、氨氮偏高問題。 經研究發現，蒸發溫度降低，能夠減少對金屬材質的腐蝕、結垢以及降低冷凝水中有機物濃度、含鹽量。如果蒸發溫度低于溶液沸點，例如100℃以下，就可以采用非金屬材質制造蒸發設備，這樣就完全解決了高濃廢水中鹽分對設備腐蝕、結垢問題，同時降低高濃廢水有機物蒸發，使得冷凝水有利于后期的生化處理。 如下圖1所示，本技術選擇空氣作為水汽載體，利用空氣與廢水溶液直接接觸后空氣能夠帶走溶液中的水分的原理，實現高濃廢水的蒸發濃縮。由于空氣與廢水溶液直接接觸蒸發，不再需要金屬蒸發換熱器，徹底解決腐蝕和結垢問題。同時，在濃溶液蒸發一定階段后，由特殊設計溶液加熱罐中將鹽泥排除系統，并引入新的濃溶液，繼續蒸發。 不僅如此，在本工藝方便引入高級氧化設備，能夠進一步降低高濃廢水有機物含量，提高本工藝對廢水的處理能力。

項目成果/簡介:本工藝可以對現有的各類高濃廢水進行減量化處理，解決蒸發工藝（MVR、多效蒸發）在處理高濃工業廢水碰到的技術難題，例如高鹽造成的換熱器腐蝕以及結垢、不能處理高有機物廢水以及高溫蒸發導致的冷凝水有機質含量、氨氮偏高問題。 經研究發現，蒸發溫度降低，能夠減少對金屬材質的腐蝕、結垢以及降低冷凝水中有機物濃度、含鹽量。如果蒸發溫度低于溶液沸點，例如100℃以下，就可以采用非金屬材質制造蒸發設備，這樣就完全解決了高濃廢水中鹽分對設備腐蝕、結垢問題，同時降低高濃廢水有機物蒸發，使得冷凝水有利于后期的生化處理。 如下圖1所示，本技術選擇空氣作為水汽載體，利用空氣與廢水溶液直接接觸后空氣能夠帶走溶液中的水分的原理，實現高濃廢水的蒸發濃縮。由于空氣與廢水溶液直接接觸蒸發，不再需要金屬蒸發換熱器，徹底解決腐蝕和結垢問題。同時，在濃溶液蒸發一定階段后，由特殊設計溶液加熱罐中將鹽泥排除系統，并引入新的濃溶液，繼續蒸發。 不僅如此，在本工藝方便引入高級氧化設備，能夠進一步降低高濃廢水有機物含量，提高本工藝對廢水的處理能力。項目階段:批量生產效益分析:與現有廣泛使用的高濃廢水處理工藝或設備相比，其特點及優勢在于： 利用空氣作為蒸發水汽載體，空氣與高濃廢水直接接觸，取消金屬蒸發器，解決了傳統蒸發設備腐蝕和結垢問題。 對蒸發溫度要求低，本工藝既可以使用高溫蒸汽熱源，也可以利用太陽能、煙氣余熱等低溫廢熱熱源，符合節能、環保的要求。 低溫蒸發對水質要求低，能夠有效降低冷凝液有機質成分，廢水無需前端預處理，節約整體廢水處理工藝運行成本。 空氣與高濃廢水接觸蒸發，風機、廢水蒸發溫度可調，對各種濃度和各種成份的工業污水都適用，處理裝置的通用性很強。 能夠方便的引入高級氧化設備，能夠有效拓展廢水處理范圍，突破傳統蒸發只是物理分離的局限性，擴展了該濃縮裝置的處理功能。 空氣始終在裝置內部循環使用，無氣體排放，對環境友好，因此該裝置其具有廣闊的應用前景。 工藝采用的是常壓蒸發，系統安全，維護簡單，自動化程度高，可以有效減少人工維護成本。

針對汽車電子、5G通訊基站、航空航天及電力電子設備等功率電子元器件難以在高溫、大電流/電壓、潮濕等惡劣工作環境下服役的難題，并且要求芯片封裝互連接頭尺寸更小、高溫穩定性更好、可靠性更高，本團隊首次采用超聲輔助納米燒結的新型互連工藝，利用納米銀包銅顆粒作為焊料，成功獲得大功率器件高溫高可靠服役要求的互連接頭，為高功率芯片貼裝高導熱界面制造提供了新材料和新工藝。

隨著電子技術的不斷發展，電子器件和芯片性能的提高帶來電路及其芯片的散熱問題日益突出。研究表明：電子器件工作溫度在70～80℃水平時，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同時由于芯片的不斷集成化和微型化，導致散熱量的迅速增加，傳統的冷卻技術已經不能滿足散熱要求。本技術開發了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環系統，利用閃蒸霧化和相變傳熱技術，實現了低溫高效換熱，傳熱系數高達26533W/(m2·K)，表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過100W/cm2（而常規水冷條件下元器件表面溫度超過150攝氏度）。