葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

項目 Smart Plus-N Smart Plus-NT Smart Plus-NE Smart Plus-NET Smart Plus-EP Smart Plus-EPT Smart Plus-P Smart Plus-PT 進水水源 ＜ 400μS/cm（市政自來水） RO或蒸餾水 進水壓力 0.1-0.5 MPa - RO脫鹽率 ≥98%（在特定進水條件下） - RO制水量 30L/H@25℃ 30L/H@25℃ 15L/H，雙級RO - RO電導(dǎo)率* < 20 μS/cm - - - 高純水電阻率 - ＞10MΩ.CM ＞10MΩ.CM - 配置EDI 否 是 是 否 TOC在線監(jiān)測 NT型含有 NET型含有 EPT型含有 PT型含有 超純水電阻率 18.2 MΩ?cm@25℃ 總有機碳TOC** ＜10ppb 顆粒物 < 1/ml （配 0.22 μm 終端濾器時） 微生物 < 1cfu/ml （配 0.22 μm 終端濾器時） 熱源含量 < 0.001 Eu/ml （配進口超濾柱時） *典型值，RO產(chǎn)水的電導(dǎo)率受自來水進水電導(dǎo)率的影響 **TOC含量直接受到進水條件和采樣操作環(huán)境的影響 備注：含超濾時，超純水產(chǎn)水量會下降30%左右

專利內(nèi)容是本發(fā)明針對背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其液相外延制備方法，本發(fā)明得到的釔鐵石榴石單晶薄膜的鐵磁共振線寬很窄，達到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、應(yīng)力、含鉛量、雜相等都得到了較大的改善。

本發(fā)明提供了一種用于三層結(jié)構(gòu)薄膜的接料裝置，包括接料底板，設(shè)置在接料底板的一相對兩側(cè)，用于提供粘結(jié)膠帶的粘結(jié)膠帶組件；設(shè)置在接料底板的另一相對兩側(cè)，用于對接薄膜整齊對位的膠帶糾偏組件；設(shè)置在接料底板上用于接料時固定對接薄膜的壓合組件；以及設(shè)置在接料底板上方用于夾持三層結(jié)構(gòu)薄膜各層的夾持組件。本發(fā)明實現(xiàn)三層結(jié)構(gòu)薄膜的分層對接，整個裝置結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，易于實現(xiàn)。

一種機械疊層ALSB/CIS薄膜太陽電池,屬于一種半導(dǎo)體薄膜太陽電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計,它是由ALSB頂電池機械疊合在CIS底電池上而成的雙結(jié)四端薄膜太陽電池。其中ALSB頂電池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉積N型摻鋁氧化鋅導(dǎo)電層,然后沉積氧化鋅高阻層,再沉積硫化鎘緩沖層,隨后沉積銻化鋁吸收層以及碳納米管涂層作為透明導(dǎo)電層,最后,沉積鎳/鋁柵線而制成的太陽電池;而CIS底電池,指的是在SODA LIME玻璃上沉積鉬,然后沉積吸收層硒銦銅,再沉積緩沖層硫化鎘,隨后沉積高阻氧化鋅和摻鋁氧化鋅,最后沉積與頂電池相同形狀和大小的鎳/鋁柵線而制成的太陽電池。采用上述結(jié)構(gòu)的疊層電池,可以選擇性地吸收和轉(zhuǎn)化太陽光譜的不同區(qū)域的能量,擴展光譜響應(yīng)的范圍,有效地提高薄膜太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。

其他成果/n本發(fā)明公開了一種安裝在汽車進氣系統(tǒng)上的薄膜吸振器，用于消除由進氣系統(tǒng)引起的至少一種車內(nèi)噪聲，所述汽車進氣系統(tǒng)包括依次連接的進氣管、空氣濾清器和出氣管，該吸振器包括開設(shè)在所述進氣管振動異常處的開孔以及密封覆蓋在所述開孔外側(cè)的薄膜，所述開孔的孔徑小于進氣管的直徑。本發(fā)明在不增加進氣系統(tǒng)降噪空間的前提下，以及合理的成本控制下，可以有效改善進氣系統(tǒng)低、中、高各頻率段噪聲。

“一種化學(xué)浴沉積擇優(yōu)取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有方法一般對設(shè)備要求較高，需要比較復(fù)雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡(luò)合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h～3.

  巨霍爾效應(yīng)是納米鐵磁金屬顆粒薄膜中反常霍爾效應(yīng)的巨大增強現(xiàn)象,是納米材料的新效應(yīng),本課題利用巨霍爾效應(yīng)原理,制備出磁場靈敏度高達125AT、具有實用價值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應(yīng)用于霍爾器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件原型。    本課題的研究,率先將納米體系的新效應(yīng)巨霍爾效應(yīng)原理應(yīng)用于傳感器件領(lǐng)域,制備出具有實用價值的新型納米材料及微型霍爾器件,具有原始創(chuàng)新性。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體霍爾器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應(yīng)的霍爾器件具有體積小、制備工藝簡單、高度集成、靈敏度高等優(yōu)點,因此具有更為重要的應(yīng)用價值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異、抗核輻射等優(yōu)點,在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途,市場前景廣闊。   本課題利用巨霍爾效應(yīng)原理,首次制備出磁場靈敏度高達125VAT、具有實用價值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應(yīng)用于霍爾器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件原型。主要創(chuàng)新點有將稀磁半導(dǎo)體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實用價值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應(yīng)的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應(yīng)用于傳感器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件。    主要創(chuàng)新點有將稀磁半導(dǎo)體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實用價值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應(yīng)的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應(yīng)用于傳感器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件。相關(guān)成果已獲國家發(fā)明專利授權(quán)九項。    本課題的研究,將巨霍爾效應(yīng)這一納米體系的新效應(yīng)應(yīng)用于器件領(lǐng)域,以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現(xiàn)有霍爾器件的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,是一個全新的技術(shù),取得了多項具有原始創(chuàng)新性的技術(shù)成果,進一步推進了納米材料在新材料技術(shù)、電子信息技術(shù)等領(lǐng)域]應(yīng)用    應(yīng)用狀況:    與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體霍爾傳感器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應(yīng)的霍爾傳感器件具有體積小、制備工藝簡單、高度集成、靈敏度高等優(yōu)點,因此具有更為重要的應(yīng)用價值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異抗核輻射等優(yōu)點,在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場前景廣闊。

本發(fā)明公開了一種氧化鋅基底誘導(dǎo)取向生長的硒化銻薄膜的方 法，其特征在于，該方法是以特定取向的氧化鋅基底誘導(dǎo)生長具有擇 優(yōu)取向方向的硒化銻薄膜；當氧化鋅基底為(100)取向時，誘導(dǎo)生長出 的硒化銻薄膜是以<、221>、方向為主導(dǎo)生長取向；當氧化鋅基底 為(002)取向時，誘導(dǎo)生長出的硒化銻薄膜是以<、120>、方向為主 導(dǎo)生長取向。本發(fā)明中的方法可應(yīng)用于硒化銻薄膜太陽能電池的制備， 得到相應(yīng)的硒

通過研究和有機介質(zhì)薄膜以及金屬化水平的不斷提高，用金屬化薄膜制造高壓大功率電容器取代電解電容器已成為了可能。薄膜電容器具有高頻特性好、損耗小和溫度特性穩(wěn)定等特點，可以滿足逆變器對電容器性能的要求。

本發(fā)明公開了一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法。在 保護氣氛下，首先 450℃～550℃加熱氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料氣化后附著于耐熱載體表面，并形成氮化碳前驅(qū)體；然后 500℃～550℃加熱附著有氮化碳前驅(qū)體的耐熱載體 1min～6h，使得氮 化碳前驅(qū)體氣化并在導(dǎo)電基底表面形成厚度為 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，獲得所述修飾電極。本發(fā)明通過利用氣相沉積的方法 在導(dǎo)電基底表面修飾