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本項目將矩陣變換器技術(shù)與永磁同步電機(jī)矢量控制技術(shù)相結(jié)合, 在發(fā)揮永磁同步電機(jī)矢量控制系統(tǒng)本身所具有的良好傳動性能的基礎(chǔ)上，采用矩陣變換器作為功率變換電源,構(gòu)成矩陣變換器-永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)，達(dá)到高效與節(jié)能的目的。

專利名稱：

（專利號：ZL 201510023278.5） 簡介：本發(fā)明公開了一種具有雙相交換耦合作用并保持高矯頑力的復(fù)合永磁鐵氧體，屬于磁性鐵氧體制備技術(shù)領(lǐng)域。該復(fù)合鐵氧體是采用水熱法單獨制備、并經(jīng)過酸洗的SrFe12O19和CoFe2O4鐵氧體納米粉末按照一定質(zhì)量比壓成圓片，然后分別在700～900℃的溫度下煅燒2h制備而成，含兩相的鐵氧體即對外顯示單一相磁性行為，即存在交換耦合作用。該復(fù)合鐵氧體由于采用高飽和磁化強度和矯頑力的CoFe2O4鐵氧

可以量產(chǎn)/n成果簡介：一款針對永磁同步風(fēng)機(jī)的無位置傳感器電機(jī)控制器，供電采用汽車蓄電池提供的24V 直流電，適用于汽車級場合，對溫度，電磁噪聲，振動等干擾因素都有很強的魯棒性。技術(shù)特點：（1）無需位置傳感器，結(jié)構(gòu)簡單，安裝方便；（2）實現(xiàn)類矢量控制，控制精度高；（3）帶載啟動能力強，運行效率高達(dá)79%（電機(jī)設(shè)計最高效率81%）（4）SVPWM 高頻調(diào)制，正弦波電流，調(diào)速范圍寬，諧波電流少，轉(zhuǎn)矩脈動小，轉(zhuǎn)速誤差≤1‰

永磁電機(jī)的位置傳感器增加的電機(jī)的成本，降低了電機(jī)的可靠性。在風(fēng)機(jī)、水泵等領(lǐng)域應(yīng)用的電機(jī)，可以通過控制的方法，去掉電機(jī)的位置傳感器，減少成本并提高系統(tǒng)可靠性。本課題組針對高速電機(jī)無位置傳感器控制中所存在的問題，在建立精確離散化的數(shù)學(xué)模型的基礎(chǔ)上，設(shè)計了基于離散滑模理論、狀態(tài)觀測器等方法的轉(zhuǎn)子位置觀測器，實現(xiàn)了10kHz控制頻率下的10萬轉(zhuǎn)高速電機(jī)的無位置傳感器控制，以及快速正反轉(zhuǎn)啟動。

交流永磁同步電機(jī)(PMSM)變頻器專門針對中小功率永磁同步電機(jī) 研制。變頻器釆用一體化結(jié)構(gòu)，機(jī)箱采用立方體外形殼體，方便安裝固 定。控制電路和功率器件在物理結(jié)構(gòu)上分開；硬件電路按功率電路、控 制電路、鍵盤顯示電路等設(shè)置單獨電路板。功率電路中包含整流逆變主 電路、輔助電源、IPM驅(qū)動隔離電路、母線電壓保護(hù)電路、電流釆樣電路 等。功率電路選用三菱公司的智能功率模塊(IPM-PM100RLA120),它具 有結(jié)構(gòu)緊湊，集成度高，有完善的驅(qū)動電路，內(nèi)含過流

電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院（示范性微電子學(xué)院）博士生張凈植在2018年國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上發(fā)表研究成果，提出了一種“基于強耦合變壓器的電流提升技術(shù)”，初步實現(xiàn)了用一款芯片覆蓋多個頻段，讓5G通信“全球通”變成了可能。2015年，張凈植的導(dǎo)師康凱正承擔(dān)國家5G技術(shù)方面的一個重大專項，他有機(jī)會參與其中，負(fù)責(zé)頻率源方面的部分研究任務(wù)。而正是這次研究，讓他將目光鎖定在了5G芯片上。張凈植發(fā)現(xiàn)，目前不同國家劃分的應(yīng)用于5G通信的頻段各不相同。比如，中國用的是24.75GHz~27.5GHz和37GHz~42.5GHz頻段，美國用的是27.5GHz~28.35GHz、37GHz~38.6GHz和38.6GHz~40GHz頻段，歐洲用的是24.25GHz~27.5GHz頻段，日韓則采用26.5GHz~29.5GHz。也就是說，如果5G手機(jī)的芯片不支持這么多不同頻段，出國后就無法正常通信了。相對于當(dāng)前使用的4G技術(shù)，5G技術(shù)在吞吐率、時延、連接數(shù)量、能耗等方面有一個質(zhì)的飛躍，就像美國運營商Sprint新任總裁和即將上任的CEO邁克爾·康貝斯在今年的摩根大通全球技術(shù)、媒體和通信會議上所說的，如今的4G網(wǎng)速平均只有30MB/秒，而5G提供的網(wǎng)速將是它的15倍。因此，學(xué)界和業(yè)界都對5G給予厚望。張凈植的研究成果，就是兩方小小的“通用芯片”：大的芯片只有910微米×920微米（1微米=10-6米），小的芯片為700微米×670微米，面積都小于1平方毫米，大小相當(dāng)于一根繡花針的橫截面。但這種小芯片卻具有“兼容并蓄”的“寬廣胸襟”，極大地提升了注入鎖定倍頻器的工作帶寬，即“基于CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝的超寬帶注入鎖定倍頻器”，簡而言之，就是為了解決5G芯片在不同電磁頻段“水土不服”的難題而專門設(shè)計的。在與業(yè)界最先進(jìn)技術(shù)的比較中，該技術(shù)在僅消耗兩倍功耗的情況下，將工作帶寬提升了5.2倍，同時還解決了毫米波頻段中“低相位噪聲信號源的大帶寬設(shè)計”難題，為毫米波領(lǐng)域超寬帶低相位噪聲信號源設(shè)計提供了一個可行方案，對5G通信的高頻段多頻帶應(yīng)用有著實際意義。左邊是差分輸出芯片，是核心電路的驗證模塊；右邊是正交輸出芯片，是完整的、可以用于5G系統(tǒng)的芯片。原文：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2018/5/412885.shtm

本發(fā)明公開了一種帶耦合電抗器的強制過零型高壓直流斷路器， 該斷路器包括機(jī)械開關(guān)、充電換流模塊、換流電容和吸能限壓模塊。 充電換流模塊由耦合電抗器和與之二次側(cè)串聯(lián)的觸發(fā)開關(guān)和預(yù)充電模塊構(gòu)成，預(yù)充電模塊為并聯(lián)的預(yù)充電電容和續(xù)流電路，續(xù)流電路由串 聯(lián)的電阻和二極管組成。電容充電模塊與換流電容一起為故障電流提 供換流緩沖支路。本發(fā)明提供的帶耦合電抗器的強制過零型高壓直流 斷路器，可以實現(xiàn)故障電流的雙向開斷，結(jié)構(gòu)簡單，控制方便；速度 快，可靠性高。 

本發(fā)明公開了一種雙層標(biāo)準(zhǔn)鼠籠導(dǎo)體轉(zhuǎn)子高轉(zhuǎn)矩密度永磁調(diào)速器，包括同一中心軸設(shè)置的輸入軸和輸出軸，所述輸入軸上穿設(shè)有導(dǎo)體轉(zhuǎn)子，所述輸出軸上穿設(shè)有可相對同心旋轉(zhuǎn)的第一永磁轉(zhuǎn)子和第二永磁轉(zhuǎn)子；所述第一永磁轉(zhuǎn)子、導(dǎo)體轉(zhuǎn)子和第二永磁轉(zhuǎn)子三者沿徑向依次同心套設(shè)，其中第一永磁轉(zhuǎn)子和導(dǎo)體轉(zhuǎn)子之間相隔有第一氣隙，導(dǎo)體轉(zhuǎn)子和第二永磁轉(zhuǎn)子之間相隔有第二氣隙。本發(fā)明通過旋轉(zhuǎn)第一永磁轉(zhuǎn)子或者第二永磁轉(zhuǎn)子，改變第一永磁轉(zhuǎn)子和第二永磁轉(zhuǎn)子之間的相對旋轉(zhuǎn)角度，實現(xiàn)永磁調(diào)速器的調(diào)速功能；在調(diào)速過程中僅需克服齒槽轉(zhuǎn)矩，還區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)中采用調(diào)整磁轉(zhuǎn)子與導(dǎo)體轉(zhuǎn)子之間的軸向氣隙實現(xiàn)調(diào)速功能，有效減小了永磁調(diào)速器的軸向長度。